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電子級氫氟酸產業 1. 產業背景：電子級氫氟酸在晶圓製造中的角色 電子級氫氟酸是半導體晶圓製造過程中關鍵的濕式電子化學品，主要用於清洗與蝕刻兩大核心工序，是單位晶圓耗量最大的濕式電子化學品之一。 清洗環節：氫氟酸用於去除晶圓表面的自然氧化層、金屬離子污染及顆粒殘留。隨著製程從 28nm 向 7nm 及以下演進，清洗步驟數從約 100 步增加至 200 步以上。在 3nm 製程中，由於極紫外光刻（EUV）對光刻膠表面缺陷的敏感度更高，清洗步驟進一步增至 300 步以上。每一步清洗均需使用稀釋氫氟酸（DHF）或緩衝氧化蝕刻液（BOE）。單片 12 吋晶圓在先進製程廠的耗酸量較 28nm 廠高出約 2-3 倍。 蝕刻環節：氫氟酸用於二氧化矽及氮化矽的選擇性蝕刻。在 3D NAND 快閃記憶體中，隨著堆疊層數從 128 層向 176 層、232 層乃至 300 層以上邁進，高深寬比蝕刻（High Aspect Ratio etch，簡稱 HAR etch）的次數呈指數級增長。更高的堆疊層數意味著更深的溝槽與孔洞，對氫氟酸的純度、蝕刻速率及蝕刻選擇比提出更嚴格的要求。 AI 算力拉動方面：AI 訓練與推理晶片（如 H100、B200、MI300 系列）採用先進製程與大尺寸晶片設計，單片晶圓面積較通用邏輯晶片更大，等效耗酸量相應提升。隨著 AI 資料中心資本開支持續擴張，台積電、三星、英特爾等頭部晶圓廠的先進製程產能利用率維持高位，直接拉動濕式電子化學品的消耗量成長。 根據 SEMI 數據，2025 年全球半導體設備支出約 1255 億美元，中國區占比持續提升，晶圓廠擴產是濕式電子化學品需求成長的底層驅動。 2. 邊際變化：價格、供給與認證 2.1 價格端 根據百川盈孚數據，2026 年 6 月 29 日相較年初，UP 級（對應 G3-G4）電子級氫氟酸價格上漲約 19%，UPS 級（對應 G5）上漲約 17%。價格上漲來自兩端：成本端螢石、硫酸價格上行形成支撐；需求端晶圓廠擴產帶動耗酸量提升，而日系供應商擴產節奏緩慢，供需邊際趨緊。 2.2 供給端事件 據韓媒 The Elec 報導（2026.5.14），韓國半導體材料企業所需無水氫氟酸約 90% 從中國進口，2026 年 5 月以來出現高價搶貨現象。該事件雖未構成「斷供」，但反映出日系產能瓶頸下，中國已通過認證的 G5 級供應商在供給端地位的提升。 2.3 認證進展 中國企業中，多氟多 G5 級電子級氫氟酸已向台積電、三星電子、華虹半導體、長鑫存儲等主流晶圓廠批量供貨。 3. 產業格局：日系主導與中國國內突破 日系主導格局：高端電子級氫氟酸（G5 級及以上）長期由日本企業主導，Stella Chemifa 是全球少數具備 G6 級電子級氫氟酸量產能力的企業，森田化學在 G5 級市場佔據主要份額。兩家日系企業均無在華規模化產能，中國下游廠商的電子級氫氟酸採購依賴進口或貿易商轉口。 中國突破難點體現在三個面向： 一、純度控制：根據 SEMI G5/G6 標準，G5 級要求金屬離子含量低於 10ppt，G6 級進一步要求低於 1ppt，對原料選型、設備材質、潔淨環境的要求極為嚴苛。 二、設備材質：電子級氫氟酸具有強腐蝕性，儲罐、管道、泵閥等接觸部件需採用 PFA（全氟烷氧基樹脂）等高純氟材料，以防止金屬離子析出造成二次污染。 三、批次一致性：半導體廠要求批次間的金屬離子含量、顆粒度、蝕刻速率等指標波動控制在極小範圍內，認證週期通常為 12-24 個月，新進入者從送樣到批量供貨需要較長時間的工藝磨合。