📷 @SICE3000 工作日我在学英语 周末🉑拍摄 7.24周五广州22点 7.25周六待定 7.26周日广州14点 8.1周六深圳19点 8.2周日待定 8.8周六长沙 8.9周日武汉摄影会 @Xiaoxiaofoer @Xiaoxiaoyyii @Xiaoxiaoggii @TaoHuaBang

📷@SICE3000 图1是一个不熟的人体模特在我发朋友圈后马上发的，她发这个朋友圈时有我微信好友，我都不记得她长什么样子了，屏蔽我发的。 我光明正大做的人体模特，我长得无论像什么，都还是有那么几个粉丝买单吧？骂我丑可以，怎么可以骂我的粉丝呢，我的粉丝很多对我特别好，不是因为我漂亮，是因为粉丝人很好，我遇到了很多素质好的粉丝。 我可能就是比起某些模特，我眼睛是黑色的，不像有的模特眼睛是红色的而已。 然后一般不惹我，我对外人的八卦也不是很感兴趣，不管别人赚了多少，长得美丑，没有惹我，和我无关的话，我也懒得去八卦别人，不会像有的模特，特别关心别人的各种事儿。 那么再给大家奉送一下我的丑照吧，这个人体模特也是辛苦她了，又觉得我丑，还要留在我朋友圈天天看我动态，做间谍呀？还是每天看不到我的丑照睡不着吗？ 那么这位不熟的上海人体模特，我只能祝你发大财，然后你如果还是额外关注我，那么不好意思，我只能持续产出丑照各大平台碍你眼了。 @Xiaoxiaofoer @Xiaoxiaoyyii @Xiaoxiaoggii @TaoHuaBang

AI数据中心正在重塑SiC产业，而真正稀缺的可能是高品质200mm SiC衬底 未来十年，SiC的增长逻辑可能逐渐转向AI电力基础设施。AI数据中心不仅在消耗更多GPU，也在重塑整个供电半导体架构。 在这条产业链里，真正决定行业的，未必是SiC器件，而是高品质200mm SiC衬底。 Wolfspeed最近的大幅回调正好体现了市场的分歧。乐观者看到AI数据中心、200mm技术领先、债务重组完成； 悲观者看到收入增长有限、毛利率仍为负、现金流持续承压。 公司的核心资产是SiC材料能力。业务主要分为SiC衬底、晶圆、外延片，以及MOSFET和功率模块。 真正难复制的是上游材料。SiC长晶温度超过2000℃，缺陷控制极其困难，良率提升往往需要数年时间。前身Cree超过30年的积累，构成了最核心的竞争壁垒。 AI正在把数据中心变成电力密集型工业设施。过去服务器功率只有500W至1kW，如今AI服务器已经达到5kW至15kW。过去机柜只有10-20kW，如今GB200 NVL72接近120kW，未来300kW、500kW甚至1MW机柜已经进入路线图。 对于100MW级数据中心而言，供电效率提升1%，意味着每年节省数百万美元电费。因此运营商越来越关注电力效率，而不是单纯的设备成本。 SiC恰好是提升效率最有效的技术之一。相比传统硅器件，开关损耗更低、导通损耗更低、工作温度更高、功率密度更高。因此越来越多的数据中心开始导入SiC方案。 需求主要来自四个方向：UPS系统、AI服务器电源、中压配电系统以及固态变压器（SST）。 UPS目前最成熟，Eaton、Vertiv、Schneider Electric、ABB等厂商已经开始采用SiC。 服务器电源是未来最大的增量市场之一，1200V和1700V SiC MOSFET正在快速渗透。 中压配电则是目前最容易被忽视的领域，未来AI园区内部大量采用13.8kV→4.16kV→800V DC架构，对3.3kV和6.5kV SiC模块需求巨大。 长期来看，固态变压器可能成为最大的增量方向，未来架构有机会从“电网→变压器→UPS→PDU→服务器”演变为“电网→SiC固态变压器→AI机柜”，大幅简化供电链路。 未来3年，AI数据中心相关SiC需求年复合增长率有望达到30%-50%；未来5年仍可能维持25%-40%。原因并不复杂：数据中心数量增长、单个数据中心功率增长、SiC渗透率增长，三重驱动形成明显的乘数效应。因此AI带来的不是单纯的服务器需求，而是整个供电链路升级。从发电站、变电站，到UPS、PDU、PSU，再到服务器内部供电系统，每一次电力转换都在追求更高效率，而SiC正是整个升级过程中的核心受益者。 但行业真正值得关注的问题是高品质200mm SiC衬底，尤其是高品质200mm衬底。 很多投资者会问，既然200mm紧张，为什么不能继续使用150mm？答案是短期可以，长期不行。200mm晶圆面积比150mm增加约78%。同样设备、同样工艺、同样人工，可以生产更多芯片，显著降低单位成本。对于需求爆发型市场而言，规模化生产能力远比单颗器件价格更重要。 问题在于，200mm远比150mm难做。SiC天然存在Micropipe、BPD、TSD等缺陷。150mm时代尚可控制，进入200mm后面积增加78%，缺陷数量同步增加，良率反而下降。很多厂商能够做出200mm晶圆，却无法实现稳定的大规模量产。行业真正稀缺的不是200mm晶圆本身，而是低缺陷率、高良率、能够持续供货的200mm晶圆。 目前全球具备200mm SiC能力的主要玩家包括 Wolfspeed、onsemi、STMicroelectronics、Infineon Technologies 和 ROHM。其中推进最激进的仍然是Wolfspeed。同时中国厂商如 山东天岳 和 天科合达 也在快速扩产。未来全球供需平衡最大的变量，很可能来自这些厂商的良率爬坡速度。 AI电力链条可能正在孕育另一个潜在瓶颈：高品质200mm SiC衬底。 未来最有可能发生的情况不是买不到SiC器件，而是可以买到器件，却买不到足够多、足够便宜、良率足够高的200mm SiC衬底做出来的器件。当市场仍然把SiC视为普通商品时，AI数据中心或许已经成为下一轮需求爆发真正的起点。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议，dyor

【热点一：功率半导体/第三代半导体（SiC）】 催化剂：英伟达Rubin平台800VDC高压架构全面普及；功率半导体涨价潮开启；AI数据中心功耗激增拉动1200V SiC需求；银河微电复牌拟收购恒泰柯切入中高压功率器件；1-5月电子行业利润+103.9% 受益标的： • 士兰微（ 国内功率半导体IDM龙头，全球份额第六 • 捷捷微电（ 功率半导体芯片+器件设计封装 • 银河微电（ 今日复牌，拟收购恒泰柯100%股权切入中高压功率器件 • 甬矽电子（ 拟投资103亿建高端IC封测三期 【热点二：存储芯片/国产替代】 催化剂：苹果施压白宫寻求采购长鑫存储芯片；1-5月电子专用材料利润+665.4%；美光财报超预期验证存储景气；存储芯片短缺推动全球涨价 受益标的： • 江波龙（ 存储模组龙头，受益存储涨价周期 • 雅克科技（ 半导体前驱体材料，电子材料平台 • 富满微（ 预计半年度净利9000万-1.1亿，同比扭亏 【热点三：可控核聚变/超导磁体】 催化剂：聚变堆超导磁体100%国产化突破；环向场磁体通过验收；高温超导中心螺管线圈满参数测试达国际领先；北京太空算力大会6月29-30日举办 受益标的： • 永鼎股份（ 聚变堆磁体相关 • 安泰科技（ 超导材料/堆内外结构件 • 爱科赛博（ 精密电源测试设备，聚变堆电源环节 • 合锻智能（ 核聚变堆结构件 ━━━━━━━━━━━━━━━━