3800点： 上证指数、深圳指数、创业板指数、科创板指数都出现了日线底分型的形态，大盘有转势的趋势，各个板块由于平台、突破、创新高、调整不同的阶段，需要结合具体股票，所以不同调很正常。至于能走多远，走一步看一步是最务实的做法。光模块、国产半导体、存储芯片、创新药还是相对主线概率高。黄金白银铜是涉及美联储货币政策和利率政策跟我们行情没有多大关系，是自成体系的方向。 证券ETF120分钟，我们说中枢是最大的套牢区域，跌破中枢后的大阳线放量拉回肯定是机构所为，其中又说“拱桥”位置是散户抛售最猛烈的价格中心点，短期走势证券ETF很难判断，但是像数字资产、金融科技、信托之类的偏门小众类金融股票，如果走势稳健的形态，会有更多资金进去炒作。

【信じていたHBMまで…韓国半導体の核心動力も中国が追い上げる】 韓国半導体の核心動力である広帯域メモリー（HBM）でも中国との技術格差が大きく縮まった。中国はDRAM市場で稼いだ莫大な収益を基にHBM追撃の速度をさらに引き上げるものと予想される。 韓国半導体産業協会によると、韓中のメモリー半導体技術格差はHBMが3年、DRAMが2年、NAND型フラッシュが1年に縮まった。数年前には5年以上と評価されていた格差が、メモリー工程上事実上「1世代」以下に減ったという意味だ。 これは実体にもあらわれている。中国長鑫存儲技術（CXMT）は最近アリババ子会社のTヘッドなどファブレス（半導体設計業者）とともに第5世代HBMである「HBM3E」をテスト中で、早ければ来年からこれを搭載したIT製品を発売する予定だ。HBM3Eはサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンが生産するHBM4よりわずか1世代差の製品だ。 出典：中央日報