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约搭子
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约搭子
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小旺仔妈妈
@SarahSanch25300
2026.06.20 10:21
有附近的搭子吗,趁端午假期约一下???
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PR TIMESテクノロジー
@PRTIMES_TECH
2026.09.07 09:38
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牛牛Niu🐮
@milkybird_niu
2023.08.13 12:24
♥︎FF41♥︎兎田ぺこら新刊預約中ෆ ̖́- 特別找了跟兔幾很搭的內衣~ 覺得軟軟的粉藍色超級可愛🥰🫶🏻 #
ぺこらーと
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兎田ぺこら
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ヨドバシ Akiba
@yodobashi_akiba
2026.09.02 09:33
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郭明錤|Ming-Chi Kuo
@mingchikuo
2026.06.18 02:45
重點解讀台積電的玻璃核心載板投影片 台積電在 6 月 11 日的日本 JPCA Show 2026,進行主題為「AIの進化に不可欠な先端パッケージング技術」的簡報,該份簡報約40頁,當中某張標題為「Glass Substrate Development for CoWoS」的投影片流出,引發廣泛關注。 以下是對該投影片(見附圖)的重點解讀,能網路科普查到的技術細節就不多說了,要注意的是投影片上的 COP 不是 Chip-on-Package 的縮寫,而是 Coplanarity、也就是平整度 / 共面度。 ▌重點結論: 1. 台積電正式宣布與 Ibiden 以及群創合作,開發玻璃核心載板(glass core substrate),結構為玻璃上下各黏合 ABF 的三層結構設計,該技術就是用於 CoPoS 的 oS。 2. 市場低估玻璃核心載板的重要性,該技術對台積電是「must have」,意即 CoPoS 中,oS 的重要性高於 CoP,這也是該技術進行測試時,先搭配既有的 CoW 而非 CoP 的原因。 3. 玻璃核心載板單價較既有 ABF 載板高出數倍,群創加工的玻璃單價非常高,為最核心的材料。除 Nvidia 外,目前已有兩家美系客戶同樣表達高度興趣。 ▌與本投影片相關的產業調查: 1. 本投影片提及的玻璃核心載板由 250x250mm 切割而來,ABF 增層主要採用 Ajinomoto 的 GL107 並混搭 ABF-GCP,以 2027–2028 主流 AI 晶片 ABF 規格的 24-28 層進行測試 2. 台積電實驗時的 CoW 是測試載具(test vehicle),足以驗證採用複合材料時最具挑戰性的機械結構問題。測試結果良好意味著台積電、Ibiden 與群創已合作突破關鍵技術瓶頸。 3. 目前是由 Ibiden 負責切割 250x250mm 的玻璃核心載板。待 2H27 採用 510x515mm 做量產前模擬時,若 Ibiden 仍想降低生產複雜性以維持超高毛利率,可能會改交由更熟悉玻璃特性的群創切割。 ▌流出的投影片內容是將 CoPoS 中的 oS、也就是玻璃核心載板(投影片中的 glass-SBT)與 CoW 搭配的技術驗證結果,這是為解決該投影片前一頁所提到的「Substrate mechanical and electrical Dilemma」,而這顯著凸顯了 CoPoS 中 oS 的重要性。 1. CoPoS 中,CoP 要解決的是生產效率 / 切割經濟性的問題,這與成本與售價有關;而 oS 要解決的是翹曲與耐用性問題,這牽涉到能否做出晶片,以及晶片能否運作。 2. CoP 與 oS 兩者整合相得益彰,但展望未來數年,兩者的技術定位還是有些差異。CoP 是可選的絕佳優化選項(very-nice-to-have),沒有它的代價就是晶片更貴;但 oS 是必需品(must-have), 沒有它可能連能否做出可用晶片都是問題。 3. 比較定位差異不是為了捧 oS 貶 CoP,這牽涉到客戶願意為哪個技術環節付錢的現實問題,細節下面分析。 ▌投影片中含金量最高的是電源完整性(power integrity;PI)改善,這對客戶意義重大,這也代表玻璃核心載板生產穩定後,台積電獲利能力與競爭優勢可望同步提升。 1. 技術說明:玻璃核心載板薄 → TGV(through glass via)垂直導通路徑短 → 導通路徑電阻(R)跟迴路電感(L)同降 → PI 改善 2. 對客戶意義重大原因:PI 改善 → 供電更穩 → 釋出功率餘裕(power headroom)→ 可整合更多電晶體、或拉高運作時脈 → AI 晶片算力提升 3. 對客戶而言,生產效率是台積電的基本責任,客戶不會為此多付錢;但 AI 算力提升能直接轉化為客戶的競爭力與獲利,故客戶願意為此買單。這也是 Nvidia 積極看待玻璃核心載板的原因。 4. 對台積電而言,玻璃核心載板可提升良率並降低成本,同時提高 AI 晶片的算力與售價,既是降本工具,也是漲價籌碼,對獲利與競爭力都是加分。 5. 目前載板成本佔 AI 晶片 BOM 約低個位數,封裝良率造成的損失約載板成本的 5-10 倍,故即便未來玻璃核心載板成本高於目前的數倍以上,但佔 BOM 比重仍低,且可改善封裝良率造成的損失,故預期玻璃核心載板的高單價不會影響客戶採用意願。 ▌簡報後的問答環節,有聽眾提問關於玻璃核心載板的 TGV 細節,台積電當場拒絕回答,因為玻璃核心載板的關鍵技術就是 TGV,核心 know-how 目前掌握在台積電與群創手中。相較下,另一個提問者的問題是關於 IVR、eDTC、與 LSI 的整合,台積電就回答了不少。 ▌根據產業調查,若一切順利,台積電的目標是在 4Q28-1Q29 開始量產玻璃核心載板,以符合 Nvidia AI 晶片迭代節奏。順帶一提,許多人在傳的 Ibiden 的法說投影片,上面將玻璃核心載板時程列為 CY30,我對此的解讀是:對外向來保守謹慎的 Ibiden 將玻璃核心載板正式列為發展路線,這更確定了該技術長期趨勢。但從 Ibiden 投影片的其他細節與市場資訊不完全一致來看,例如 reticle 時程與台積電公開宣稱的差約一個世代、Rubin Ultra 載板尺寸明顯大於其在 CY26-27 標示的 90x90 等,這說明了在預測未來時,需隨時多方交叉驗證。
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FabyΔ
@FABYMETAL4
2026.08.28 10:47
💡 Samsung Electronics 、NVIDIA のカスタムメモリ「NVHBM」で先行か | HBM4E 8段・17〜18Gbpsを開発中 $NVDA $MU $TSM $AMZN Samsung Electronics が NVIDIA $NVDA のカスタムHBM「NVHBM」供給で中核パートナーの座を先に押さえた、とソウル経済が8月28日に報じた。 同社は NVIDIA の要求に合わせ、当初準備していた12段・16段ではなくHBM4E(第7世代)の8段品を開発している。提示された動作速度は17〜18Gbpsで、初期HBM4Eサンプルの14.4Gbpsを2割上回る。積層高さを3分の1削り、その分を速度に振り替える構成になる。 NVHBMは NVIDIA が現地時間8月26日、NVLink Fusion の拡張として公開した独自規格である。従来はXPU側の演算ダイに載っていたメモリコントローラをHBMスタック内部へ移す設計で、標準HBM4E比で帯域が最大30%向上、HBM消費電力が最大15%低下、演算ダイ側で使える面積が最大25%増える。JEDEC規格比でPHYと周辺回路の面積は最大67%削減され、インターポーザ配線が簡素化されることでパッケージ全体では最大80%多くのシリコンを実装できるとする。NVIDIA 自身は製造せず、複数のメモリベンダーが供給できる標準実装を整える形を取り、第1号パートナーは Amazon $AMZN 傘下のAnnapurna Labsとなる。次世代Trainiumでの組み合わせが想定されている。 8段への回帰は、これまでのHBM競争の前提を反転させる。HBMは4段から8段、12段へと積み上げて容量を稼いできたが、段数が増えるほどDRAMダイを薄く削って精密に積む必要があり、後工程の難易度と歩留まり負担が跳ね上がる。8段は製造負荷が軽く、同じウェハ投入量からより多くのスタックを取り出せる。 Samsung と SK hynix は今年下期、NVIDIA 向けHBM4でも8段比率を引き上げる計画で、発熱管理と供給安定性が主因とされる。SK hynix のCEOは27日、米インディアナ州の先端パッケージ工場起工式後の会見で、メモリ不足が2030年末まで続くとの見方を示している。8段回帰は、この供給制約下でHBM搭載GPUの絶対数を確保するための現実解と読める。 代わりに NVIDIA は速度を取りにいく。NVHBMは2027年後半投入のRubin Ultra世代からの適用が有力とされ、同世代はスケールアップ領域を従来の72基から最大576基へ8倍に広げる。GPU単体のメモリ容量が減っても、より速いHBMを載せたGPUを数百基束ねて全体演算性能を積み上げる設計思想である。 Samsung のHBM4Eラインアップは8段32GB、16段64GBの構成で、16スタック実装なら8段採用時のパッケージ容量は512GB、当初示された1TBの半分に落ちる。一方、HBM4Eの2048ビット幅(16Gbpsで4.0TB/s)を前提に17〜18Gbpsを当てはめるとスタック帯域は4.4〜4.6TB/sとなり、NVIDIA が掲げる標準HBM4E比30%増とほぼ一致する。容量と帯域のトレードオフを、帯域側へ振り切った判断だ。 Samsung が優位に立つ理由は組織構造にある。NVHBMはDRAMだけでなくロジックベースのベースダイ設計と製造能力を要求する。Samsung はHBM4で1c DRAMと自社Foundry 4nmベースダイを組み合わせ、JEDEC標準8Gbpsを約46%上回る11.7Gbps(最大13Gbps)を安定確保した。対してSK hynix はHBM4E向けロジックダイにTSMC $TSM の3nm採用を検討し、Samsung は自社4nmで対応する構図にあり、Micron $MU も標準・カスタム双方のHBM4Eロジックダイ製造をTSMCに委ねている。高積層ではなく速度と開発回転数で勝負が決まる局面では、この一貫体制が効く。 最大の未確定要素は初適用世代である。NVIDIA 自身の発表はNVHBMを将来のGPUのメモリ基盤とするに留め、時期を明示していない。海外メディアの一部は2028年のFeynman世代を初適用先と見る一方、韓国側の報道はRubin Ultraを指す。 より本質的なのは主導権の移動である。ベースダイに載るコントローラが NVIDIA 設計になるということは、HBMの付加価値の一部が製造側から設計側へ移ることを意味する。Micron 経営陣は既に、設計と認証にかかる時間とコストを踏まえれば顧客が3社すべてと組むとは限らず、2社あるいは単独調達へ収斂し得ると指摘している。標準品の汎用化と特注品の囲い込みが同時に進み、供給者の交渉力は案件ごとに大きく振れる。 需要側の温度は依然高い。NVIDIA の2027年度第2四半期(7月26日締め)は売上高962億ドルで前年同期比106%増、データセンター部門は890億ドルで同117%増、第3四半期ガイダンスは1,058〜1,101億ドル、上位5社のハイパースケーラー設備投資は2026年の8,000億ドルから来年1兆3,000億ドルへ拡大する見通しが示された。この需要を前に、メモリ供給の物理的制約をどう回避するかという設計解がNVHBMであり、8段回帰である。積層数を競う段階から、速度と実装数を競う段階へ。AIメモリの評価軸が入れ替わる過程を注視したい。
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Hwaiting!_LIVE
@Hwaiting_LIVE
7hours ago
“約1200円→6000円”…G-DRAGON(BIGBANG)と韓国マクドナルドがコラボしたグッズがプレミア付きで中古取引状態
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@tweetsoku1
2026.10.01 09:46
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モデルプレス
@modelpress
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オリコンニュース
@oricon
2026.09.26 05:47
「約230キロ」安田大サーカス・HIRO ホンダの“愛車”でツーリング満喫🏍️ 移住先・和歌山の名所の数々を巡る
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