0x鸣人(@LuBtc888):长鑫存储上海12英寸DRAM大型制造基地项目建设工作正稳步落地推进项目于2026年全面启动实质性施工建设，设备进场安装规划安排在2026年下半年，计划2027年实现生产线投产， 2028年产能持续爬坡直至全线达产。该厂区设计月产能区间为40万至60万片晶圆，产能规模大幅超越公司现有任一生产基地，产线主打高端DRAM存储芯片，覆盖DDR5、LPDDR5X、HBM多款主流高性能存储产品。当中国卷起来后，会发生什么？内存的成本，未来有希望被中国企业打下来。

2026.07.02 03:22

长鑫存储上海12英寸DRAM大型制造基地项目建设工作正稳步落地推进项目于2026年全面启动实质性施工建设，设备进场安装规划安排在2026年下半年，计划2027年实现生产线投产， 2028年产能持续爬坡直至全线达产。该厂区设计月产能区间为40万至60万片晶圆，产能规模大幅超越公司现有任一生产基地，产线主打高端DRAM存储芯片，覆盖DDR5、LPDDR5X、HBM多款主流高性能存储产品。当中国卷起来后，会发生什么？内存的成本，未来有希望被中国企业打下来。