川沐｜Trumoo🐮(@xiaomustock):量子闪存（Quantum Flash）是复旦大学周鹏、刘春森团队研发的一种室温单电子非易失性存储技术。该技术于2026年7月17日在国际学术期刊《科学》（Science）主刊上发表，通过独创的“归壹”结构（共面漏极-沟道-源极结构）和“态密度剪刀”理论，成功在室温（27℃）环境下实现了单个电子对单个比特信息的稳定存储，传统技术需要数万电子存单个比特。性能指标量子闪存实现了“一电子一比特”的理论极限存储密度，相比传统技术所需电子数减少了数万倍。该技术首次在室温（27℃）环境下实现了清晰的单电子非易失性存储观测，打破了需极低温环境的限制。单个电子注入产生的存储窗口（阈值电压偏移）达到0.5伏特，远超此前报道的55毫伏，且数据保持时间长达10年以上。此外，该技术可与现有的CMOS硅工艺兼容，为产业化应用奠定了基础。去年4月，周鹏-刘春森团队于《自然》（Nature）期刊提出“破晓（PoX）”器件，实现了世界最快400皮秒超高速非易失存储，解决了自1967年浮栅晶体管发明后，高速与非易失无法兼得的基础性难题。

川沐｜Trumoo🐮

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川沐｜Trumoo🐮@xiaomustock

2026.07.22 04:27

量子闪存（Quantum Flash）是复旦大学周鹏、刘春森团队研发的一种室温单电子非易失性存储技术。该技术于2026年7月17日在国际学术期刊《科学》（Science）主刊上发表，通过独创的“归壹”结构（共面漏极-沟道-源极结构）和“态密度剪刀”理论，成功在室温（27℃）环境下实现了单个电子对单个比特信息的稳定存储，传统技术需要数万电子存单个比特。性能指标量子闪存实现了“一电子一比特”的理论极限存储密度，相比传统技术所需电子数减少了数万倍。该技术首次在室温（27℃）环境下实现了清晰的单电子非易失性存储观测，打破了需极低温环境的限制。单个电子注入产生的存储窗口（阈值电压偏移）达到0.5伏特，远超此前报道的55毫伏，且数据保持时间长达10年以上。此外，该技术可与现有的CMOS硅工艺兼容，为产业化应用奠定了基础。去年4月，周鹏-刘春森团队于《自然》（Nature）期刊提出“破晓（PoX）”器件，实现了世界最快400皮秒超高速非易失存储，解决了自1967年浮栅晶体管发明后，高速与非易失无法兼得的基础性难题。