駿HaYaO(@QQ_Timmy):Sandisk BiCS10 332 層 1Tb TLC 開始送樣　位元密度提升 59% Sandisk Corporation 宣布，第 10 代 BiCS FLASH 3D NAND 快閃記憶體技術 BiCS10 1Tb TLC 已正式進入工程樣品送樣階段。該產品採用 332 層堆疊架構，結合先進橫向縮放與優化平面布局，位元密度較第 8 代（BiCS8）大幅提升 59%，達到業界領先的超過 29Gb/mm²。 BiCS10 延續 CBA（CMOS 直接鍵合至陣列）技術，並新增 Toggle DDR6.0、SCA 協議及 PI-LTT 技術，NAND 介面速度最高達 4.8Gb/s，較前一代提升 33%。在功耗表現上，輸入功耗降低 10%、輸出功耗降低 34%，讀取與寫入能效也同步優化，特別適合 AI 時代資料中心與企業級 SSD 對高容量、低功耗、高效能的需求。 Sandisk 首席技術長 Alper Ilkbahar 表示，BiCS10 在 BiCS8 成熟基礎上進一步突破，將為下一代資料密集型與 AI 工作負載提供更強大的儲存解決方案。該產品將由Kioxia日本岩手北上 Fab2 工廠生產，預計未來逐步量產。

2026.07.03 11:46

Sandisk BiCS10 332 層 1Tb TLC 開始送樣　位元密度提升 59% Sandisk Corporation 宣布，第 10 代 BiCS FLASH 3D NAND 快閃記憶體技術 BiCS10 1Tb TLC 已正式進入工程樣品送樣階段。該產品採用 332 層堆疊架構，結合先進橫向縮放與優化平面布局，位元密度較第 8 代（BiCS8）大幅提升 59%，達到業界領先的超過 29Gb/mm²。 BiCS10 延續 CBA（CMOS 直接鍵合至陣列）技術，並新增 Toggle DDR6.0、SCA 協議及 PI-LTT 技術，NAND 介面速度最高達 4.8Gb/s，較前一代提升 33%。在功耗表現上，輸入功耗降低 10%、輸出功耗降低 34%，讀取與寫入能效也同步優化，特別適合 AI 時代資料中心與企業級 SSD 對高容量、低功耗、高效能的需求。 Sandisk 首席技術長 Alper Ilkbahar 表示，BiCS10 在 BiCS8 成熟基礎上進一步突破，將為下一代資料密集型與 AI 工作負載提供更強大的儲存解決方案。該產品將由Kioxia日本岩手北上 Fab2 工廠生產，預計未來逐步量產。

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