駿HaYaO(@QQ_Timmy):住友金屬礦山株式會社（總部：東京都港區）此次成功開發出全球首款（※）12 英吋（300mm）貼合式碳化矽（SiC）基板「SiCkrest®」（賽克雷斯特®），並已向半導體製造商進行樣品出貨。此為符合功率半導體市場對 SiC 基板大口徑化需求的重要技術成果。該基板將於 9 月 27 日至 10 月 2 日在太平洋橫濱北館（神奈川縣橫濱市西區）舉行的國際會議 ICSCRM 2026（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2026）G-2 展位展出。住友金屬礦山的 SiCkrest 是功率半導體的主要材料 SiC 基板，透過應用獨家接合技術將晶圓做成雙層結構，兼顧性能與低成本。在低電阻多晶 SiC 支撐基板上，薄薄貼合高品質單晶層，既能維持單晶特性，又能實現基板整體低電阻化並抑制通電劣化。功率半導體市場在提升電力轉換效率與裝置小型化的需求下，SiC 功率半導體的採用正持續擴大。同時，SiC 基板大口徑化被視為可降低製造成本、提升生產效率的關鍵，備受關注。住友金屬礦山今後將持續擴充 SiCkrest 的用途開發與供應體制，為功率半導體市場的材料技術發展做出貢獻。同時將活用從原料到基板製造的一貫生產體制，作為支撐次世代元件開發的夥伴，持續回應客戶需求。

2026.09.24 11:53

住友金屬礦山株式會社（總部：東京都港區）此次成功開發出全球首款（※）12 英吋（300mm）貼合式碳化矽（SiC）基板「SiCkrest®」（賽克雷斯特®），並已向半導體製造商進行樣品出貨。此為符合功率半導體市場對 SiC 基板大口徑化需求的重要技術成果。該基板將於 9 月 27 日至 10 月 2 日在太平洋橫濱北館（神奈川縣橫濱市西區）舉行的國際會議 ICSCRM 2026（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2026）G-2 展位展出。住友金屬礦山的 SiCkrest 是功率半導體的主要材料 SiC 基板，透過應用獨家接合技術將晶圓做成雙層結構，兼顧性能與低成本。在低電阻多晶 SiC 支撐基板上，薄薄貼合高品質單晶層，既能維持單晶特性，又能實現基板整體低電阻化並抑制通電劣化。功率半導體市場在提升電力轉換效率與裝置小型化的需求下，SiC 功率半導體的採用正持續擴大。同時，SiC 基板大口徑化被視為可降低製造成本、提升生產效率的關鍵，備受關注。住友金屬礦山今後將持續擴充 SiCkrest 的用途開發與供應體制，為功率半導體市場的材料技術發展做出貢獻。同時將活用從原料到基板製造的一貫生產體制，作為支撐次世代元件開發的夥伴，持續回應客戶需求。

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