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【信じていたHBMまで…韓国半導体の核心動力も中国が追い上げる】
韓国半導体の核心動力である広帯域メモリー（HBM）でも中国との技術格差が大きく縮まった。中国はDRAM市場で稼いだ莫大な収益を基にHBM追撃の速度をさらに引き上げるものと予想される。
韓国半導体産業協会によると、韓中のメモリー半導体技術格差はHBMが3年、DRAMが2年、NAND型フラッシュが1年に縮まった。数年前には5年以上と評価されていた格差が、メモリー工程上事実上「1世代」以下に減ったという意味だ。
これは実体にもあらわれている。中国長鑫存儲技術（CXMT）は最近アリババ子会社のTヘッドなどファブレス（半導体設計業者）とともに第5世代HBMである「HBM3E」をテスト中で、早ければ来年からこれを搭載したIT製品を発売する予定だ。HBM3Eはサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンが生産するHBM4よりわずか1世代差の製品だ。
出典：中央日報
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