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川沐|Trumoo🐮
@xiaomustock
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川沐|Trumoo🐮
@xiaomustock
2026.07.22 04:27
量子闪存(Quantum Flash) 是复旦大学周鹏、刘春森团队研发的一种室温单电子非易失性存储技术。该技术于2026年7月17日在国际学术期刊《科学》(Science)主刊上发表,通过独创的“归壹”结构(共面漏极-沟道-源极结构)和“态密度剪刀”理论,成功在室温(27℃)环境下实现了单个电子对单个比特信息的稳定存储,传统技术需要数万电子存单个比特。 性能指标 量子闪存实现了“一电子一比特”的理论极限存储密度,相比传统技术所需电子数减少了数万倍。该技术首次在室温(27℃)环境下实现了清晰的单电子非易失性存储观测,打破了需极低温环境的限制。单个电子注入产生的存储窗口(阈值电压偏移)达到0.5伏特,远超此前报道的55毫伏,且数据保持时间长达10年以上。此外,该技术可与现有的CMOS硅工艺兼容,为产业化应用奠定了基础。 去年4月,周鹏-刘春森团队于《自然》(Nature)期刊提出“破晓(PoX)”器件,实现了世界最快400皮秒超高速非易失存储,解决了自1967年浮栅晶体管发明后,高速与非易失无法兼得的基础性难题。
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