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孙正义发话表态： “互联网泡沫时代是一个没有实际内容支撑的泡沫，但这一次的 AI 革命是真的。 我将押上全部力量，在全球范围内建设数据中心、电力等基础设施。 因为在未来 10 年内，拥有相当于人类 1 万倍智能的 ASI 一定会到来。 而承担这一核心角色的，正是我们的 $ARM。 AI 才是人类历史上最大的变革。”

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高盛现在预计，2027 年 DRAM、NAND 和 HBM 的供需关系将比 2026 年更加紧张。 高盛预计，DRAM、NAND 和 HBM 这三大存储市场的供不应求状态将持续到 2028 年。 AI 服务器和 agentic AI 正在带来比以往周期更强的需求可见度。 由于产能扩张放缓，以及 HBM 晶圆分配比例上升，供应增长将受到限制。 长期协议正在越来越多地降低传统存储周期的波动性。 HBM 价格预计将相对传统 DRAM 进一步“追赶”，从而推动 HBM 总可服务市场规模扩大。 高盛上调了三星和 SK 海力士的目标价；并将 Kioxia 评级上调至“买入”

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SK 海力士推出 iHBM，旨在解决 AI 内存过热问题 SK 海力士推出了 iHBM，这是一项突破性技术：它将散热元件直接嵌入高带宽内存（HBM）封装内部，从而将热阻降低 30%，让芯片在高强度 AI 工作负载下保持稳定运行。 SK 海力士高级副总裁 Kangwook Lee 表示，iHBM 是内存设计与先进封装的最佳结合，并且采用成熟工艺，便于在未来用于英伟达 Rubin 平台的 HBM5 中实现量产。 这一创新出现之际，AI 需求正推动内存行业收入创下纪录。2026 年第一季度，主要内存供应商营收达到 389 亿美元，同比增长 83.7%。与此同时，SK 海力士股价大涨 7%，推动韩国 KOSPI 指数创下历史新高。

三星电子实现全球首个“900层 V-NAND”，1000层时代进入倒计时 三星电子已成为全球首家成功实现 900 层级 V-NAND 技术原型的公司，向“1000 层 NAND”时代又迈进一步。在与竞争对手围绕堆叠层数的竞争日益激烈之际，这一成果被认为是三星一次性取得了决定性的技术领先优势。 据半导体行业 25 日消息，三星近期通过“Cell Multi Bonding（CMB，单元多重键合）”技术，将两片 450 层单元晶圆接合为一体，成功实现了集成式 900 层级 V-NAND 系统。 NAND 闪存用于存储数据，是 AI 服务器、智能手机以及数据中心存储设备 SSD 的核心组件。它的原理类似于在公寓楼中不断向上增加楼层：堆叠层数越高，就越能在有限的芯片面积内塞入更大容量，从而存储更多数据，并最大化电力效率。因此，在需要高容量、高效率零部件的 AI 服务器和端侧 AI 市场中，NAND 被视为争夺主导权的关键技术。 在当前量产市场中，SK 海力士凭借 321 层 4D NAND 掌握最高堆叠层数。不过，三星在准备今年量产第 10 代 V-NAND（V10，400 层以上）的同时，也已在研发阶段一举跃升至 900 层级，使其在下一代 NAND 市场中占据有利位置。 对于这项研究成果，三星表示已经“验证了正常的单元工作特性”，强调这不仅仅是理论上的堆叠，而是证明了实际可运行的技术能力。 自 2013 年全球首次实现 3D V-NAND 商业化以来，三星持续推动工艺演进，以突破堆叠极限。过去，三星采用的是“一次性单堆叠”方式，即一次性钻出并堆叠微细孔洞；但随着层数不断提高，晶圆翘曲、对准误差等物理极限开始显现。 在实现 900 层器件的过程中，三星通过采用先进的上部吸盘设计，解决了最大障碍——晶圆翘曲问题。键合过程中产生的对位误差，则通过其专有的“新型 overlay 校正”技术克服。同时，新引入的位线（BL）和字线（WL）结构也带来了显著改善，在降低功耗的同时缩小了芯片面积。 从全球来看，以长江存储（YMTC）为代表的中国企业，正在 300 层级 NAND 量产门槛附近追赶韩国厂商。在政府支持和设备国产化推动下，中国企业正同时推进产能扩张和技术升级。 如果长江存储年内成功量产 300 层以上 NAND，价格竞争可能进一步加剧，并对韩国企业的盈利能力造成压力。因此，三星此次 900 层成果被高度评价为一项中长期战略举措，意在构筑技术壁垒。 一位行业人士表示：“900 层 NAND 技术并不是简单地把 300 层乘以三，而是会改变堆叠工艺范式的技术。”他还补充称：“这向全球客户传递了一个信号：三星仍然是技术领导者，同时也会在一定程度上限制中国企业的产能和价格攻势。”