Semi-journal公式(@semi_journal_jp):【キオクシア、第9世代NANDメモリーの1テラビット出荷開始】キオクシアは第9世代NANDフラッシュメモリーについて、容量1テラビットのTLC（トリプル・レベル・セル）製品のサンプル出荷を始めた。AI搭載パソコンやスマートフォン向けなどに提供する。同世代で512ギガビットのメモリーを量産出荷しており、より大容量の製品展開も始める。新製品は四日市工場（三重県四日市市）で製造する。第8世代から適用したウエハーボンディング技術「CBA」を活用し、コストを抑えて高性能化を図った。 230層積層プロセスのメモリーセル技術と相補型金属酸化膜半導体（CMOS）ロジックを組み合わせ、インターフェース速度を第８世代比で33％向上し、第10世代と同等とした。同社は積層数を増やし大容量化する第10世代と投資コストを抑制する第9世代の２軸で展開する。出典：ニュースイッチ

2026.08.30 20:41

【キオクシア、第9世代NANDメモリーの1テラビット出荷開始】キオクシアは第9世代NANDフラッシュメモリーについて、容量1テラビットのTLC（トリプル・レベル・セル）製品のサンプル出荷を始めた。AI搭載パソコンやスマートフォン向けなどに提供する。同世代で512ギガビットのメモリーを量産出荷しており、より大容量の製品展開も始める。新製品は四日市工場（三重県四日市市）で製造する。第8世代から適用したウエハーボンディング技術「CBA」を活用し、コストを抑えて高性能化を図った。 230層積層プロセスのメモリーセル技術と相補型金属酸化膜半導体（CMOS）ロジックを組み合わせ、インターフェース速度を第８世代比で33％向上し、第10世代と同等とした。同社は積層数を増やし大容量化する第10世代と投資コストを抑制する第9世代の２軸で展開する。出典：ニュースイッチ

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