数据中心缺水，SpaceX 自己说的 😳 SpaceX 在 IPO 文件里加了一句话：缺水现在是 AI 基础设施的关键风险。 数据中心需要大量水冷却，不是只在沙漠里建个机房就行。 以前聊 AI 瓶颈就两样：芯片和电。 现在多了第三样——水。

AI 数据中心成美国中期选举核心议题，70% 民众反对、两党竞相叫停 《纽约客》报道，AI 数据中心已成 2026 年美国中期选举核心议题。密歇根州民主党参议员候选人 Abdul El-Sayed 一针见血："人们真他妈恨数据中心。" Gallup 调查显示 70% 美国人（含 63% 共和党人）反对在当地建数据中心，但全美已建成 4000 座、另有 4000 座规划中。 数据中心遭恨因其占地巨大（开车以高速通过需 1 分 42 秒）、耗电耗水严重（弗吉尼亚州两次电力激增导致居民冰箱发出怪声）、几乎不提供就业。 反 AI 正在成为两党共识。

AI数据中心正在重塑SiC产业，而真正稀缺的可能是高品质200mm SiC衬底 未来十年，SiC的增长逻辑可能逐渐转向AI电力基础设施。AI数据中心不仅在消耗更多GPU，也在重塑整个供电半导体架构。 在这条产业链里，真正决定行业的，未必是SiC器件，而是高品质200mm SiC衬底。 Wolfspeed最近的大幅回调正好体现了市场的分歧。乐观者看到AI数据中心、200mm技术领先、债务重组完成； 悲观者看到收入增长有限、毛利率仍为负、现金流持续承压。 公司的核心资产是SiC材料能力。业务主要分为SiC衬底、晶圆、外延片，以及MOSFET和功率模块。 真正难复制的是上游材料。SiC长晶温度超过2000℃，缺陷控制极其困难，良率提升往往需要数年时间。前身Cree超过30年的积累，构成了最核心的竞争壁垒。 AI正在把数据中心变成电力密集型工业设施。过去服务器功率只有500W至1kW，如今AI服务器已经达到5kW至15kW。过去机柜只有10-20kW，如今GB200 NVL72接近120kW，未来300kW、500kW甚至1MW机柜已经进入路线图。 对于100MW级数据中心而言，供电效率提升1%，意味着每年节省数百万美元电费。因此运营商越来越关注电力效率，而不是单纯的设备成本。 SiC恰好是提升效率最有效的技术之一。相比传统硅器件，开关损耗更低、导通损耗更低、工作温度更高、功率密度更高。因此越来越多的数据中心开始导入SiC方案。 需求主要来自四个方向：UPS系统、AI服务器电源、中压配电系统以及固态变压器（SST）。 UPS目前最成熟，Eaton、Vertiv、Schneider Electric、ABB等厂商已经开始采用SiC。 服务器电源是未来最大的增量市场之一，1200V和1700V SiC MOSFET正在快速渗透。 中压配电则是目前最容易被忽视的领域，未来AI园区内部大量采用13.8kV→4.16kV→800V DC架构，对3.3kV和6.5kV SiC模块需求巨大。 长期来看，固态变压器可能成为最大的增量方向，未来架构有机会从“电网→变压器→UPS→PDU→服务器”演变为“电网→SiC固态变压器→AI机柜”，大幅简化供电链路。 未来3年，AI数据中心相关SiC需求年复合增长率有望达到30%-50%；未来5年仍可能维持25%-40%。原因并不复杂：数据中心数量增长、单个数据中心功率增长、SiC渗透率增长，三重驱动形成明显的乘数效应。因此AI带来的不是单纯的服务器需求，而是整个供电链路升级。从发电站、变电站，到UPS、PDU、PSU，再到服务器内部供电系统，每一次电力转换都在追求更高效率，而SiC正是整个升级过程中的核心受益者。 但行业真正值得关注的问题是高品质200mm SiC衬底，尤其是高品质200mm衬底。 很多投资者会问，既然200mm紧张，为什么不能继续使用150mm？答案是短期可以，长期不行。200mm晶圆面积比150mm增加约78%。同样设备、同样工艺、同样人工，可以生产更多芯片，显著降低单位成本。对于需求爆发型市场而言，规模化生产能力远比单颗器件价格更重要。 问题在于，200mm远比150mm难做。SiC天然存在Micropipe、BPD、TSD等缺陷。150mm时代尚可控制，进入200mm后面积增加78%，缺陷数量同步增加，良率反而下降。很多厂商能够做出200mm晶圆，却无法实现稳定的大规模量产。行业真正稀缺的不是200mm晶圆本身，而是低缺陷率、高良率、能够持续供货的200mm晶圆。 目前全球具备200mm SiC能力的主要玩家包括 Wolfspeed、onsemi、STMicroelectronics、Infineon Technologies 和 ROHM。其中推进最激进的仍然是Wolfspeed。同时中国厂商如 山东天岳 和 天科合达 也在快速扩产。未来全球供需平衡最大的变量，很可能来自这些厂商的良率爬坡速度。 AI电力链条可能正在孕育另一个潜在瓶颈：高品质200mm SiC衬底。 未来最有可能发生的情况不是买不到SiC器件，而是可以买到器件，却买不到足够多、足够便宜、良率足够高的200mm SiC衬底做出来的器件。当市场仍然把SiC视为普通商品时，AI数据中心或许已经成为下一轮需求爆发真正的起点。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议，dyor

AI数据中心确实缺电 但是我也想明白了 就是电力公司本质上没什么龙头的 而且美国很多电力公司都是政治股 每一个州的政策和区域划分很强 投资英伟达 和它的产业链比如存储 是投资垄断逻辑 电力是无法被垄断的 垄断的也不会上市的 比如国家电网是无法上市的 只有它产业链的 这群可替代的小弟可以上市 兄弟们买的就是这群小弟 赚不到大钱的 他们买的赚钱的 都是英伟达产业链里面的电设备 不是电力、发电厂 核电也许可以买 因为有可能也有垄断效应和稀缺性 但是我也想明白了 不存在什么所谓的电力龙头的

把数据中心搬进太空。 马斯克说这事比大家想的容易得多。 SpaceX 现在已经有一万颗卫星在天上。 等星舰接管发射，他们每年要往天上打超过一万颗通信卫星。 每年的新增量，直接超越过去十几年的全部存量。 新一代卫星的单体能力远超现在。 整个太空的通信容量会直接膨胀 10 到 100 倍。 但这仅仅是前菜。 他抛出了一个核心概念：AI 卫星。 相比未来部署在太空的 AI 卫星总吨位，前面这些庞大的通信网络根本不值一提。 当地面的巨头们还在为数据中心的电网容量焦虑时。 下一代算力基础设施，已经准备往低地球轨道上铺设了。

AI数据中心电力上的关键环节：800VHDC，今天在这里 Ultra平台上得到大规模采用。其实800VHDC并不是全新概念，自从英伟达去年说要推直流供电架构后，市场对此的关注度其实挺高的，这个板块的相关的标的已经炒过一博预期了。但实际上800V直流电在下半年才真正大规模采用，值得关注。聊下几方面的问题： 1、800V HVDC架构是什么？ 传统高密度AI rack的路径大致是：电网中压AC → 变压器/UPS/PDU → 415/480VAC到机架 → 机架内PSU转54VDC/12VDC → GPU核心电压。 达子的800VDC愿景则是：在数据中心边界/电力室把中压AC集中转换成800VDC，用800V DC busway送到IT rack，再在靠近GPU的位置用高比率DC/DC转换。NVIDIA称，54V架构在200kW以上开始撞上物理限制；1MW rack如果继续用54V，单rack铜排最高可能需要约200kg铜，而800V架构通过减少电流、减少转换级数、减少机架内PSU，目标是提升效率、降低铜耗、释放机架空间。 它不是简单的电压升级，也不是“发明了直流供电”，而是AI数据中心供电架构的一次平台级切换，是对整个电力交付架构的系统性重构，旨在解决传统48V/54V机架电源的瓶颈（空间受限、铜缆过载、多级转换损耗高），支持单机架功率从数百kW跃升至1MW+，并为未来GW级AI工厂铺路。 2、800V HVDC的意义和革命性是什么？ 1）首先自然是效率和空间布局 效率提升：从电网到GPU的转换环节大幅减少，整体能效可提升从以前90%能大幅度提高到98.5%以上传输损耗显著降低，TCO（总拥有成本）降低可达30% 空间与密度优化：减少铜缆用量和电源单元体积，机架内计算空间利用率提升超80%，支持更高密度GPU集群 2）800V不是单一器件升级，而是生态重构：中央整流、800V DC busway、固态断路器、热插拔保护、sidecar/power rack、BBU/CBU、超容/电池储能、DC/DC、GaN/SiC、液冷都要协同。NVIDIA也明确说需要OCP等组织推动电压范围、连接器、安全标准。 如果大家有关注过新能源汽车产业链，应该有影响这两年国内电动车厂商都在推的“快充”基本上就是800V高压直流充电。现在达子正在把800VDC变成下一代AI rack标准化路线的一部分，所以一部分原来给新能源汽车充电产业链上的关键环节，又开始外溢到AI数据中心上了。 3、800V HVDC空间有多大？ 要看大背景，AI数据中心整体市场从2025年约3440亿美元增长至2032年超2万亿美元（CAGR 27.5%）。 功率基础设施将成为AI建设的核心瓶颈与增长点，NVIDIA的标准将加速 hyperscaler采用，带动固态变压器、GaN/SiC功率器件等子市场爆发。 2027年后，>300kW/rack、尤其是400kW-1MW rack的AI zones中，800VDC或类似HVDC架构渗透率快速提升。若未来新增AI容量中有30%-60%采用高压DC架构，并且每MW对应的核心800V电力链价值量在几十万到数百万美元区间，累计空间就会进入百亿美元到千亿美元级。 当然这个预测区间也很宽，因为真实取决于Kyber/Rubin Ultra出货节奏、超大云厂接受NVIDIA 800V的程度。 4、800V HVDC产业链构成 完全是英伟达参考设计主导资格认证，之前英伟达也公开列出的核心合作伙伴分为三类，竞争激烈，份额将取决于认证进度、量产能力和 hyperscaler合同。 1）硅片/功率半导体供应商（核心器件，如SiC/GaN MOSFET、控制器，用于高效转换）： 主要玩家：Texas Instruments（TI，已发布完整800V解决方案）、STMicroelectronics（ST，6-18kW功率板）、Infineon、ROHM（SiC器件）、Navitas（GaN/SiC）、Analog Devices、onsemi、Renesas、Innoscience、MPS、AOS、EPC等。 这些是NVIDIA“硅供应商”名单核心，TI/ST等已演示参考设 2）电源系统组件/模块供应商（电源架、Sidecar、DC-DC转换器等）： 主要玩家：Delta Electronics（与NVIDIA深度合作，发布800V解决方案）、Flex、LITEON、Megmeet、Lead Wealth、Bizlink等。 Delta等中国厂商优势明显，已有白皮书和技术落地；LITEON等股价因800V预期已经显著上涨。 3）数据中心电源系统/基础设施供应商（机架级配电、Sidecar、SST、母线等）： 主要玩家：Vertiv（Hopewind为其800V系统关键子供应商）、Schneider Electric（开发1.2MW Sidecar）、Eaton、ABB、GE Vernova、Siemens、Hitachi Energy、Mitsubishi Electric等。 这里面Vertiv、Schneider、Eaton等是传统强者。 个人角度看 1）Vertiv、IFFNY、Schneider、Eaton、Delta、ABB是最可能在早期800VDC相关收入中占到显著份额的几家公司； 2）LITEON、TI、ST、Infineon、onsemi是第二组确定性较强的受益者； 3）Navitas、Power Integrations、MPS、BizLink、Megmeet、Innoscience（英诺赛科）属于弹性更大但验证/量产/竞争风险也更高的一组。 个人角度当下比较看好的则是，当然这个还要动态迭代： nvts、IFNNY、英诺赛科、vicr 5、后续跟踪落地节奏的几个重要节点 1）NVIDIA Kyber / Rubin Ultra 2027节奏：是否明确把800VDC作为默认/主推rack电力架构，而且出货节奏也带动800V的落地节奏 2）OCP标准进展：800V连接器、安全、保护、PDB、BBU/CBU是否标准化。 3）看点电源管理系统组件，功率半导体供应商的点单披露，谁真正进入了进入backlog和量产socket；这个最关键决定了哪家供应商能吃到多大的份额 4）超大云厂路线：800V vs 400V/±400V vs 50V HPR是否分裂。决定了市场对800V hvdc的预期和想象空间。 5）单MW成本下降曲线：如果800VDC使每MW可部署GPU数量、能效和维护成本明显改善，它会从NVIDIA专用架构变成行业事实标准。

据吴说数据中心，截至 8 月 17 日，Sandisk（SNDK）股票永续合约未平仓量达到 17.3 亿美元，位列股票类标的首位，约为 SPCX（9.28 亿美元）的 1.86 倍、SKHX（4.93 亿美元）的 3.51 倍。SNDK 已成为加密市场中未平仓规模最大的股票类永续品种，其成交额也显著高于 MU 等多数存储类股票永续合约。 值得注意的是，多家为 SNDK 及其相关衍生品提供流动性的机构，也深度参与数字资产市场。Cboe 名录显示，Susquehanna（SIG）为 SNDK 期权的指定做市商，IMC 在 EDGX Options 担任相同角色；MIAX 文件显示，Citadel Securities 在 SNDK 相关杠杆 ETF 期权上线时获指定为首席做市商。 此外，Jane Street 于 8 月 5 日提交的 Schedule 13G 显示，截至 7 月 30 日，其对 Sandisk 的实益持股达到 740.94 万股，占总股本的 5.0%。作为全球最大的电子做市商之一，Jane Street 也是较早布局数字资产交易的传统金融机构。