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吴说获悉,据 ACDC #186# 会议纪要,Ethereum 开发者暂定于 10 月 6 日 13:53 UTC 在 Sepolia 测试网激活 Glamsterdam 升级,但目前仍未出现稳定的 Glamsterdam devnet。最新的 Devnet-9 尚无法正常完成最终确认,且此前 Devnet-8 发现共识层重大漏洞,执行层 EIP-8037 也发现需要各客户端更新的问题,因此开发者计划继续启动 Devnet-10。若 Devnet-10 仍不稳定,Sepolia 升级时间可能推迟。开发者暂未确定 Hoodi 测试网及主网升级日期,尽管仍希望在 12 月完成主网上线,但目前尚无迹象表明客户端实现已达到主网部署条件。
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热点聚焦(三大预测方向) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 🔥 方向一:能源板块冰火两重天 伊朗关闭霍尔木兹海峡的威胁令市场紧张,但美伊双方迅速建立了军事沟通机制,原油从上周五的$76.60回落至$75.23。XLE能源ETF上周五大跌1.65%至$53.77,10年期美债收益率升至4.48%。 逻辑:地缘风险短期推高油价,但Warsh鹰派立场让债券收益率上行,能源股估值承压。OPEC+增产预期vs伊朗地缘溢价,多空因素交织。 代表个股:$XLE ($53.77,52周低点63.46)、$EOG ($130支撑)、$SLB ($42支撑) 关注:本周 EIA 库存数据、伊朗局势动态 🔥 方向二:AI芯片板块反弹能否延续? 周五NVDA+2.95%、AMD+4.86%、AVGO+4.70%大幅反弹,XLK科技ETF涨3.04%。DeepSeek引发的AI板块回调似乎阶段性见底。MU将于本周公布财报,市场预期内存需求持续强劲。 逻辑:AMD从$452(6月10日低点)反弹至$537,两周涨19%;NVDA从$200支撑反弹至$210。但Warsh鹰派立场对科技股高估值形成压力,需警惕。Mu内存芯片需求旺盛,HBM供应紧张持续。 代表个股:$AMD ($537,RS强势)、$MU ($1134,本周财报)、$NVDA ($210,估值合理) 🔥 方向三:并购市场火爆,主题炒作延续 AbbVie 109亿收购Apogee(溢价52%)、CRH 85亿收购Arcosa,并购市场持续活跃。小盘股Fervo Energy(FRVO)财报EPS亏损超预期,股价承压。 逻辑:并购事件驱动型机会增多,大盘科技股高位震荡背景下,资金寻找主题炒作和事件驱动机会。WSB散户关注SPAC/IPO股票。 代表个股:$APGE ($90→$140+,AbbVie并购)、$ACDC ($6,小盘AI概念) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 三、恐慌指数和期权市场 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 【VIX分析】 • 当前VIX: 17.45(上周五从16.40小幅回升) • 解读: VIX从6月10日高点22.22持续回落至16-17区间,市场恐慌情绪基本消退。但周五回升显示短期谨慎。 • 关键位: 若VIX突破20将重现回调风险;低于15则涨势确立 【关键技术位】 • SPX: 7500心理关口,短期阻力7520(52周高点7620) • QQQ: 740成功企稳,下一阻力750(52周高点748.65,当前已突破!) 【本周重要数据与事件日历】 • 周三: Micron财报 (MU) • 周四: PCE通胀数据(美联储最关注指标) • 周五: 6月非农就业数据 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 四、散户关注热点股(≤6只) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 🐔 $ARM — 散户高度关注 关注焦点: AI基础设施核心资产,IPO以来强势 逻辑: ARM从6月5日低点$380反弹至$439(周五),涨幅15.6%。被归类为AI基础设施股票,软银持股故事持续。期权市场关注度高。 价值: 定价权强,RISC-V威胁被高估;移动端+服务器双增长 机构评价: 高盛、摩根大通看涨,目标价$500+ 估值: P/E 58x,处于科技股中等偏高水平 🐔 $AMD — 散户最热 关注焦点: AI芯片替代英伟达性价比之选 逻辑: AMD从$452低点强势反弹至$537(+19%),MI300X数据 center扩张受益。近期股价波动大,适合日内交易。 价值: CPU市场份额稳固,AI芯片MI系列追赶英伟达 机构评价: 分析师平均目标价$580,Jefferies唱多 估值: P/E 35x,相对NVDA折价明显 🐔 $PLTR — WS B热门 关注焦点: 政府AI数据平台,实战验证 逻辑: 从$134高点小回调至$128,特朗普政府国防支出预期受益。WSB讨论热度高。 价值: 政府AI合同护城河,商业模式从项目制转向产品化 机构评价: 摩根士丹利首次覆盖增持,目标价$145 估值: P/S 18x,高估值需要业绩验证 🐔 $MSTR — 比特币玩法 关注焦点: MicroStrategy比特币持仓策略 逻辑: MSTR从$123高点回落至$112,比特币本周承压(霍尔木兹+利率上行)拖累。溢价比特币敞口概念。 价值: 比特币现货ETF替代品,企业资产负债表做多 机构评价: 多为空头告警,警告溢价风险 估值: 相对资产净值溢价200%+,极高风险 🐔 $SMCI — 超微暴跌反弹 关注焦点: AI服务器超微,财报暴雷后反弹 逻辑: SMCI从$27.78低点反弹至$30.66(+10%),财报不及预期后超卖。短期技术反弹,但下行趋势未改。 价值: AI服务器供应商,但审计问题悬而未决 机构评价: 多家机构下调评级 估值: P/E 12x,低估值陷阱 🐔 $ACDC — 全球数据中心REIT 关注焦点: IPO后持续调整,小盘AI+能源概念 逻辑: ACDC从$7.55高点回落至$6.07(-20%),上市后散户概念炒作退潮。 价值: AI数据中心REIT,GPU-as-a-Service模式 机构评价: 新股,机构持仓有限 估值: 无基本面支撑,纯概念炒作
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Scaling Law的下一个:Power Scaling Blackwell之后,AI服务器进入Power Scaling阶段。单GPU持续提升功耗,Rack正从几十kW快速迈向100kW、200kW,未来甚至可能达到300-500kW。未来几年,Power的重要性将持续提升。 目前市场普遍预计,Vera Rubin继续采用高性能SiC Rectifier,Rubin Ultra则有望进一步演进至Solid State Transformer(SST)架构。SST尚未得到官方确认,但整个产业已经开始围绕MVDC、中压供电以及高密度Power Architecture进行布局。真正重要的不是Rectifier还是SST,而是两条路线最终都指向同一个底层技术——SiC。 Rectifier完成AC/DC转换,SST进一步集成变压、隔离、双向功率流以及数字控制,更接近整个供电系统的平台升级。随着Rack功率不断提升,铜耗、转换损失以及动态响应开始成为新的约束,SST正是围绕这些问题演进。 SiC的重要性是,无论最终采用Rectifier还是SST,高压、高频、高效率的功率开关几乎都离不开SiC。 相比传统硅器件,SiC拥有更低的导通损耗、更低的开关损耗、更高的耐压能力以及更高的工作频率。当供电电压进入800V以上、单机柜功率进入数百kW之后,这些优势开始持续放大。 GaN和SiC经常被放在一起讨论,但它们解决的是不同的问题。SiC商业化的主流器件是SiC MOSFET,GaN商业化的主流器件则是GaN HEMT。未来最有可能形成明确分工:中压、高压、大功率转换采用SiC,板级、高频DC/DC转换采用GaN。两条路线长期更可能协同发展。 SiC份额提升,也意味着传统硅功率器件开始重新定位。目前硅功率器件主要包括IGBT以及Super Junction MOSFET。IGBT适合极高电压、大电流场景,目前仍广泛应用于轨交、工业驱动以及风电。Super Junction MOSFET通过超结结构显著降低导通电阻,长期成为服务器电源和工业电源的主流方案。 几十kW服务器时代,Super Junction MOSFET已经足够优秀。数百kW AI Rack时代,高压、高频、高效率开始成为新的优化目标,SiC逐渐进入价值量最高的供电环节。 AI数据中心的SiC需求更多取决于算力需求、电力基础设施以及Hyperscaler CapEx。这意味着行业周期可能比过去单纯依靠汽车市场更加稳定。 如果这一趋势继续发展,受益的将不仅仅是SiC器件公司。目前全球主要供应商包括Infineon、ON Semiconductor、STMicro、ROHM以及Wolfspeed。除Wolfspeed之外,大多数都是IDM。同一座Fab通常同时生产Si MOSFET、IGBT、模拟芯片以及SiC器件。 另一个重点是制造端。SiC虽然需要外延、高温退火等特殊工艺,但大量设备仍然沿用成熟制程平台,包括光刻、刻蚀、薄膜、CMP以及测试。未来如果8英寸SiC进入持续扩产周期,受益范围将进一步扩展到成熟制程设备、SiC外延设备以及衬底供应商,而不仅仅局限于器件企业。 接下来,值得持续跟踪的领先包括:NVIDIA是否正式导入SST,Hyperscaler是否开始部署MVDC,Vertiv、Delta、Schneider、Eaton是否推出下一代AI供电架构,Infineon、ON、ST是否开始单独披露AI数据中心收入,全球8英寸SiC Fab是否进入新一轮资本开支周期。 这些信号比短期销量更加重要。
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周末行研---AI拉动的电力电子系统大基建里SiC、GaN 与硅MOSFET的份额浅析 AI数据中心疯狂建设推动的电网大升级,正在让另一个长期被低估的领域重新回到舞台中央:功率半导体。 电力系统核心在于高效地控制电流。而控制电流最核心的器件,就是MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)金属-氧化物-半导体场效应晶体管。 过去几十年,全球功率器件几乎都建立在硅MOSFET之上。硅便宜、成熟、产业链完整,因此长期统治整个行业。但随着AI服务器功率暴涨、EV进入800V时代、数据中心向高压化演进、高频电源需求提升,传统硅开始逐渐碰到物理极限。于是,SiC(碳化硅)与GaN(氮化镓)开始崛起。 SiC更像重工业路线。它的核心优势,在于高压与大功率。SiC拥有更高击穿电压、更强导热能力,在高压、高电流场景下效率明显优于传统硅IGBT。因此EV主驱逆变器、光伏逆变器、储能、工业高压驱动、电网、高压UPS这些领域,正在快速SiC化。尤其特斯拉推动的800V平台,本质上是整个SiC产业爆发的重要转折点。过去几年,新能源车一直是SiC最大的驱动力。Wolfspeed、onsemi、STMicroelectronics、Infineon Technologies、ROHM、Mitsubishi Electric等公司,都在这一轮周期中受益。 但SiC并不完美。相比GaN,它通常开关速度更慢、Qg更高、高频性能较弱,高频下磁性器件难进一步缩小。于是GaN走向了另一条路线。GaN真正强的地方,是高频。GaN拥有更低Qg、更低输出电容,以及几乎没有reverse recovery的问题,因此特别适合高频DC-DC、AI服务器供电、GPU VRM、手机快充、高频PSU、小型化电源。 AI可能是GaN真正的大周期。因为AI数据中心正在推动整个供电架构向高频化、高电流化、小型化、高效率演进。尤其48V架构之后,大量高频DC-DC开始成为核心瓶颈,而这正是GaN的甜点区。 传统服务器机架可能只有5-10kW,现在AI机架已经开始进入50kW、100kW,未来甚至可能接近MW级别。 AI数据中心正在从IT设施,逐渐变成“电力设施”。而从电网到GPU,中间需要经历大量电力转换:高压输电、变压器、UPS、PSU、AC/DC、DC/DC、VRM、GPU近端供电。每一次转换都会损失能量。当单个AI园区开始消耗GW级电力时,1%的效率提升,都可能对应巨大的经济价值。于是,功率半导体开始从配角变成核心瓶颈。 GaN因此开始大量进入AI服务器PSU、高频DC/DC、GPU VRM、电源模块。很多系统甚至开始出现“SiC + GaN”混搭。高压主干用SiC,高频末端用GaN。数据中心里,电网到数据中心的大功率高压部分,更适合SiC。服务器机架内部的高频供电,则更适合GaN。 未来整个功率半导体可能形成三层结构。低压低成本:硅MOSFET。高频高效率:GaN。高压大功率:SiC。 650V附近,是GaN与SiC正面竞争的区域。低于650V,GaN优势明显。高于650V,SiC优势越来越强。而650V附近,两边都能做。 同时,因为全球大量关键系统,都工作在400V~800V DC母线附近。 650V器件通常对应400V AC整流后、380V HVDC、48V架构上游、数据中心PSU、工业电源、光伏、OBC、AI服务器电源。 这是现代工业和数据中心最核心的电压区间之一。 于是竞争开始从单纯器件参数,变成系统成本、EMI、驱动复杂度、散热、良率、可靠性、客户验证、使用寿命、热循环、ppm失效率,以及长期供货能力。 这也是为什么功率半导体行业护城河极深。尤其SiC。SiC真正难的,不只是器件设计,而是晶圆生长、外延、缺陷控制、良率、高温可靠性。这些能力需要长期工艺积累。因此行业真正强势的玩家,往往都是十年以上沉淀出来的公司。不同公司的强项也不同。Wolfspeed强在材料。STM强在EV。Infineon强在模块与系统能力。onsemi强在汽车客户。Rohm强在可靠性。 GaN世界则还没有完全进入成熟阶段。目前Texas Instruments、Navitas Semiconductor、Infineon Technologies、Efficient Power Conversion都在不同方向推进GaN。其中TI可能长期被市场低估。因为真正的大客户最在意的,往往不是PPT参数,而是reliability、qualification和长期供货能力,而这些恰恰是TI最强的地方。 总的来说,AI正在提高整个系统里的“功率半导体含量”。未来AI基础设施的竞争,可能不只是算力竞争,还会是电力竞争、配电竞争、散热竞争、电源效率竞争。 过去半导体行业的核心是计算。未来十年,功率控制本身,可能会成为新的核心瓶颈之一。 免责声明:本人持有文章中提及资产,观点充满偏见,非投资建议,dyor
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