很荣幸在 Web3 香港嘉年华期间见到了 AVE Claw Hackathon 冠军 GANA LABS 与亚军 hodlo ai，为我们现场展示demo作品，都极具创意，一位是把加密交易融入了硬件游戏机@JubitIsJupiter ；一位是做了基于社群信息的跟单工具 @hodloai 也再次恭喜两支团队分别斩获5000美金和3000美金的奖金，我们未来一起 Build AVE Cloud 🤝

周末行研---AI拉动的电力电子系统大基建里SiC、GaN 与硅MOSFET的份额浅析 AI数据中心疯狂建设推动的电网大升级，正在让另一个长期被低估的领域重新回到舞台中央：功率半导体。 电力系统核心在于高效地控制电流。而控制电流最核心的器件，就是MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）金属-氧化物-半导体场效应晶体管。 过去几十年，全球功率器件几乎都建立在硅MOSFET之上。硅便宜、成熟、产业链完整，因此长期统治整个行业。但随着AI服务器功率暴涨、EV进入800V时代、数据中心向高压化演进、高频电源需求提升，传统硅开始逐渐碰到物理极限。于是，SiC（碳化硅）与GaN（氮化镓）开始崛起。 SiC更像重工业路线。它的核心优势，在于高压与大功率。SiC拥有更高击穿电压、更强导热能力，在高压、高电流场景下效率明显优于传统硅IGBT。因此EV主驱逆变器、光伏逆变器、储能、工业高压驱动、电网、高压UPS这些领域，正在快速SiC化。尤其特斯拉推动的800V平台，本质上是整个SiC产业爆发的重要转折点。过去几年，新能源车一直是SiC最大的驱动力。Wolfspeed、onsemi、STMicroelectronics、Infineon Technologies、ROHM、Mitsubishi Electric等公司，都在这一轮周期中受益。 但SiC并不完美。相比GaN，它通常开关速度更慢、Qg更高、高频性能较弱，高频下磁性器件难进一步缩小。于是GaN走向了另一条路线。GaN真正强的地方，是高频。GaN拥有更低Qg、更低输出电容，以及几乎没有reverse recovery的问题，因此特别适合高频DC-DC、AI服务器供电、GPU VRM、手机快充、高频PSU、小型化电源。 AI可能是GaN真正的大周期。因为AI数据中心正在推动整个供电架构向高频化、高电流化、小型化、高效率演进。尤其48V架构之后，大量高频DC-DC开始成为核心瓶颈，而这正是GaN的甜点区。 传统服务器机架可能只有5-10kW，现在AI机架已经开始进入50kW、100kW，未来甚至可能接近MW级别。 AI数据中心正在从IT设施，逐渐变成“电力设施”。而从电网到GPU，中间需要经历大量电力转换：高压输电、变压器、UPS、PSU、AC/DC、DC/DC、VRM、GPU近端供电。每一次转换都会损失能量。当单个AI园区开始消耗GW级电力时，1%的效率提升，都可能对应巨大的经济价值。于是，功率半导体开始从配角变成核心瓶颈。 GaN因此开始大量进入AI服务器PSU、高频DC/DC、GPU VRM、电源模块。很多系统甚至开始出现“SiC + GaN”混搭。高压主干用SiC，高频末端用GaN。数据中心里，电网到数据中心的大功率高压部分，更适合SiC。服务器机架内部的高频供电，则更适合GaN。 未来整个功率半导体可能形成三层结构。低压低成本：硅MOSFET。高频高效率：GaN。高压大功率：SiC。 650V附近，是GaN与SiC正面竞争的区域。低于650V，GaN优势明显。高于650V，SiC优势越来越强。而650V附近，两边都能做。 同时，因为全球大量关键系统，都工作在400V~800V DC母线附近。 650V器件通常对应400V AC整流后、380V HVDC、48V架构上游、数据中心PSU、工业电源、光伏、OBC、AI服务器电源。 这是现代工业和数据中心最核心的电压区间之一。 于是竞争开始从单纯器件参数，变成系统成本、EMI、驱动复杂度、散热、良率、可靠性、客户验证、使用寿命、热循环、ppm失效率，以及长期供货能力。 这也是为什么功率半导体行业护城河极深。尤其SiC。SiC真正难的，不只是器件设计，而是晶圆生长、外延、缺陷控制、良率、高温可靠性。这些能力需要长期工艺积累。因此行业真正强势的玩家，往往都是十年以上沉淀出来的公司。不同公司的强项也不同。Wolfspeed强在材料。STM强在EV。Infineon强在模块与系统能力。onsemi强在汽车客户。Rohm强在可靠性。 GaN世界则还没有完全进入成熟阶段。目前Texas Instruments、Navitas Semiconductor、Infineon Technologies、Efficient Power Conversion都在不同方向推进GaN。其中TI可能长期被市场低估。因为真正的大客户最在意的，往往不是PPT参数，而是reliability、qualification和长期供货能力，而这些恰恰是TI最强的地方。 总的来说，AI正在提高整个系统里的“功率半导体含量”。未来AI基础设施的竞争，可能不只是算力竞争，还会是电力竞争、配电竞争、散热竞争、电源效率竞争。 过去半导体行业的核心是计算。未来十年，功率控制本身，可能会成为新的核心瓶颈之一。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议，dyor

🔥5月1日晚，2026赣超开幕式举行。开幕式上，现场观众齐诵《滕王阁诗》。 On the evening of May 1, the opening ceremony of the 2026 Ganchao took place at the Nanchang International Sports Center Stadium. During the ceremony, spectators on site recited Prince Teng's Pavilion in unison.

从Aixtron SE财报看InP激光设备产业发展 Aixtron财报呈现出典型的结构分裂：利润端承压而订单端加速。营收与盈利下滑主要来自SiC、GaN等传统功率器件周期尾部，这部分反映的是过去；而新增订单显著增长且集中在光电子方向，构成前瞻性信号。收入与订单的“剪刀差”，本质是产业从旧周期向AI光互连结构迁移的体现。 驱动这一变化的底层逻辑，是光进铜退，其中核心是基于磷化铟光子技术的激光器。 光互连的本质不是发光，而是高速、可控、可耦合的相干光。不同发光机制在这一点上形成分水岭。以MicroLED为代表的LED体系依赖自发辐射，受限于载流子寿命，其调制速度停留在GHz级，同时发光呈发散分布，耦合效率低，大量能量无法进入光纤或波导；而InP激光器基于受激辐射，在谐振腔内形成光子反馈，响应进入皮秒级，可实现数十GHz以上调制，同时具备高方向性与高耦合效率，在功耗约束下仍能支持高带宽传输。问题不在“能否发光”，而在“光是否可用”，在当前条件下，只有InP体系同时满足速度、效率与功率密度三项约束。 系统层面形成稳定分工：InP提供光源决定上限，硅光子技术负责调制与传输决定规模。这种架构在短期内不存在替代路径，产业链价值自然上移至激光器及其上游外延环节，而这一层的核心制造节点是MOCVD。 MOCVD本质是气相条件下生长半导体外延结构的精密系统。通过控制温度、气体流量与化学反应，在晶圆上沉积InP、GaAs等结构，这一过程直接决定激光器性能与良率。在CPO体系中，激光器是光的起点，而外延质量决定这个起点是否成立，没有这一环节，后续系统不存在。 真正的约束在其叠加结构。设备只是第一层，往上是工艺、材料、良率。 行业瓶颈是设备到位并不等于产能到位。 从设备下单到交付需要6–12个月，安装调试2–3个月，工艺爬坡通常还需6–18个月，一条产线从决策到稳定产出周期在12–24个月。这决定了其核心属性：不是不可扩产，而是典型慢变量，供给可以增加，但始终滞后需求。 当前供需已进入早期收紧阶段。 需求端因AI带宽需求与CPO推进而加速，外延与激光器产能逐步逼近上限；供给端仍沿既有节奏扩张，缺口已经出现。 外延厂接近满产，部分激光器型号开始紧张，设备厂订单明显上升但仍可控。 趋势上，需求更接近指数增长，而供给维持线性扩张，MOCVD行业常规扩产能力约10–20%，高景气可达20–30%，而激光器需求在CPO放量下可能达到2–3倍增长，这种错配不会瞬间爆发，但将在未来2–3年持续扩大。 这也决定了设备需求的非线性特征。早期设备订单温和跟随，一旦产能被压满，订单出现集中释放，随后随着产能释放再次回归平稳。驱动设备周期的核心变量不是终端出货，而是产能缺口。 设备厂内部亦存在结构性分工。Aixtron SE采用showerhead结构，强调气流均匀与工艺稳定，适合高一致性外延；Veeco Instruments采用TurboDisc结构，依赖高速旋转强化对流，更强调吞吐效率。 这种差异本质是精度与效率的取舍。在传统光模块阶段影响有限，而在CPO阶段，随着激光器数量上升、功耗约束收紧与阵列一致性要求提高，系统初期更偏向精度优先，使Aixtron优势更易体现；当需求进入放量阶段，Veeco在吞吐与成本上的优势会重新凸显，两者形成周期性分工。 下游客户如Lumentum Holdings与Coherent Corp通常维持双供应体系，以降低风险并维持议价能力，但设备与工艺深度绑定，一旦某条产品线确定设备体系，切换意味着重新爬坡良率与客户认证，成本极高，这种绑定关系本身构成行业壁垒。 从进入难度看，MOCVD属于多层壁垒叠加行业，技术复杂只是起点，更关键的是工艺积累与客户验证，新进入者通常需要1–3年才能进入主流供应链，因此行业将呈现分化：低端市场逐步内卷，高端InP与激光器领域维持寡头结构。 从产业链紧张程度看，当前约束依次集中在激光器、InP外延与工艺良率，其次才是MOCVD设备。设备厂提供的是产能工具，而上游真正稀缺的是将产能转化为稳定良率的能力，这两者在周期中的价值放大方式不同。只看设备容易低估周期，只看设备也容易错过定价权来源。 Aixtron在利润承压阶段仍完成低成本融资并将资金用于扩张与并购，反映出其对光电子需求长期趋势的判断，与订单结构变化一致，说明企业正在利用旧周期低谷为新一轮产业重构提前布局。整体来看，利润表反映过去，订单反映未来，这份财报本质上是AI基础设施向光互连迁移的早期验证信号。 最终结构可以压缩为三点：InP定义系统上限，硅光决定扩展路径，MOCVD控制供给节奏。真正的瓶颈不在单一设备，而在外延与良率能力，而MOCVD作为慢变量，会在需求加速时放大供需错配。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议，dyor

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