中国内存技术突破,引发全球芯片股抛售!真正的竞争可能才刚开始
本周全球内存市场最值得关注的变化之一,是中国长鑫存储CXMT的技术进展。
市场担心,中国内存制造商未来可能凭借新的存储架构,进一步缩小与国际厂商之间的技术差距。
这一消息让 $MU、 $SKHY,以及三星电子等内存企业面临新的估值压力。
但这里有一个非常重要的产业逻辑:
存储芯片市场不是一个完全同质化的市场。
普通DDR内存、服务器DRAM和HBM虽然都属于存储产业,但技术难度、封装要求、客户认证周期以及利润结构存在明显差异。
中国厂商在普通DRAM领域取得进展,可能首先影响传统内存产品的竞争格局。
而HBM市场还需要考虑先进封装、堆叠技术、良率、带宽、功耗和AI加速器厂商认证。
因此,市场真正应该关注的,不只是中国企业宣布了什么技术突破,而是这些技术何时能够形成具有成本竞争力的大规模产能。
另一方面,竞争加剧也可能促使国际厂商进一步将资本和产能转向更高附加值的HBM产品。
未来内存行业可能出现一个有趣的局面:
传统DRAM竞争更加激烈,但先进HBM仍然受到AI需求与技术门槛支撑。
对于投资者来说,决定内存股长期价值的,不只是市场份额,而是未来每一单位产能能够创造多少利润。
你认为中国内存企业的扩产能力,会在未来两年改变全球内存定价权吗?
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