【マイクロン $MU 技術ウェビナーの重要ポイント】
10月21日、マイクロンがDRAM・HBM・NANDの技術ロードマップを説明。
投資家として注目したいのは以下の点。
■ メモリ供給不足は今後少なくとも2年間続くとの見通し
経営陣は、需給が均衡する時期を現時点で見通せていないと説明
AIの普及に伴い、演算能力だけでなくメモリ容量・帯域幅の重要性が拡大
■HBMがDRAMの供給制約を強める
HBMでは通常のDDR5より多くのウェハー投入が必要
HBM3EではDDR5の約3倍
AI向け需要が増えるほど、従来型DRAMの供給余力にも影響(これ、結構重要かと)
■ 次世代技術ロードマップ
1δ DRAM:2027年後半に量産拡大開始
G11 NAND:2027年後半に量産拡大開始
HBM4は既に量産段階、HBM4Eも開発
3D DRAMへの移行も計画
■ 次世代HBMの新構想
プロセッサ上にメモリを直接積層するVertical(垂直) HBMを紹介
AI演算におけるデータ転送のボトルネック解消を目指す
なお、2年間の供給不足が確約されたわけではなく、AI投資や各社の増産動向は引き続き注視する必要がありますね。
出所:Micron Technology Webinar(10/21)、World Trade Securities
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