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【理研など、2µm固体レーザーによるEUV光の発生効率向上を確認 露光装置の省電力化へ前進】
回路線幅が数nm以下の最先端半導体は、波長13.5nmのEUV光を用いた露光装置によって製造されている。そのEUV光源には、波長10.6µmの大出力炭酸ガスレーザーにより、スズプラズマを生成する方式が用いられている。
しかし、1MWを超える消費電力の大きさが課題となっており、電気-光変換効率に優れた波長2µm固体レーザーへの置き換えが期待されている。このレーザーは、EUV露光装置が必要とする出力には達しておらず、レーザーエネルギーを低減しながら高いEUV光変換効率を実現する技術が求められていた。
そうした中、理化学研究所と宇都宮大学らでつくる国際共同研究グループが、2µm固体レーザーを用いたEUV光発生において「マルチレーザー照射法」を適用し、EUV光変換効率を2.6%から3.6%へと約40%向上させることに成功。
1本当たりのレーザーエネルギーを低減させつつ、複数のレーザーを同時にEUV光発生に使用することで、高いEUV光変換効率を実証したことを、8月25日に共同発表した。
出典：TECH+
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