Masa　半導体プロセス視点×半導体株(@semicon_eng1):【マイクロン $MU 技術ウェビナーの重要ポイント】 10月21日、マイクロンがDRAM・HBM・NANDの技術ロードマップを説明。投資家として注目したいのは以下の点。 ■ メモリ供給不足は今後少なくとも2年間続くとの見通し経営陣は、需給が均衡する時期を現時点で見通せていないと説明 AIの普及に伴い、演算能力だけでなくメモリ容量・帯域幅の重要性が拡大 ■HBMがDRAMの供給制約を強める HBMでは通常のDDR5より多くのウェハー投入が必要 HBM3EではDDR5の約3倍 AI向け需要が増えるほど、従来型DRAMの供給余力にも影響（これ、結構重要かと） ■ 次世代技術ロードマップ 1δ DRAM：2027年後半に量産拡大開始 G11 NAND：2027年後半に量産拡大開始 HBM4は既に量産段階、HBM4Eも開発 3D DRAMへの移行も計画 ■ 次世代HBMの新構想プロセッサ上にメモリを直接積層するVertical（垂直） HBMを紹介 AI演算におけるデータ転送のボトルネック解消を目指すなお、2年間の供給不足が確約されたわけではなく、AI投資や各社の増産動向は引き続き注視する必要がありますね。出所：Micron Technology Webinar（10/21）、World Trade Securities

Masa　半導体プロセス視点×半導体株

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2026.10.21 20:47

【マイクロン $MU 技術ウェビナーの重要ポイント】 10月21日、マイクロンがDRAM・HBM・NANDの技術ロードマップを説明。投資家として注目したいのは以下の点。 ■ メモリ供給不足は今後少なくとも2年間続くとの見通し経営陣は、需給が均衡する時期を現時点で見通せていないと説明 AIの普及に伴い、演算能力だけでなくメモリ容量・帯域幅の重要性が拡大 ■HBMがDRAMの供給制約を強める HBMでは通常のDDR5より多くのウェハー投入が必要 HBM3EではDDR5の約3倍 AI向け需要が増えるほど、従来型DRAMの供給余力にも影響（これ、結構重要かと） ■ 次世代技術ロードマップ 1δ DRAM：2027年後半に量産拡大開始 G11 NAND：2027年後半に量産拡大開始 HBM4は既に量産段階、HBM4Eも開発 3D DRAMへの移行も計画 ■ 次世代HBMの新構想プロセッサ上にメモリを直接積層するVertical（垂直） HBMを紹介 AI演算におけるデータ転送のボトルネック解消を目指すなお、2年間の供給不足が確約されたわけではなく、AI投資や各社の増産動向は引き続き注視する必要がありますね。出所：Micron Technology Webinar（10/21）、World Trade Securities

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