上头资本(@sixpanny159920):早上研究了一下，如果基于政治经济学的原因，sk海力士/三星不得已加速均产(包括MU），那上游弹性最大且确定最强的铲子环节是刻蚀+沉积设备龙头LRCX。它的核心逻辑在于HBM DRAM die尺寸膨胀带来的工艺步骤数倍增长，同样bit数，HBM die比标准DDR大得多，比如AMAT管理层在电话会纪要中表明HBM DRAM需要3-4倍的某些工艺步骤，在加上TSV钻孔、wafer thinning、堆叠，这些全部落在刻蚀+沉积环节，是增量最大的部分。此外，更狠的是生产1bit HBM消耗的wafer产能是标准DRAM的3倍左右，这等于同样产能扩张，设备采购强度被非进一步放大。 LRCX坐拥刻蚀和沉积两大细分领域，成为巨头扩产下最高确定性的公司。刻蚀是HBM TSV和3D NAND堆叠的核心工艺，层数越多刻蚀步骤越多，LRCX在导体刻蚀领域近乎寡头垄断。沉积设备，则是LRCX与AMAT双寡头垄断格局。当然，市场其实已经提前price in这一点，我们明显可以看到最近半个月，包含LRCX和AMAT在内的美股半导体四大设备龙头股价走强创新高，对比光互联强了一截。 $LRCX $AMAT $KLAC $ASML

2026.06.27 01:34

早上研究了一下，如果基于政治经济学的原因，sk海力士/三星不得已加速均产(包括MU），那上游弹性最大且确定最强的铲子环节是刻蚀+沉积设备龙头LRCX。它的核心逻辑在于HBM DRAM die尺寸膨胀带来的工艺步骤数倍增长，同样bit数，HBM die比标准DDR大得多，比如AMAT管理层在电话会纪要中表明HBM DRAM需要3-4倍的某些工艺步骤，在加上TSV钻孔、wafer thinning、堆叠，这些全部落在刻蚀+沉积环节，是增量最大的部分。此外，更狠的是生产1bit HBM消耗的wafer产能是标准DRAM的3倍左右，这等于同样产能扩张，设备采购强度被非进一步放大。 LRCX坐拥刻蚀和沉积两大细分领域，成为巨头扩产下最高确定性的公司。刻蚀是HBM TSV和3D NAND堆叠的核心工艺，层数越多刻蚀步骤越多，LRCX在导体刻蚀领域近乎寡头垄断。沉积设备，则是LRCX与AMAT双寡头垄断格局。当然，市场其实已经提前price in这一点，我们明显可以看到最近半个月，包含LRCX和AMAT在内的美股半导体四大设备龙头股价走强创新高，对比光互联强了一截。 $LRCX $AMAT $KLAC $ASML

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