💡 Samsung Electronics 、NVIDIA のカスタムメモリ「NVHBM」で先行か | HBM4E 8段・17〜18Gbpsを開発中 $NVDA $MU $TSM $AMZN Samsung Electronics が NVIDIA $NVDA のカスタムHBM「NVHBM」供給で中核パートナーの座を先に押さえた、とソウル経済が8月28日に報じた。 同社は NVIDIA の要求に合わせ、当初準備していた12段・16段ではなくHBM4E（第7世代）の8段品を開発している。提示された動作速度は17〜18Gbpsで、初期HBM4Eサンプルの14.4Gbpsを2割上回る。積層高さを3分の1削り、その分を速度に振り替える構成になる。 NVHBMは NVIDIA が現地時間8月26日、NVLink Fusion の拡張として公開した独自規格である。従来はXPU側の演算ダイに載っていたメモリコントローラをHBMスタック内部へ移す設計で、標準HBM4E比で帯域が最大30%向上、HBM消費電力が最大15%低下、演算ダイ側で使える面積が最大25%増える。JEDEC規格比でPHYと周辺回路の面積は最大67%削減され、インターポーザ配線が簡素化されることでパッケージ全体では最大80%多くのシリコンを実装できるとする。NVIDIA 自身は製造せず、複数のメモリベンダーが供給できる標準実装を整える形を取り、第1号パートナーは Amazon $AMZN 傘下のAnnapurna Labsとなる。次世代Trainiumでの組み合わせが想定されている。 8段への回帰は、これまでのHBM競争の前提を反転させる。HBMは4段から8段、12段へと積み上げて容量を稼いできたが、段数が増えるほどDRAMダイを薄く削って精密に積む必要があり、後工程の難易度と歩留まり負担が跳ね上がる。8段は製造負荷が軽く、同じウェハ投入量からより多くのスタックを取り出せる。 Samsung と SK hynix は今年下期、NVIDIA 向けHBM4でも8段比率を引き上げる計画で、発熱管理と供給安定性が主因とされる。SK hynix のCEOは27日、米インディアナ州の先端パッケージ工場起工式後の会見で、メモリ不足が2030年末まで続くとの見方を示している。8段回帰は、この供給制約下でHBM搭載GPUの絶対数を確保するための現実解と読める。 代わりに NVIDIA は速度を取りにいく。NVHBMは2027年後半投入のRubin Ultra世代からの適用が有力とされ、同世代はスケールアップ領域を従来の72基から最大576基へ8倍に広げる。GPU単体のメモリ容量が減っても、より速いHBMを載せたGPUを数百基束ねて全体演算性能を積み上げる設計思想である。 Samsung のHBM4Eラインアップは8段32GB、16段64GBの構成で、16スタック実装なら8段採用時のパッケージ容量は512GB、当初示された1TBの半分に落ちる。一方、HBM4Eの2048ビット幅（16Gbpsで4.0TB/s）を前提に17〜18Gbpsを当てはめるとスタック帯域は4.4〜4.6TB/sとなり、NVIDIA が掲げる標準HBM4E比30%増とほぼ一致する。容量と帯域のトレードオフを、帯域側へ振り切った判断だ。 Samsung が優位に立つ理由は組織構造にある。NVHBMはDRAMだけでなくロジックベースのベースダイ設計と製造能力を要求する。Samsung はHBM4で1c DRAMと自社Foundry 4nmベースダイを組み合わせ、JEDEC標準8Gbpsを約46%上回る11.7Gbps（最大13Gbps）を安定確保した。対してSK hynix はHBM4E向けロジックダイにTSMC $TSM の3nm採用を検討し、Samsung は自社4nmで対応する構図にあり、Micron $MU も標準・カスタム双方のHBM4Eロジックダイ製造をTSMCに委ねている。高積層ではなく速度と開発回転数で勝負が決まる局面では、この一貫体制が効く。 最大の未確定要素は初適用世代である。NVIDIA 自身の発表はNVHBMを将来のGPUのメモリ基盤とするに留め、時期を明示していない。海外メディアの一部は2028年のFeynman世代を初適用先と見る一方、韓国側の報道はRubin Ultraを指す。 より本質的なのは主導権の移動である。ベースダイに載るコントローラが NVIDIA 設計になるということは、HBMの付加価値の一部が製造側から設計側へ移ることを意味する。Micron 経営陣は既に、設計と認証にかかる時間とコストを踏まえれば顧客が3社すべてと組むとは限らず、2社あるいは単独調達へ収斂し得ると指摘している。標準品の汎用化と特注品の囲い込みが同時に進み、供給者の交渉力は案件ごとに大きく振れる。 需要側の温度は依然高い。NVIDIA の2027年度第2四半期（7月26日締め）は売上高962億ドルで前年同期比106%増、データセンター部門は890億ドルで同117%増、第3四半期ガイダンスは1,058〜1,101億ドル、上位5社のハイパースケーラー設備投資は2026年の8,000億ドルから来年1兆3,000億ドルへ拡大する見通しが示された。この需要を前に、メモリ供給の物理的制約をどう回避するかという設計解がNVHBMであり、8段回帰である。積層数を競う段階から、速度と実装数を競う段階へ。AIメモリの評価軸が入れ替わる過程を注視したい。

🧩HBMの壁は段数から、GPUと話す数ミリ角の温度へ移った | SamsungもSK hynixも次に足すのは冷やす構造だ 005930.KS 000660.KS 8月23日にStanfordで開幕したHot Chips 2026は、初日をチュートリアルに充てている。その一枠がメモリで、Micron、Samsung、SK hynixが順に登壇した。SamsungとSK hynixが次の世代に足すと説明したのは、容量でも帯域でもない。同じ数ミリ角を冷やすためだけの構造だった。 その数ミリ角をダイ間PHYと呼ぶ。HBMの一番下に敷くベースダイの上にあり、積み上げたDRAMとGPUの間で信号をやり取りする回路のことだ。標準的なHBMではこのPHYがベースダイの中で最大のブロックになる、とSamsungは説明した。 Samsungが示した設計は、そこを縮める。従来のHBM PHYを先端ロジックで作るダイ間インターフェースへ置き換えると、面積が縮み、信号の通り道が短くなり、1ビットあたりのエネルギーが下がる。空いたシリコンはGPU側の面積へ回せる。メモリを売る会社が、計算する側の陣地を広げる提案をしている。 代償は同じ資料に書いてある。通り道を短くすればエネルギーは下がるが、小さくなったPHYへ同じ電力を詰めれば電力密度が上がり、そこがホットスポットになる。SamsungはsHBM4EからsHBM5へ向かう区間でI/O速度がおよそ倍になり、電力密度が0.5W/mm²から2.0W/mm²超へ上がる数字を置いた。面積を稼ぐ動きが、自分で熱を作っている。 その熱を運び出すのがHeat Path Blockだ。ベースダイのダイ間PHYに専用の熱の通り道を作る構造で、PHYの被覆率を5割超まで上げるとピーク温度が35%超下がるという。Samsungはこれを現在HBM4Eで検証しており、採用はHBM5世代からと置いている。 SK hynixが同じ日に説明したi-HBMも、置く場所は同じだ。熱が最も集中するダイ間PHYの領域へ、電気を通さず熱をよく通すシリコン系の部材を直接埋め込み、コアダイ越しに逃がす従来の経路とは別の放熱路を作る。熱抵抗の低減幅は30%。搭載はHBM5を含む次世代からになる。名前も構造も違うが、狙う一点と入れる世代は同じだ。 段数の議論は、この熱の議論に吸収されつつある。SK hynixのHBM4は48GBで、12段が量産、16段が認定中だ。HBM3Eで16段を組んだとき、同社は同じ高さの枠に2段を足すため、チップの厚みも隙間も接合部の間隔もおおむね半分にした。20段以上へ向かえば熱管理が拘束条件になる、と講演では言い切っている。同じ枠で先に話したMicronは、演算性能が2年で3倍伸びる一方でHBMの帯域は2倍に届かないと示し、その差を埋める作業がいま熱と実装の問題になっていると並べた。 この二社の損益は、いまメモリが決めている。SamsungのQ2連結営業利益は89.5兆ウォン、そのうち89.2兆ウォンが半導体のDS部門から出た。SK hynixは同じ四半期に売上79兆3,187億ウォン、営業利益60兆5,426億ウォンで、営業利益率76%。段数を伸ばせるかどうかは、この数字の続きにそのまま効いてくる。 HBMの優劣は、長いあいだ段数で語られてきた。次の世代でそれを決めるのは、GPUと話す数ミリ角が何度まで耐えるかになる。HBM5の仕様が並ぶとき、容量と帯域の下に熱の構造が載っているかを見ればいい。そこに書ける会社だけが、20段の話を続けられる。 🤘情報提供 Stock Slayer :

⚙️NVIDIAがHBM4の主力を12段から8段へ替えてほしいと頼んだ | 歩留まりが落ちるのはDRAMでなく積む工程だ 000660.KS 005930.KS NVIDIAが韓国の2社へ出したのは、増やしてくれという依頼ではなかった。 ZDNet Koreaが8月26日に伝えたところでは、SamsungとSK hynixは今年下半期、NVIDIA向けHBM4の出荷で8段品の比率を引き上げる。両社はここまで、次世代AIアクセラレータVera Rubin向けに12段品を供給してきた。量産出荷の開始はSamsungが1〜3月期、SK hynixが4〜6月期とみられている。すでに走っている供給への、途中変更だ。 > 最近NVIDIAから、HBM4の主力供給製品を12段から8段へ変更してほしいという要請があった。それに合わせて下半期の供給計画が修正されたと理解している > （メモリ半導体業界関係者） 段数はそのまま容量になる。HBMはDRAMを縦に積んだメモリで、12段は12枚重ねたという意味だ。Vera Rubinは1基あたりHBM4を288GB載せる。8つのスタックに分けるので1つが36GB、それが12段の姿だ。同じ8スタックを8段で組めば24GBずつ、合計は192GBに下がる。 ただし動いているのは比率で、8段が何割まで来るかはまだ決まっていない。もう一人の関係者は、8段への需要はもともと一部あったが下半期に増え、関連する素材・部品の発注にも影響が出た、と話している。 減らすほうへ動いた理由は、同紙の中で2つに分かれている。 一つは熱だ。HBM4はデータの通り道である入出力端子を前の世代の2倍、2,048本へ増やした。増えた分の発熱は個別のチップに留まらず、サーバーラック全体に乗る。 熱を逃がす構造そのものは用意されている。8月23日のHot Chips 2026に登壇したSK hynix Americaのパッケージ技術担当VP、Jaesik Leeは、5月に自社が公開した熱ブロックを詳しく説明したうえで、この構造はすでに設計に入ったHBM世代へは適用できないと断った。HBM4はもう設計を終えている。この熱ブロックで解く道は、この世代には残っていない。 もう一つが歩留まりで、今回の芯はこちらにある。 HBMはいま極度の供給難にある。そのうえHBM4は、性能と集積度を上げたぶん歩留まりを取りにくい。同紙が書いているのは、その落ち方の場所だ。HBMの中身であるDRAMコアダイの歩留まりは比較的速く引き上げられる。落ちるのは、それを12枚積み、接合し、パッケージする工程のほうだという。 良品が減っているのは、DRAMを作る工程ではない。積む工程だ。 積む工程がいちばん狭い場所なら、そこを通す数を増やす一番速い手段は、新しい棟でも新しい装置でもない。積む回数を減らすことだ。増えるのは通るスタックの数で、1本に載る容量のほうは減る。 段数を変えてほしいと言われた製品の重さも、数字で出ている。Samsungでメモリのグローバル営業・マーケティングを統括するJaejune Kimは、7月30日の決算説明会で、下半期はHBM売上に占めるHBM4の比率が60%をかなり上回ると述べた。下半期のHBM売上の主力が、今回の変更の対象にあたる。 いまVera Rubin向けに12段のHBM4を量産供給しているのが SK hynix 000660.KS と Samsung 005930.KS で、同紙が計画を伝えているのもこの2社に限られる。 業界側の受け止めは、それでも冷静だ。 > NVIDIAは最新のAIプラットフォームを設計するうえで発熱管理を最も重視している。個別チップのスペックを下方調整するというより、システム全体で最適な組み合わせを探す過程であり、市場全体の需要に大きな変動を起こすものではない > （半導体業界関係者） 同じ変更は、次の世代へもう入り始めている。HBM4の後継のHBM4Eも、当初の12段ではなく8段中心の出荷になる公算が高いという。HBM4EはNVIDIAのRubin Ultra向けの製品だ。 > 12段と16段のHBM4Eサンプルも議論されてはいるが、いまの顧客との議論を見ると、来年供給されるHBM4Eは8段が主力になる可能性が高い。ただしRubin UltraがHBM4EとHBM4のどちらを使うのかといった論点が残っており、業界全体の不確実性は高い > （メモリ半導体業界の高位関係者） 見るべきは来年のHBM4Eの段数だ。8段で出てくれば、段数は積み上がっていくものだという前提が2世代続けて止まる。12段や16段で出てくれば、止まったのはHBM4の1世代だけということになる。 そのどちらになるかを決めているのが、いまのところJEDECの規格書ではなく客の発注書のほうだ、という点は覚えておいていい。 🤘情報提供 Stock Slayer :

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