駿HaYaO(@QQ_Timmy):台積電宣布全球首顆搭載COUPE技術微環調變器（MRM）今年量產台積電在技術論壇宣布矽光子元年關鍵成果，推出搭載CPO解決方案的COUPE光引擎。全球首個200Gbps微環調變器（MRM）將於2026年進入量產，在優異製程控制下實現低於1E-08的位元誤差率。相較傳統銅線，基板上CPO可提升4倍功耗效率並減少90%延遲；未來導入中介層後，預計達到10倍功耗效率與95%延遲降低。台積電更規劃2026年後推進400Gbps調變器、多波長技術與多列光纖陣列，目標2030年實現4Tbps/mm頻寬密度，加速AI與高速運算應用。在非揮發性記憶體領域，台積電持續推進RRAM與MRAM。RRAM已從40/28/22奈米推進至12奈米，12nm版本已準備客戶設計定案，28/22nm通過車規Automotive Grade-1認證，12nm車規版預計2026年底推出。MRAM方面，22奈米已開始量產，16奈米準備客戶導入，12奈米版本開發中，預計2026年底就緒，提供高速讀寫、無限寫入壽命與非揮發性特性，滿足嵌入式系統、邊緣運算與汽車電子需求。顯示技術同樣亮眼，台積電推出業界首個FinFET高壓平台（N16HV），用於可折疊OLED與AR眼鏡。相較N28HV，N16HV閘極密度提升41%、高階手機功耗降低35%；用於近眼顯示背板時，晶片面積縮小40%、功耗再降20%，大幅提升輕薄化與能效表現。

2026.05.14 14:14

台積電宣布全球首顆搭載COUPE技術微環調變器（MRM）今年量產台積電在技術論壇宣布矽光子元年關鍵成果，推出搭載CPO解決方案的COUPE光引擎。全球首個200Gbps微環調變器（MRM）將於2026年進入量產，在優異製程控制下實現低於1E-08的位元誤差率。相較傳統銅線，基板上CPO可提升4倍功耗效率並減少90%延遲；未來導入中介層後，預計達到10倍功耗效率與95%延遲降低。台積電更規劃2026年後推進400Gbps調變器、多波長技術與多列光纖陣列，目標2030年實現4Tbps/mm頻寬密度，加速AI與高速運算應用。在非揮發性記憶體領域，台積電持續推進RRAM與MRAM。RRAM已從40/28/22奈米推進至12奈米，12nm版本已準備客戶設計定案，28/22nm通過車規Automotive Grade-1認證，12nm車規版預計2026年底推出。MRAM方面，22奈米已開始量產，16奈米準備客戶導入，12奈米版本開發中，預計2026年底就緒，提供高速讀寫、無限寫入壽命與非揮發性特性，滿足嵌入式系統、邊緣運算與汽車電子需求。顯示技術同樣亮眼，台積電推出業界首個FinFET高壓平台（N16HV），用於可折疊OLED與AR眼鏡。相較N28HV，N16HV閘極密度提升41%、高階手機功耗降低35%；用於近眼顯示背板時，晶片面積縮小40%、功耗再降20%，大幅提升輕薄化與能效表現。

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