駿HaYaO(@QQ_Timmy):「從6F²到3D DRAM，Lam Research：技術路徑分化不改設備需求擴張趨勢」 Lam Research CEO Tim Archer 財報電話會議（FY2027 Q1）上發言。內容： - 有大型記憶體廠商（美光）表示將優先延續 6F² 架構並直接邁向 3D DRAM，而非全力推進 4F²，市場因此有反應。 - Tim Archer 回應：無論技術路徑如何分化，刻蝕（etch）與沉積（deposition）的製程強度都會上升。 - 短期內，延續現有平面架構（圖案持續縮小）已帶動 Aether（乾式光阻）、Akara（導體刻蝕）等先進圖案化設備需求上升。 - 若產業直接從 6F² 跳向 3D DRAM（跳過或淡化 4F²），刻蝕與沉積強度會更快、更早上升，對Lam Research更為有利。 - 先前公司預估，DRAM 邁向 3D 時，每片晶圓可服務市場（SAM）約擴大 1.7 倍。 - 結論：記憶體廠商在 6F² 延伸、4F² 過渡或直接 3D 之間的路徑選擇，只影響強度提升的速度，不改變設備需求擴張的大方向。會議其他重點： - 9 月季營收約 82.2 億美元（創紀錄），非 GAAP 毛利率 52.4%，營業利益率首次超過 40%。 - 2026 年 WFE 展望中段約 1,500 億美元，2027 年初步看法超過 2,000 億美元。

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「從6F²到3D DRAM，Lam Research：技術路徑分化不改設備需求擴張趨勢」 Lam Research CEO Tim Archer 財報電話會議（FY2027 Q1）上發言。內容： - 有大型記憶體廠商（美光）表示將優先延續 6F² 架構並直接邁向 3D DRAM，而非全力推進 4F²，市場因此有反應。 - Tim Archer 回應：無論技術路徑如何分化，刻蝕（etch）與沉積（deposition）的製程強度都會上升。 - 短期內，延續現有平面架構（圖案持續縮小）已帶動 Aether（乾式光阻）、Akara（導體刻蝕）等先進圖案化設備需求上升。 - 若產業直接從 6F² 跳向 3D DRAM（跳過或淡化 4F²），刻蝕與沉積強度會更快、更早上升，對Lam Research更為有利。 - 先前公司預估，DRAM 邁向 3D 時，每片晶圓可服務市場（SAM）約擴大 1.7 倍。 - 結論：記憶體廠商在 6F² 延伸、4F² 過渡或直接 3D 之間的路徑選擇，只影響強度提升的速度，不改變設備需求擴張的大方向。會議其他重點： - 9 月季營收約 82.2 億美元（創紀錄），非 GAAP 毛利率 52.4%，營業利益率首次超過 40%。 - 2026 年 WFE 展望中段約 1,500 億美元，2027 年初步看法超過 2,000 億美元。 - 沉積與刻蝕強度提升是跨記憶體、邏輯與先進封裝的共同成長主軸。