朝鮮Biz報導：三星・SK海力士 SEDEX 2026 兩公司於10月14–16日首爾COEX「第28屆半導體大展（SEDEX 2026）」公開次世代AI記憶體技術，重點產品為第7代HBM4E。 HBM4E規格（兩家相近）* - 最高每腳位16Gbps（較HBM4提升20%以上） - 三星：最大頻寬3.6TB/s，12層容量48GB（較前代+30%以上），計畫擴至8層32GB、16層64GB - SK海力士：能源效率較HBM4改善20%以上 - 兩家均已向主要客戶（含NVIDIA）供應12層樣品，並推進量產／驗證 次世代架構差異化 三星： 推出zHBM（將記憶體垂直堆疊在運算裝置／GPU上方，縮短物理距離）、LPDDR-PIM、邊緣AI用zNAND-O SK海力士： 主推HBF（高頻寬快閃記憶體，結合HBM速度與NAND大容量），目標容量約為同代HBM的10倍，並開發3D堆疊DRAM（直接堆疊在GPU/NPU上） SK海力士安炫社長 預測AI基礎設施性能規模到2030年將較2026年成長約20倍，強調除標準HBM外，需透過客製化HBM、3D堆疊DRAM、HBF等新階層解決資料移動瓶頸。 競爭範圍擴大 從單純提升HBM速度／容量，延伸至邏輯設計、Base Die客製化、先進封裝（三星展示2.3D/3D Cube等）與整體記憶體階層優化。 業界認為zHBM與HBF仍屬開發／構想階段，商用化時點與客戶採用將決定後續競爭力。