长鑫存储扩产的设备供应链全景 长鑫现在合肥两座、北京一座，三座12英寸厂。合肥一厂11万片月产能，二厂8万片，北京厂7万片，加起来接近30万片，全部满产。两年涨了三倍，2024年初差不多10万片，2025年底冲到28到30万，2026年目标稳在30万。按晶圆片数算全球DRAM占比已经接近15%，但按销售额算只有3.97%，片数堆上来了，单价还在追赶。 工艺端，G4在16纳米已经量产，DDR5良率从2024年底的80%升到现在的90%区间。G5对应15纳米，2026年底量产。HBM2去年下半年就上了，比外界预期提前两年，主要供华为昇腾910。HBM3的前段晶圆产能主要在合肥和北京现有基地内部腾出来，目标月产6万片，约占30万片总产能的20%。后段的堆叠和封装由上海新建的HBM封测厂承接，2026年底投产。 产能还在继续扩。上海新厂分两期，Phase 1产能10万片，2027年初量产，Phase 2同样10万片，2028年初量产。加上现有的30万片，远期产能目标是奔着50万片以上去的。华为也在建一条10万片规模的产线，专门配合长鑫做昇腾系列所需的HBM3和LPDDR5X，2026年下半年开始全面量产。 IPO募资295亿，DRAM技术升级拿了130亿，量产线升级75亿，前瞻技术研发90亿。多家券商纪要提到其中约200亿会直接变成设备采购订单，叠加2024年712亿的存量Capex节奏，是国产设备厂未来两年最确定的基本盘。 长鑫正在进行的大规模扩产，设备采购需求非常可观。每个品类的国产化进展差异很大。 光刻是最大的对外依赖，国产化率连5%都不到。主力机器是ASML的NXT:1980Di，每小时出275片，覆盖到16纳米节点，目前还能正常采购。被荷兰管制的是NXT:2050i及以上，每小时295片，2023年9月起要许可证，2024年1月起对华许可基本停发。修正一个流传很广的说法，275到295片是1980Di到2050i的代际跳变，不是1980系列内部的迭代。长鑫往15纳米以下走，这道墙绕不开。上海微电子的28/14纳米DUV还在攻关，光刻这一环短期无解。 刻蚀占设备投资25到30%，是国产化最深的核心工艺。北方华创的ICP在长鑫产线上市占超过50%，中微的CCP介质刻蚀机做到50比1以上深宽比，专门用于HBM的TSV深硅通孔。但存储节点100比1深宽比的极端工艺，孔洞必须互相平行规整，任何偏差直接砸良率，Lam和东京电子在这个区间仍然是主力。 薄膜沉积占约25%，品类分得细。PECVD做绝缘层，PVD做金属互连，ALD做电容器的高k介电层。拓荆科技的PECVD已经批量进入长鑫DDR5和LPDDR5产线，北方华创的PVD覆盖铝铜溅射和氮化钛溅射。但DRAM电容器核心的高k ALD设备，应用材料和ASM的位置很难动，拓荆的ALD在验证爬坡中还没有大规模上量。整体看PECVD和PVD的国产化率高一些，ALD最低。 CMP只占设备投资5到7%。华海清科占国产CMP装备销售90%以上份额，12英寸Universal-300已经导入长鑫。新变量是中微4月29日刚过会的收购杭州众硅，6抛光盘架构是国际首创，效率比主流4盘方案高一截。国产CMP从单点供应正式进入双供。 清洗国产化率30到40%，盛美上海的SAPS/TEBO兆声波清洗覆盖FinFET和DRAM的16到19纳米制程。热处理40到50%，北方华创立式氧化炉打头，激光退火端莱普科技两年内国内市占从3%涨到16%，跟长鑫和长存共同开发匹配DRAM工艺的设备。这几个环节已经跑通了。 最薄弱的三个环节是量测检测、涂胶显影和离子注入。量检测国产化率个位数，KLA全球占51到54%，精测电子进了长鑫12英寸产线，中科飞测也在部分环节往里切，但高端光学检测和电子束检测差距仍然明显。涂胶显影国产化率仅4%，东京电子在大陆市占超过90%，芯源微是唯一量产替代，目前只在封装端站住了，前道关键层还进不去。离子注入同样个位数，万业凯世通累计交付40多台。弹性最大的三个环节，也是短期内最动不了的三个环节。 长存三期产线2026年一季度国产设备占比首次过50%，目标100%。长鑫设备国产化率已突破45%，但仍低于长存三期产线的水平。根源在工艺。DRAM的电容刻蚀和光刻精度对先进DUV的依赖远高于3D NAND。NAND可以靠堆层数绕过光刻瓶颈，DRAM要正面硬刚，结构性差异，跟意愿无关。 外部约束在收紧。4月22日美国众议院外交事务委员会投票通过了MATCH法案，路透社称之为"国会史上最大规模的半导体出口管制立法审议"。法案把长鑫、中芯国际、长江存储、华为、华虹一起列入covered facility，禁止ASML的DUV浸没式光刻机对长鑫出口，禁止盟国为既有设备提供维保，要求荷兰和日本在150天内对齐美方规则。主要推手是美光。一旦通过，NXT:1980Di这条最后的灰色通道就堵死了。长鑫本身还没进BIS实体清单，但设备进口其实早就在2022年10月那波18纳米以下DRAM工艺限制的笼子里。 45%的国产化率意味着长鑫在两条腿走路，海外设备保良率，国产设备保供应链安全。MATCH法案的压力反而在加速这个进程。长鑫每往国产设备多切一个百分点，对应的就是北方华创、中微、拓荆、华海清科、盛美这些公司实打实的订单增量。上海新厂分两期共20万片的增量产能，加上现有产线的持续技术升级，未来两到三年国产设备厂面对的是一个确定性极高的需求窗口。 从更长的时间尺度看，长鑫的扩产不只是一家公司的资本开支计划。它每走通一个工艺节点，整条12英寸国产设备平台就多一次被验证、被复用的机会。刻蚀和CMP已经证明了这条路径，薄膜沉积和清洗正在跟进，量测和涂胶显影是下一个要啃的硬骨头。这个验证循环一旦转起来，国产设备的竞争力会以远超线性的速度积累。

长鑫存储的材料与耗材供应链全景 昨天讲了长鑫的设备供应链，今天讲另一半的材料和耗材。这一块的国产化进度比设备端要快一截，但内部分化也更剧烈。长鑫2024年LPDDR系列占主营收入82.74%，材料消耗结构跟Mobile和AI需求节奏强相关。招股书披露2024年六大类原材料采购合计约114.7亿元（主要原材料采购金额121.9亿元），2025年上半年61.45亿元。六大品类结构是化学品37.29%、备件及其他约34.69%、光阻剂12.16%、硅片8.55%、气体5.10%、靶材2.21%。化学品从2022年的27.49%一路升到37.29%，已经超过备件成为第一大头，既来自DDR5迭代后湿法和ALD消耗量放大，也来自产能建设期备件采购前置完成后的镜像效应。按2026年Q1的业绩以及历史数据推测，全年材料采购规模冲到270亿以上是大概率。 一个品类一个品类看。 化学品占了近38%，是国产替代弹性最大的一格。湿电子化学品方面，晶瑞电材向长鑫供应高纯双氧水、硫酸、氨水、异丙醇、盐酸、硝酸、NMP等全品类，年出货量数千吨，核心产品已全面实现国产替代（晶瑞同时也是国内i线光刻胶龙头，见光阻剂段）。格林达是国内半导体显影液隐形冠军，国内唯一实现SEMI G5级TMAH显影液量产，已供应长鑫。江化微是国内湿电子化学品龙头，江阴本部产能9万吨/年，三大基地全部建成后总产能将超30万吨。CMP抛光液方面安集科技是绝对龙头，2024年抛光液营收15.5亿元，国内市占率约70%、全球约10-11%。CMP抛光垫方面鼎龙股份国内市占率超70%，在长江存储供应链中占主导地位，与长存共建联合实验室开展抛光垫底层技术攻关，CMP抛光垫2025年收入10.91亿元同比增长52.34%。ALD/CVD前驱体方面，雅克科技是国产龙头，已进合肥长鑫和长江存储。据产业链消息，安德科铭也值得关注，长鑫科技全资持股的长鑫芯聚2025年10月入股了这家公司，同时它本身就是长鑫的重要材料供应商，2024年自研High-K前驱体批量供货，2025年铜陵基地营收2.39亿元，形成210吨/年高纯前驱体产能，7款产品转量产。产业资本反向绑定材料厂的玩法在前道材料里很罕见，意味着高k前驱体已经被长鑫定性为战略环节亲自拉国产替代。化学品单价指数从2022年的100跌到2025上半年的77.90，过去三年累计跌22%。景气回升直接传导的是采购量而非单价，单价反弹要看上游化工大宗品走势，但量价叠加后化学品这一格的总采购额弹性最大。 备件及其他占近35%，是设备零部件耗材，包括反应腔体、石英件、密封圈、靶材辅件、传输部件等。单价跟着半导体大宗品价格剧烈波动，2024年单价指数升到156.53涨了56%，2025上半年骤降到97.29已经低于2022年水平。国产标的集中在石英件和密封件，菲利华是石英玻璃龙头，半导体级石英玻璃已用于多家头部晶圆厂。新莱应材在密封件和洁净管路国产替代上走得比较深。备件供应商集中度最高，2024年前五大供应商里有三家是备件供应商，合计占比超过19%。 光阻剂占12.16%，是材料端分层最严重的一格。i线光刻胶用于非关键层，晶瑞电材多年国内市占率第一，已批量供货长鑫，国产化率约10%。KrF已经跑通，晶瑞电材批量供合肥长鑫和中芯国际，彤程新材旗下科华微电子是国内唯一为本土8寸和12寸晶圆厂批量供应KrF的企业，上海新阳的KrF也实现批量销售。ArF还在爬坡，南大光电现有ArF光刻胶产能50吨/年，28纳米ArF已小批量供货（2025年销售额突破2千万元），14纳米浸没式良率达99.7%。市场流传的宁波500吨/年扩产项目公司称未实施，需谨慎对待。彤程新材的ArF/ArFi已开始批量供货。鼎龙股份的浸没式ArF获得了客户订单。上海新阳的ArF浸没式光刻胶也已取得销售订单。ArF国产化率从接近零开始破冰，已有少量供货，但离摆脱日本依赖还远。2025年日本对华光刻胶供应配额削减10-15%，年底部分日企暂停供货，倒逼效应明显。光刻胶的天花板跟光刻机一样硬，没有先进光刻机进入国内，先进光刻胶就没有真实的量产验证机会。国产ArF再好，也只能在长鑫这种被限制在DUV阶段的产线上跑。EUV光刻胶目前为零，上海新阳在开发但离量产很远。 硅片占比8.55%，是六大类里2025年下半年加仓最明显的一项。2025上半年占比一度跌到6.27%，全年回升到8.55%，反映下半年长鑫主动加大硅片备货，对应DRAM价格快速上涨之后产能爬坡和战略备库存的双重逻辑。国内主供是沪硅产业，2025年300mm硅片销量641.63万片，存储是其主要应用领域之一。立昂微12英寸硅片覆盖14纳米以上节点存储电路，进入部分存储客户供应链。海外端长鑫还在依赖信越、SUMCO、环球晶圆、Siltronic。对比长江存储已经大幅减少SUMCO采购转向国产，长鑫硅片国产化方向是定的，但完整切换还需要两到三年。 气体这一格要单独看。招股书披露的"气体"采购占5.10%，但有明确注释"气体不含大宗气体耗用"。也就是说5.10%只是工艺特气和电子特气，氮氢氧氩等大宗气体走的是另一条单独的供应通道。这条通道的国产化反而走得最彻底。广钢气体是长鑫最大的电子大宗气体供应商，双方签了15年长期供气协议，覆盖合肥和北京两座基地，2025上半年广钢在长鑫的采购占比40%到45%。15年长协在半导体材料端非常罕见，本身就是国产化已经走通的强信号。工艺特气这边，华特气体的光刻气国内市占率60%，全球四家通过ASML和Gigaphoton双重认证的企业之一。中船特气是国内电子特气第一、全球第九，2002年就突破了三氟化氮的国外垄断。金宏气体补充中端品类。气体单价指数从100跌到62.29，跌幅38%。单价跟上游工业气体成本走，但采购量跟着长鑫投片量走，量的弹性确定性最高。 靶材只占2.21%，但国产替代故事最完整。江丰电子覆盖铝、钛、钽、铜、钨全系列，钽/钛/铝靶已实现5纳米节点量产，部分产品进入3纳米工艺验证。有研新材旗下有研亿金是央企背景的第二供应商，稀土靶材全球市占超85%。这个环节国产化率已经在60%以上，对长鑫扩产的弹性主要体现在订单放量而不是国产突破。 掩模版是跟ArF光刻胶并列的另一个薄弱点。先进节点一套掩模版成本数百万美元，长鑫用的高端掩模版大概率仍由美国Photronics和日本Toppan、DNP供应，国产化率极低。 封测基本实现国产化。深科技旗下沛顿科技是长鑫最大的委外封测供应商，承接其超50%的封测需求，处理17纳米及以下先进制程。长电科技提供DRAM模组封装，通富微电配合开发HBM芯片样品。盛合晶微、华天科技也有布局。 HBM封装材料是新增量。招股书披露的原材料结构主要对应前道晶圆制造，HBM后段封装材料是2026到2027年才放量的新故事，对应长鑫上海HBM后段封装厂2026年底投产。华海诚科的颗粒状环氧塑封料（GMC）已通过客户验证处于送样阶段，芯片级底填胶已完成验证正在量产准备。联瑞新材配套供应HBM封装用GMC所需的球硅和Low α球铝。弹性最大但兑现要等长鑫上海后段厂投产。 招股书提及4F²等新型工艺架构是未来方向，业内公认对应VCAT垂直沟道访问晶体管路径。这意味着2027年以后的G6、G7工艺会带来新的材料需求，垂直沟道和堆叠结构对ALD前驱体、高深宽比刻蚀气体的依赖会进一步加深，雅克科技、安德科铭、华特气体这类公司的长期成长性会被进一步打开。 整体看材料端国产化进度领先设备端一个身位，但各品类差异很大。电子大宗气体（广钢主导超50%）、CMP抛光垫（鼎龙国内超70%）、靶材（江丰国内12寸超70%）已在50%以上。湿电子化学品和工艺特气在30-50%区间。前驱体尤其高k仍在20-30%。光刻胶和掩模版的国产化跟着光刻机天花板走，要等上游设备突破。HBM封装材料是2026到2027年才开始放量的新增量。基本面上可以满足量产需求，但顶层精细化学品和光刻胶仍依赖进口。 设备一次性资本开支属性强，材料是经常性采购。长鑫Q1单季营收508亿，2026年H1指引1100到1200亿，材料采购盘子冲到2026年270亿以上是大概率。这部分订单不需要等扩产完成，每多开一片晶圆就立刻转化成材料厂的收入。对广钢气体、安集科技、鼎龙股份、雅克科技、华特气体、江丰电子、格林达、晶瑞电材、沪硅产业这一批公司，长鑫扩产的传导比设备厂商更快，也更持续。

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行业深研：LSA--2nm的隐形分水岭 在先进制程不断逼近物理极限的过程中，“热”成为最核心的变量之一，一点点温度偏差都容易让良率不可接受。 LSA这种退火设备，在先进节点中，它的意义已经发生变化。 前道制造中，离子注入是不可绕开的步骤。它负责将掺杂原子打入硅中，定义器件电学特性，同时不可避免地破坏晶格结构。 退火的作用，是完成两件事：修复晶格、激活掺杂。传统路径是炉管或快速热退火（RTA），通过整体加热晶圆，让原子在高温下重新排列。但问题在于，这种加热是全局的，时间是秒级甚至更长，掺杂在被激活的同时发生扩散，结变宽、边界变钝。 在28nm、14nm时代，这种扩散仍然可以容忍。但进入7nm以下，尤其是从FinFET向GAA（Gate-All-Around）过渡之后，器件尺寸逼近物理极限，任何额外扩散都会直接侵蚀性能窗口。问题从“需要退火”变成“需要一种不带副作用的退火”。 LSA通过在纳秒到微秒级时间内对晶圆表面进行瞬时加热，温度可以高于传统退火，但因为持续时间极短，热扩散被压制在极浅范围内。随后快速冷却，掺杂被激活、晶格被修复，但位置几乎不发生迁移，从而形成极浅且陡峭的结。这直接对应更低漏电、更高开关速度以及更可控的电场分布。 放在器件结构演进中看：FinFET解决的是平面器件失效后的继续缩放问题；GAA通过四面包裹沟道提升栅控能力，使先进节点仍能前进一段；而未来的CFET（Complementary FET），则是在横向无法继续压缩之后，通过垂直堆叠来延续密度提升。在这一过程中，结构不断演进，但约束条件在收紧，而“热预算”逐渐成为最硬的边界。 GAA的核心变化是channel更薄、间距更小、结构更复杂，任何额外的热扩散都会直接改变器件的几何与电学特性。source/drain掺杂会向channel侵入，短沟道效应迅速恶化；nanosheet之间的间距与应力分布被扰动，电场控制能力下降；接触区域本身极小，轻微扩散就会带来显著电阻变化。在这一结构下，热扩散不再是性能损失，而是结构破坏。 这也是传统退火开始失效的原因。你仍然可以用它激活掺杂，但代价是把设计好的器件“热模糊”。最终得到的是一个可以导电但偏离设计窗口的晶体管。 LSA正好解决的是这个矛盾。它将“温度”和“时间”解耦：允许极高温度，但把作用时间压缩到扩散尚未来得及发生的尺度；同时通过线光束扫描，仅作用于表面区域，避免深层结构受热。 高温、极短时间与局部控制这三个条件，在现有热处理方案中几乎只在LSA上同时成立。因此，在FinFET时代，LSA更多是性能增强工具，而到了GAA，它的角色变成“结构可行性工具”。 随着节点进入3nm、2nm甚至更小，热处理不再是一个可以灵活调整的工艺步骤，而成为限制器件设计空间的核心变量。LSA的重要性也因此被重新定价，从“可选项”逐步向“默认配置”转变。 GAA仍将是未来5到8年的主线，但其边际收益正在递减。随着尺寸进入2nm及以下，问题开始转向材料与物理极限：沟道无法无限变薄，接触电阻快速上升，功耗不再按比例下降。行业的答案是转向三维结构，即CFET，将NMOS与PMOS垂直堆叠，在横向受限后向纵向要密度。 但CFET带来一个新的约束：热。GAA仍是单层结构，高温处理的容忍度较高；而在CFET中，任何一次高温工艺都有可能破坏已经完成的另一层结构。传统RTA这种“整片加热”的方式开始失效，因为其热扩散范围过大，无法实现层间隔离。 这使得LSA未来更加重要，其纳秒级时间尺度和纳米级加热深度，使其能够只处理单一层而不影响上下层器件。这种选择性热处理能力，是CFET工艺成立的基础。 这种变化也在重塑竞争格局。从设备层面看，LSA仍是一个多玩家市场，核心厂商包括Veeco Instruments Inc.、Applied Materials以及SCREEN Holdings。SCREEN依靠装机量与历史验证占据主流，Applied Materials凭借平台能力与客户绑定形成系统优势，而Veeco通过LSA在先进节点关键工艺中实现突破。 但真正的竞争不止于设备。第一层是设备厂之间的直接竞争；第二层是工艺路线竞争，即LSA与RTA等技术的取舍；第三层是系统级竞争，即谁能将设备、材料与工艺整合进完整流程。在GAA阶段，这种竞争更多体现在设备性能与参数能力上；而进入CFET阶段，竞争将转向与晶圆厂的深度协同，护城河从单一设备转向“设备+工艺+材料”的系统能力。 从客户导入情况看，Veeco已经完成最关键的一步，其LSA设备已进入头部先进逻辑厂，并在部分工艺中成为量产标准设备。这意味着技术已经通过最严格验证，并具备随产能扩张放量的潜力。但这种导入目前仍集中在局部工艺，而非全面主导。在存储领域，包括DRAM与HBM，LSA仍处于评估阶段，尚未进入大规模量产。 因此，LSA的竞争本质上是，谁能在温度控制、扫描均匀性、应力管理等细节上做得更好，谁就更有机会进入先进节点的标准工艺路径。 总的来说，从FinFET、GAA最后到CFET的演变中，LSA完成了从性能优化工具到结构实现基础的转变。下一阶段真正的瓶颈，不只是结构或对准精度，而是在多层堆叠前提下，是否能够完成掺杂激活与缺陷修复，同时不破坏其他层结构。这将决定先进制程的上限，也决定价值将集中在哪些环节。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议dyor

閒聊 Intel EMIB-T 封裝的 2H27 新款 Google TPU（Humufish）。以下根據我的產業調查： 【EMIB-T 90% 良率，該怎麼看？】 1. 基於 Intel 已經有穩定生產 EMIB 的經驗，開發中的 EMIB-T 技術驗證良率達到 90%，是很正向但也合理的訊號。 2. Intel 把 FCBGA 設定為 EMIB 生產（組裝）良率的比較標竿。目前業界 FCBGA 的生產良率約在 98% 以上。 3. 從良率角度，90%→98% 難度高於從開案 → 90%。此外，技術驗證良率與成品生產良率也是兩回事（特別是 Humufish 仍有規格未定案）。所以我雖正向看待 Intel 先進封裝長期發展，但中短期內仍會謹慎關注 Intel 如何面對這些挑戰。 【從 90% 到 98%，表面上才差個幾%，Google 會在意嗎？當然會】 1. Google 近期詢問過台積電，自行投片 Humufish 的 main compute die（由 Google 自行設計），與讓聯發科代為投片相較，成本可節省多少。 2. Google 與聯發科的合作一開始（8t）就是採 semi-COT 模式。聯發科的 mark-up 主要來自自行設計部分，所以 Google 是否親自投片 main compute die，不是聯發科獲利成長趨勢的觀察重點。 3. 但從 Google 連投片相關的 pass-through mark-up 都想看看能不能省，代表 Google 的成本控管態度，已從過去的好好先生，變成錙銖必較的精算者，原因在於要跟 Nvidia 直接競爭，所以具備成本優勢的 Google 當然會在意 EMIB-T 生產良率。順帶一提，台積電對 2026 年 5.5-reticle CoWoS 的生產良率目標，也是 98% 起跳。 【台積電的立場】 1. 我的理解是，台積電仍在評估 2H27 要分配多少先進製程產能給 Humufish，原因在於：(1) 仍想爭取後段封裝訂單（但目前看很難，這是 Google 有意為之的策略）、與 (2) 尚在評估後段 EMIB-T 實際產出，避免稀缺的先進製程資源被錯置。 2. 影響 Humufish 後段有效產出的關鍵，包括 EMIB-T 與載板，要追蹤這件事必須兩個一起看。 3. 在 Humufish semi-COT 方面，台積電也是傾向讓聯發科投片main compute die，除了兩家公司關係好外，關鍵是聯發科是台積電第三大先進製程客戶（2025年），若 TPU 訂單有變化，以聯發科的規模，較容易協助台積電做投片組合調整，扮演一個稱職的緩衝角色。

关于存储，和 Codex 搓了两天，最后我自己的结论有两个。 第一，AI 存储未来 2-3 年大概率仍偏紧。 原因很简单：需求更接近软件和 capex 驱动的指数过程，供给却受 wafer starts × bits per wafer × 良率 × 封装 这些物理约束。AI 爆发之后，需求是虚拟产品和算力扩张拉出来的，供给还是一个很重的制造业问题。 第二，这轮存储周期真正该盯的，不只是“谁最高端”，而是谁的利润增速最陡。 市场最容易盯着 HBM，因为逻辑最直白：GPU 出货 × 单 GPU HBM 容量。但如果把视角从“产品档次”切到“利润斜率”，结论会更反直觉。 HBM 需求主要是 GPU 的函数。 服务器 DRAM 是 GPU 数量 × CPU:GPU 比例 × 每服务器内存容量，所以 agentic AI 若把 CPU:GPU 从过去的 1:4/1:8 拉向 1:1，服务器 DRAM 的需求会被显著抬高。 企业级 SSD 更接近 token 结构 的函数，而不只是 token 总量的函数。普通短问答 token 大多停留在 HBM/DRAM，真正会拉动 eSSD 的，是那些“高传导 token”：RAG、长期记忆、KV cache offload、agent 日志、checkpoint、审计留存。随着 agent 增长，这类 token 占比会上升，所以 eSSD 的需求斜率可能比很多人直觉里更陡。 Nearline HDD 则是冷温数据沉淀、保留周期和多模态数据湖的函数。 再看供给。真正重要的不是名义产能，而是可销售有效产能。 HBM 卡在先进 DRAM wafer、TSV/stack、测试和 CoWoS； 服务器 DRAM 卡在 DRAM bit 供给本身还要被 HBM 挤出； 企业级 SSD 就算把认证、客户导入、firmware 这些软墙都拆掉，最后也还是要撞上 wafer starts × NAND bits per wafer 这个更硬的物理天花板。即便企业级 SSD 靠 product mix 往 datacenter 倾斜，供给极限抬到 45%-55%，如果需求按高传导 token 结构去跑，还是大概率追不上。 这也解释了为什么供需缺口未必是 HBM 最大。HBM 的需求最快，但它也是全产业链最优先扩产的产品，供给响应最集中；服务器 DRAM 同时吃到 AI 需求上升和 HBM 挤出两层影响；企业级 SSD 更反直觉，NAND bit 本身未必最紧，但一旦 token 结构向 agent、长上下文、KV offload 倾斜，eSSD 的需求斜率会比总 token 更陡，而供给仍受 NAND 的物理增长速度限制。 产品价格和利润增速也不能混为一谈。高端产品不等于高利润增速。HBM 即使毛利率高，如果涨价幅度有限；而低端或中端产品若因供给被抽走、价格暴涨，利润增速反而可能更猛。最新财报里，SNDK 的 non-GAAP gross margin 已经高于 Micron，这其实很反直觉，也说明这轮里 eSSD/NAND mix + 涨价 + 低基数修复，完全可能把 NAND 厂的单季利润弹性推到比 HBM 更夸张。 如果中国厂商未来更充分承接 consumer SSD / client SSD / DDR4 / 部分 DDR5/LPDDR，全球龙头当然可以把更多资源转去高端产品。短期看这是利多，但中期也可能削弱高端稀缺性，让高端产品的利润增速边际放缓。不过在这个情景下，企业级 SSD、服务器 DRAM、HBM 大概率仍然偏紧，只是紧的程度不同。 以最后排利润增速，不能按“谁做的产品最先进”来排，而要按“谁处在低基数、价格弹性大、且供给转移暂时还没把稀缺性抹平”来排。 如果看短期 1-4 个季度的利润斜率，我更倾向于：Sandisk > Micron > SK hynix > Samsung。 如果看 2-3 年的确定性和持续性：SK hynix ≈ Micron > Samsung > Sandisk 更稳。 HDD 里的 Seagate / Western Digital 仍是 AI 数据沉淀的稳定受益者，但更像慢牛，不是爆发型弹性标的。 一句话总结： 这轮存储周期最容易被低估的，不是 HBM 有多热，而是服务器 DRAM 和企业级 SSD 的利润斜率，可能比市场现在理解的更陡。

过去 2 小时跟踪了全网 316 条新闻消息，筛出 5 条关注的核心信号。美债 30 年期收益率重回 2007 年水位，黄金白银正经历一场惨烈的流动性抛售，市场已开始定价更高、更久的利率环境。 1. 美国 30 年期国债收益率飙升至 5.18%，触及 2007 年金融危机前夕高点。通胀担忧与财政赤字压力迫使投资者抛弃长债，现货黄金单日大跌超 2%，白银重挫 5%。流动性环境剧变，市场对 2026 年底前加息的计入概率已升至 62%。 $TSM $MSTR 2. 英特尔执行长陈立武称 AI 推理引爆 CPU 需求，客户出驳量拉高 3 倍，CPU 与 GPU 配置比向 1:1 演进。同时三星 HBM3E 核心芯片良率突破 92%。算力重心已扩散至推理端，IC 载板等上游环节出现预付款锁产能现象。 $TSM $07709.HK 3. 地缘冲突出现新摩擦，北约 F16 战斗机在爱沙尼亚领空击落一架无人机。美银调查显示 44% 投资者寄望海峡 6 月重开，但美伊谈判陷入僵局，美方启动新一轮制裁。原油价格站上 108 美元，物理供应中断的风险还没体现在股价里。 $FCX $CPER 4. AMD 执行长苏姿丰访问江苏，美资巨头在当前环境下仍寻求深化中国产能布局。中芯国际证实 AI 需求导致专用存储器产能极度紧缺，每季度特殊存储占比持续抬升。半导体自主化已渗透至存储与 EDA 等全产业链。 $688041.SH $688012.SH 5. 欧洲央行管委内格尔警告能源供应冲击具有持久性，欧央行正偏离基准情景。与此同时，中国华龙一号核电基地完成换料大修。在全球能源价格居高不下的背景下，核电作为数据中心零碳电力的支撑地位极其稳固。 $CEG $URA 今天的信号就这些。觉得有价值？转发扩散，让更多人看到真正重要的信息。

共產黨的輸出革命，主要原因仍在於生存，意識型態的理念驅使，只是小部份理由，證據之一，在1936年底的西安事變。智小謀大的張學良，從歐洲遊覽了一圈，泡了墨索里尼的女兒，見了希特勒的大將戈林，也去了莫斯科，想見史達林，想要拿蘇共的援助，助他打日本。史達林瞧不起他，不見。回到中國後，張學良被蔣介石派去剿匪，但反而把蔣騙去了西安，兵變抓了蔣。毛澤東彼時躲在寶安的山洞裡，聽到張學良用收音機傳來的密報，大喜過望，非殺了蔣介石不可。 史達林一收到蔣介石被抓的消息，立刻在莫斯科開會，最後決定不殺蔣，要共產國際通知毛澤東放人，放了蔣，要他承諾國共聯合抗日。史達林彼時還把蔣經國控在蘇聯當人質，他可以控制蔣，所以他不怕放了蔣介石。對史達林來說，蘇聯最大的夢魘是東西兩面開戰，德國和日本，才剛簽了反共同盟，這個惡夢真實得不得了。全世界那個時候只有蘇聯和蒙古兩個共產國家，這個反共聯盟，反的不是蘇聯，還能是別人嗎？史達林怕日本怕得要死，日俄戰爭一敗把羅曼諾夫王朝一舉打趴，教訓仍在。毛澤東像個阿斗，一天到晚只會要錢，不但不聽話，還把紅軍越打越小。如果讓毛殺了蔣，何應欽這個日本軍校出身的軍頭，變成了國民黨的領袖，那中國就會倒向日本，加入反共同盟。因此史達林決定，不但不殺蔣，還要讓蔣繼續領導中國。 每當讀到這段歷史，很難不讓人想像歷史可能的不同走向。如果蔣介石在西安事變死了，日本和中國同盟，這正是日本內部兩派路線鬥爭的其中一個可能，日本帝國的侵略目標會轉向北方，變成反共的先鋒，日本不會和美國對抗，珍珠港事變不會發生，日本帝國今日仍在，而共產黨永遠無法在中國取得勝利，那會是一個多麼不一樣的世界。 張學良想當英雄，結果連狗熊都不是。史達林的決定，讓毛跳腳，他還是要殺蔣，但周恩來腦子比較清楚，中共需要蘇共的援助，不能得罪史達林。於是周從延安到西安，向校長敬禮後，要張學良放了蔣。少帥以為自己是民族英雄，下大棋，但連他自己抓的俘虜都不能決定生死。張學良後悔後，發傻，像蔣賠罪，居然和蔣回南京，蔣不殺他，一直把他軟禁到死。張學良的一生毀於一個少爺的衝動，但他更毀了億萬中國人的人生。 史達林一個鄉下讀書人，意志強大，腦筋清楚，世界大勢的判斷極為準確，但可惜的是，「你能把一個孩子，從邪教裡救出來，但你無法把他腦子裡的邪教移走」，共產天堂就是他致力人生的目標，而共產主義對世人危害這麼大，正因為蘇共政權落入了史達林這個，托洛斯基稱為「了不起的平庸」的政治天才手裡。而在史達林之前，沒有一個真的社會主義國家，是史達林一手打造出來的社會主義制度，因此，所有的共產黨，全世界的社會主義政權，只有史達林一個範本可以抄看，所以只要讀懂史達林為生存的種種手段，就可以理解並預測所有共產黨的行為。

从供需失衡到范式转移：POET Technologies 暴涨 40% 背后的逻辑拆解 今天POET Technologies (POET) 股价单日飙升超过 40%，成交量显著放大。 这一走势是因为POET 宣布与 Lumilens 达成战略合作，协议包含 5000 万美元的初始订单，以及未来五年内超过 5 亿美元 的潜在采购意向。 POET 也向 Lumilens 授予了行权价为 $8.25 的认股权证。这种“客户变股东”的模式，极大增强了市场对 POET 互连技术（EOI）在 800G 和 1.6T 环境下稳定性的信心。 回看本月初，光芯片巨头 Lumentum (LITE) 在财报会上确认了当前 AI 算力基础设施的窘境： 高端 EML 激光器芯片已完全售罄，订单需求超出产能 30% 以上。 传统光模块依赖复杂的组装和对准工艺，扩产周期长，无法满足 GPU 互连需求的爆发式增长。 当“老大”和“老二”喂不饱市场时，资本开始疯狂寻找能接住这部分溢出需求的备选方案。 这完美体现了昨天@ShanghaoJin 老师space上说的“老二受益理论”： 在半导体领域，当主流供应链（如台积电或 Lumentum）出现严重瓶颈时，“次优选择”或“替代方案”往往能获得超额红利，如intc和poet。 POET 的优势在于其 光中介层 (Optical Interposer) 平台。不同于传统的“手工搭积木”式组装，POET 采用晶圆级制造技术。这种类似芯片制造的“半导体化”方案，在理论上具备更快的产能爬坡速度和更低的功耗，直接切中了当前 AI 数据中心对“规模化生产”的渴望。 此前，POET 曾因核心客户订单取消的传闻经历过一段低迷期。此次 Lumilens 的大额订单不仅填补了营收预期，更完成了两个层面的估值修复： 确定性修复：证明了其产品已通过 Tier-1 级别客户的技术验证。 天花板重构：从一家卖零件的小公司，转型为提供 AI 光子集成平台的基础设施玩家。 风险提示：POET 目前仍处于产能爬坡初期，其马来西亚工厂的良率能否支撑起 5 亿美元的交付，将是未来财报的核心考点。 总结： POET 今天的表现是 “供需极度失衡”+“技术方案备选”+“空头回补” 三者共振的结果。在 AI 算力竞赛进入白热化的当下，任何能缩短交付周期、提升生产效率的技术方案，都将持续获得市场的溢价关注。 声明：本文仅供研究参考，不构成投资建议。