Brevis 团队宣布推出 Pico Prism——目前最快的以太坊 zkVM 实时证明引擎，被 Vitalik 转发。 zk证明性能大幅提升：在 64 张 RTX 5090 的配置下，99.6%的区块验证可以在12秒内完成（12秒也是目前以太坊出块间隔），平均 6.9 秒，远超竞争对手。 @brevis_zk 拿到了 Polychain，YZI Labs 的投资，现在又获得Vitalik和以太坊基金会的背书，估计发币就是大满贯。 目前有做任务撸积分的活动，值得参与：

听闻字节全面收缩在 AI 应用层的投入，应用层聚焦到豆包，硬件层押注 PICO+ AI 硬件。 原因是：烧不起，以 2025 年的投入去烧 AI 应用，字节现金流撑不过 2027 年。 巧合的是，最近还听闻有几家 ARR 过亿美元的 AI 应用公司，开始在默默裁员，公司现金流压力非常大，很难持续。 还有一个偶然看到的新闻是，百万粉丝博主 Dan Koe 的创业产品 Eden，因烧钱太快，决定大幅裁员，产品停止迭代。 这一切都在揭示一个规律： 用互联网的思维去做 AI 产品创业，死路一条。因为 AI 产品没有规模效应，追求 DAU 等互联网时代的规模指标，会是有钱的 AI 产品存活不下去的主因。 没钱的 AI 产品创业公司，因为没钱可烧，无法追求规模，反而有机会看见真相。然后逐步赚取到真正的利润，有机会一步一步长大。 尊重经营，尊重时间。每个 AI 产品的创业者，可能都得重新审视这八个字。

恭喜 Brevis 登陆 币安 和 OKX，达成大满贯！也恭喜拿到空投的大家，大毛！ 技术上，Brevis 是目前首个在以太坊 L1 实现实时有效性证明的团队：Pico zkVM 在多 GPU 集群下可对当前区块 10 秒内完成证明，并显著降低硬件成本。这条路线也多次获得以太坊核心社区与 Vitalik 的公开认可。 并且，Brevis 是为数不多已经商业落地的zk应用，Uniswap v4，PankaceSwap，Euler 等项目已经在 Brevis 累计生成 3亿 zk证明，服务 20万+ 用户 空投今晚9点开始领，10点币安现货交易。

随处可见，社区接龙85人拼单购买 $piin  问一下？ 那些在社交媒体上高谈阔论底层文化的人，他们用几个流行的词汇，穿插几个潮流的 #meme，就误以为自己有底层文化属性了？# @PiCoreTeam #Piin ##PiNetwork ##PEGONetwork ##BRC20 ##PiKYC ##WeWantTheOpenMainnet ##Pi#

百虾大战…一年后爆雷[允悲] 1. 腾讯 WorkBuddy 2.腾讯 QClaw 3.腾讯龙虾管家 4.腾讯云保安 5.腾讯乐享知识库·龙虾版 6.字节ArkClaw 7.智谱AutoClaw 8.月之暗面Kimi Claw 9.阿里云CoPaw 10.阿里云JVSClaw 11.阿里云QoderWork 12.百度红手指 Operator 13.百度DuClaw 14. 科大讯飞 AstronClaw 15. MiniMax MaxClaw 16.网易有道LobsterAI 17.当贝Molili 18.智麻 ChatClaw 19.矽速PicoClaw 20.博云BocLaw 21. ZeroClaw 22.万得WindClaw 23.小米MiClaw 24.猎豹EasyClaw 25.猎豹元气AIBot 26.京东灵犀Claw 27.快手 KClaw 28.美图Claw 29.360安全Claw 30.商汤 SenseClaw 31.华为小艺Claw 32.ToDesk ToClaw

周末行研：EUV Mask Inspection --- EUV最难的问题之一 DUV时代的mask，更像“透明玻璃上的图案”。光穿过去，再投射到wafer上。很多问题集中在表面颗粒、划痕、断线等二维缺陷。 但EUV完全不同。13.5nm EUV会被绝大多数材料吸收，因此EUV mask变成了反射式结构。它本质上是由40~50层Mo/Si multilayer组成的纳米级布拉格反射镜。重要的是，EUV mask已经变成一套极其复杂的三维纳米光学系统。 这会导致问题集中在 buried defect（埋藏缺陷）。 例如某一层Mo/Si之间出现0.5nm级别的小隆起、空洞或颗粒，表面可能完全看不出来，但却会改变EUV光的相位与干涉行为，最终在wafer上形成CD偏移、图形变形甚至随机缺陷。 这类问题在DUV时代并不突出，但在EUV时代会直接影响良率。 很多缺陷在可见光下看不到，在DUV下也不明显，但到了13.5nm下却会变成灾难。因此最理想的方法，是用真正的13.5nm EUV去检测EUV mask，也就是所谓的 Actinic Inspection。但问题在于，Actinic Inspection本身几乎等于“再造一台小型EUV光刻机”。它同样需要EUV光源、超高真空、多层膜反射镜、极低振动、极高稳定性以及超高灵敏度探测器。 重要的是，inspection tool的要求很多时候甚至比曝光机更苛刻。因为曝光机追求的是稳定曝光，而inspection追求的是发现极微弱异常。尤其EUV时代大量缺陷已经变成 phase defect。很多缺陷并不一定有明显高度差，却会改变光的相位与干涉结果。这已经变成光学、相位、散射、干涉的综合问题。 与此同时，EUV mask本身还是典型的3D结构，会出现shadowing、absorber sidewall effect、3D scattering与angle dependency。同一个缺陷，在不同角度下，影响可能完全不同。重要的是，EUV inspection已经需要模拟完整的EUV成像行为。 缺陷会不会真正印到wafer上，也就是业内所谓的 Printable Defect Analysis，这背后需要 computational lithography、光学仿真、wafer correlation、AI defect classification 与 OPC补偿共同完成。 EUV光学系统在13.5nm波长下，传统透镜已经完全失效。EUV系统只能使用反射式光学。这意味着整个系统必须依赖超高精度的Mo/Si multilayer mirror。这些mirror已经接近原子级精度的纳米工程结构，其表面粗糙度甚至要求达到picometer级。在EUV波长下，哪怕0.05nm级别误差，都可能影响最终成像。 因此，检测系统的光学部分也长期高度依赖 Zeiss。 随着High-NA EUV、2nm、1.4nm、更高mask复杂度以及更严重的stochastic defect推进后，mask defect对良率的影响会指数级扩大。过去很多问题还能依靠OPC补偿、process window与冗余设计容忍，未来则越来越困难。 因此整个行业对actinic inspection、mask review、pellicle inspection以及printable defect analysis的需求都会快速增长。这也是为什么有euv检测能力的公司价值都可能会进一步增长的原因。 它们是EUV时代良率控制的核心基础设施。 本文非投资建议dyor