Navitas(Nasdaq: $NVTS)與 Magnachip(NYSE: $MX)於2026年7月23日宣布策略性合作,加速高電壓(HV)與超高電壓(UHV)碳化矽(SiC)技術採用。
根據協議,Magnachip 將授權使用 Navitas 的 GeneSiC™ 第四代與第五代 Trench-Assisted Planar(TAP)技術,涵蓋1200V、2300V、3300V及更高電壓產品。同時取得 Navitas 的 SiC 供應鏈與材料生態系統支援,並計畫將技術移植、驗證後,內部化於南韓晶圓廠生產,以加速進入市場。
合作目標應用包括能源與電網基礎設施、儲能、工業電氣化、汽車及其他高功率系統,初期聚焦韓國市場。雙方也表示,協議涵蓋 SiC 以外的更廣泛合作,細節將另行公布。
Navitas 執行長 Chris Allexandre 指出,此合作有助擴大 GeneSiC 在高電壓市場的普及,並建立長期協作。Magnachip 執行長 Chae Lee 則強調,GeneSiC 技術可補強其現有 MOSFET 與功率半導體產品線,提供更高效率、更高電壓與更可靠的解決方案。
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