小路第0904期 𝗧𝗼𝗽 𝟯 半导体/AI交易IDEA
日期:2026-09-04(美西时间)
1. 美光HBM月产能年底冲到约10万片,追赶三星和海力士
ETNews援引行业人士称,美光 Micron($MU)计划年内最多新增6万片/月HBM投入,去年约4万–5万片/月,年底总产能约10万片/月;12层HBM4占比拟从年初20%–30%提到约50%,对接NVIDIA Vera Rubin。Counterpoint二季度份额:SK海力士50%、三星32%、美光18%;韩厂各自约15万–20万片/月。设备PO已下到台湾铜锣、新加坡Woodlands等封装厂。
利好:美光 Micron($MU);三星电子 Samsung Electronics(KRX:005930)、SK海力士 SK hynix(KRX:000660)产能领先优势被削半,份额承压。HBM仍供不应求,三家都能卖货。
2. DeepSeek要16万颗以上华为芯片,训练暂时不用
Bloomberg:DeepSeek计划在内蒙古数据中心装至少16万颗华为 Huawei Ascend 950DT,先跑推理,训练仍用英伟达。HBM等存储短缺把华为今年950DT产量压在数十万颗量级,吃完这单可能要一年以上。内蒙古项目按规划会做成DeepSeek算力主阵地。
利好:华为(未上市);英伟达 NVIDIA($NVDA)训练端暂时没被换掉。HBM短缺继续托住存储厂出货。
3. 铠侠用CXL NAND模块去顶一部分DRAM
Nikkei:铠侠 Kioxia(TSE:285A)技术说明会给出面向AI负载的CXL NAND模块,读延迟可降到现有产品十分之一以下,接近DRAM;用它替换部分DRAM,容量可翻倍、性能约+30%。模块已在客户评测。
利好:铠侠 Kioxia(TSE:285A);对部分DRAM容量需求构成替代。
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利好列表:
· 美光 / Micron($MU)——年底HBM产能翻倍、HBM4占比提升,对接Vera Rubin
· 华为 / Huawei(未上市)——DeepSeek单笔超16万颗950DT意向订单
· 英伟达 / NVIDIA($NVDA)——DeepSeek训练仍用其芯片,未切到华为
· 铠侠 / Kioxia(TSE:285A)——CXL NAND模块切入AI近存,部分替代DRAM
利空列表:
· 三星电子 / Samsung Electronics(KRX:005930)——美光HBM产能追近,相对份额被压缩(与HBM短缺并存,风险来自份额而非需求)
· SK海力士 / SK hynix(KRX:000660)——同上,产能领先优势被削半(与HBM短缺并存,风险来自份额而非需求)
· 华为 / Huawei(未上市)——HBM短缺卡住950DT产量,16万颗订单一年内交不完(与利好并存,风险来自交付)
小路第0901期 · 𝗧𝗼𝗽 𝟳 半导体/AI交易IDEA · 2026-09-01
𝟭. 三星在SEMICON Taiwan亮出zHBM:把HBM直接叠到GPU上
三星(KRX: 005930)记忆体产品规划副总裁在台北给出CUBE路线图。HBM5目标比HBM4E性能约2倍、每瓦性能+20%、热阻-20%。更远的zHBM不再把HBM放GPU旁边,而是叠在处理器上方,目标性能最高约8倍、每瓦约3倍、热阻降75%到90%。公开时间表落在2028到2029,还是概念,不是即期出货。
利好:三星(KRX: 005930)、先进封装与3D堆叠设备材料商;若客户转向垂直堆叠,传统2.5D/ABF路径需求可能被改写,但时点还远。
𝟮. 韩国8月出口:Flash单价单月跳63.3%,PCB单价创2022年后新高
韩国8月出口数据显示,DRAM出口价环比+1.8%,Flash出口价环比+63.3%,PCB出口价超过2022年高点。官方口径是8月半导体出口466.5亿美元,同比+209%,连续三个月超400亿。Flash涨得比DRAM猛,说明涨价已从HBM/服务器DRAM扩散到NAND。
利好:三星(KRX: 005930)、SK海力士(KRX: 000660)、$MU;PCB厂如欣兴(TWSE: 3037)、南电(TWSE: 8046)。
𝟯. 联发科39亿美元可转债,英伟达认购35亿、Alphabet跟了4亿
联发科(TWSE: 2454)发行39亿美元海外可转债,$NVDA认购35亿,$GOOGL等拿剩余约4亿,转股价溢价约15%,稀释约1.7%。合作核心是NVLink Fusion,联发科给客户做能接入英伟达机柜的定制加速器,覆盖PC和车规。此前有报道说瓶颈不只是HBM,基板同样紧,这笔钱可能有一部分用来预付EMIB基板锁供应链。
利好:联发科(TWSE: 2454)、$NVDA、$TSM;基板与先进封装。
𝟰. 戴尔财报电话会把短缺名单拉得很长
戴尔($DELL)运营侧说约束没变:先是DRAM,再是NAND;CPU时有缺口,硬盘也缺;先进制程几乎都紧,成熟制程的MOSFET、电源IC、MCU、驱动同样紧;还要盯ABF基板、T-glass、光学、CDU和电源机柜。财报数字另一面是AI订单和积压仍在涨,缺的是料不是单。
利好:$MU、SK海力士(KRX: 000660)、三星(KRX: 005930);ABF/基板、电源与液冷相关标的;利空:$DELL出货节奏仍受零件卡位拖累。
𝟱. 长鑫小量产HBM3E,普通DRAM可能更紧
The Information称长鑫存储(CXMT)已小量产HBM3E,阿里平头哥、寒武纪在测,放量指向2027。良率仍低,跟三星、海力士、美光差约3到5年,现货冲击有限。推演是一旦HBM3E占晶圆,普通DRAM供给会更紧,也点名ASMPT(HKEX: 0522)向长鑫供TCB键合机。
利好:$MU、SK海力士(KRX: 000660)、三星(KRX: 005930)、ASMPT(HKEX: 0522);利空:长鑫若2027后站稳,三星/海力士在中国AI芯片配套份额可能受压。
𝟲. 郭明錤:Rubin CPX复活,改用HBM4
市场一度以为$NVDA的Rubin CPX已从路线图拿掉,最新核查是2027年一季度投产。新版接近Rubin算力,单卡最高2300W,容量从128GB GDDR7改成168GB HBM4(Rubin本体仍是288GB HBM4)。独立MGX机柜,建议跟Vera Rubin NVL72按1:1搭配,CPX做prefill、把KV cache经以太网RDMA交给Rubin做decode。prefill占当前推理负载一半以上,这等于又多一张HBM4订单。
利好:$NVDA、$MU、SK海力士(KRX: 000660)、三星(KRX: 005930);利空:原GDDR7版CPX对消费级显存的分流逻辑减弱。
𝟳. SEMICON投影片把800V直流电和SiC/GaN写成2027年AI机房骨架
SEMICON Taiwan投影片写:2027年800VDC AI数据中心起步,SiC与GaN成为电源骨干;三年内CPO成为主流;机房要么就地发电要么失败。这是产业推演,不是某家OEM的量产承诺,但被读成对氮化镓标的的催化,逻辑在高压转换,不在GPU本身。
利好:SiC/GaN功率器件如$ON、$STM、$NVTS;CPO光模块与相关设备。
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𝗨𝗽𝗱𝗮𝘁𝗲𝗱 利好清单
三星(KRX: 005930)——zHBM与HBM5路线图,韩国出口价上涨,CPX复活再加一层HBM4需求
SK海力士(KRX: 000660)——出口单价和戴尔缺货指向持续涨价,CPX改用HBM4
$MU——同样吃到DRAM/NAND涨价、戴尔点名缺货,加上CPX的HBM4增量
联发科(TWSE: 2454)——英伟达35亿可转债加NVLink Fusion定制加速器
$NVDA——入股联发科锁定制芯片入口,Rubin CPX复活并改用HBM4
$TSM——联发科定制加速器与基板扩产最终要经过其先进制程与封装
欣兴(TWSE: 3037)、南电(TWSE: 8046)——韩国PCB出口单价创新高
ASMPT(HKEX: 0522)——向长鑫供TCB,吃HBM键合设备
$DELL——AI订单和积压仍强,但同时被零件卡住(与利空并存)
$ON、$STM、$NVTS——800VDC/SiC/GaN被写成2027机房电源骨架
𝗨𝗽𝗱𝗮𝘁𝗲𝗱 利空清单
$DELL——出货仍受DRAM、NAND、ABF、光学、CDU等零件限制(与订单利好并存,风险来自供给)
三星(KRX: 005930)、SK海力士(KRX: 000660)——长鑫HBM3E若2027年在中国AI芯片上量,本土配套份额可能被切(与涨价利好并存)
传统2.5D/中介层路径——zHBM若落地,会减少HBM放GPU旁边的封装用量,时点还远,未点名单一公司
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