Semi-journal公式(@semi_journal_jp):【次世代エレクトロニクス材料300mm SiC単結晶基板の開発に成功】株式会社レゾナックは、次世代エレクトロニクス材料である炭化ケイ素（SiC）において、直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長および基板加工に成功した。 300mmは現在開発が進むSiC基板として世界最大級の口径であり、SiC基板およびSiCエピウェハーの大口径化と高品質化に向けた重要な技術的マイルストーンとなる。 SiCは、パワー半導体において、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体と比べて電力変換時の損失や発熱が少なく、省エネルギー化に寄与する材料として注目されている。また単結晶SiC材料は高い熱伝導率を有することから、AIサーバーやHPC（High Performance Computing）向け半導体の放熱基板や先端パッケージ基板への応用も注目されている。更に屈折率が高い特性などから、ARスマートグラス等への適用も期待。出典：ニコニコニュース

2026.09.15 21:36

【次世代エレクトロニクス材料300mm SiC単結晶基板の開発に成功】株式会社レゾナックは、次世代エレクトロニクス材料である炭化ケイ素（SiC）において、直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長および基板加工に成功した。 300mmは現在開発が進むSiC基板として世界最大級の口径であり、SiC基板およびSiCエピウェハーの大口径化と高品質化に向けた重要な技術的マイルストーンとなる。 SiCは、パワー半導体において、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体と比べて電力変換時の損失や発熱が少なく、省エネルギー化に寄与する材料として注目されている。また単結晶SiC材料は高い熱伝導率を有することから、AIサーバーやHPC（High Performance Computing）向け半導体の放熱基板や先端パッケージ基板への応用も注目されている。更に屈折率が高い特性などから、ARスマートグラス等への適用も期待。出典：ニコニコニュース

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