三星、SK海力士继续承压！10月19日，韩国股市再度走弱： 韩国KOSPI指数下跌1.49%，报5583.60点 SK海力士下跌2.52%，报124万韩元 三星电子下跌1.16%，报21.3万韩元 KOSDAQ指数下跌0.40% 上周韩股刚刚经历一轮惨烈抛售，三星电子一周暴跌17.8%，SK海力士更是暴跌24.3%，两家公司均创下2008年金融危机以来最大单周跌幅。

三星 × 台积电 × 英伟达 三星史上第一次：在 HBM 制造环节给台积电打下手。 首尔经济日报：英伟达要求三星、SK 海力士、美光三家 NVHBM 供应商统一用台积电 3nm做 base die，core die 统一 1c DRAM。NVHBM 把英伟达自研的 memory controller 塞进 base die，三家工艺一致才能降验证负担。 三星接受了，但留了一手：标准 HBM 照旧自家 turnkey，同时评估"台积电产能不够时自家 foundry 顶上"。 甲方一句话，顶级存储厂改工艺路线——这就是英伟达的议价权。

三星電子社長兼CTO宋在赫於半導體博覽會發言 三星確認開發4F²： 2026年10月14日，三星電子社長兼CTO宋在赫在SEDEX 2026現場確認，公司也在開發4F²技術，並表示「正在努力」，但未透露具體進度或量產時程。 4F²技術說明： 相較現行主流6F²結構，4F²可將DRAM單元面積縮減約三分之一，在相同晶片面積內容納更多單元，有助提升容量與成本競爭力。 CXMT引發市場關注： 中國長鑫存儲（CXMT）總裁曹堪宇日前宣布，已在4F²架構取得關鍵進展，並計畫於2026年底前推出採用該技術的伺服器DDR5 RDIMM產品。 韓廠早有布局： 三星與SK海力士早已投入4F²研發。SK海力士去年已公開4F² VG（Vertical Gate）平台及3D DRAM路線圖。 業界看法： 因無法取得EUV設備，CXMT選擇4F²作為突破路徑，但良率提升仍是重大挑戰；部分分析認為市場對中國追趕速度的擔憂有所誇大。

三星手机这块，四季度产能要砍到最多减三成 内存一年涨了175%，AI数据中心把料抢光了。华为小米也在跟涨转嫁。手机几乎没利润可赚，卖终端的在扛成本，钱都留在上游存储

三星Q3利润差不多是去年的9倍 刚出的初步业绩，营业利润107.4万亿韩元，一年前才12.17万亿，韩国公司第一次单季过百万亿。分部数字月底才出，但分析师估算光存储芯片就赚了将近110万亿。

三星三季度营业利润107.4万亿韩元，单季第一次破百万亿 比彭博预期略低，比LSEG预期略高，基本踩在中间 按彭博口径，营收少了3%多，利润只少1%，利润率反而比预期高：内存现在卖方说了算，AI要的内存只会越来越多

三星 HBM4 报价直接炸场！ 明年长协单 GB 报价接近 5 美元，对比现在 HBM3E 全球均价 1.5 美元，涨幅直接突破 300%。 规格上 HBM4 稳定速率 11.7GB/s，峰值冲到 13Gbps。TrendForce 预测明年 HBM 整体均价涨幅超 150%，和三星给出的报价基本对上，三星下半年在 HBM 赛道发力明显。 算力需求持续推高高带宽内存溢价，HBM 的涨价逻辑，本质还是 AI 算力军备竞赛下的供给紧张。

三星给明年HBM4的报价，每Gb在4美元中高段，HBM3E现在约1.5美元，居然翻了三倍多 年度合同已经开谈，美光也把供应偏紧的判断延到了2027到2028年 HBM占走产能，普通内存跟着紧，这周手机和DGX Spark涨价都在这条线上 手机涨价的账，得记在HBM头上

三星和谷歌同一天给手机涨价，谷歌Pixel 10a从499美元涨到599美元，三星S26全系涨100美元，Ultra的1TB版涨了200 上个月苹果iPhone Pro起步价也刚涨了100美元 三家背后是同一件事，内存和存储太贵了 内存涨价，居然真摊到每个人手机上了