電子級氫氟酸產業 1. 產業背景：電子級氫氟酸在晶圓製造中的角色 電子級氫氟酸是半導體晶圓製造過程中關鍵的濕式電子化學品，主要用於清洗與蝕刻兩大核心工序，是單位晶圓耗量最大的濕式電子化學品之一。 清洗環節：氫氟酸用於去除晶圓表面的自然氧化層、金屬離子污染及顆粒殘留。隨著製程從 28nm 向 7nm 及以下演進，清洗步驟數從約 100 步增加至 200 步以上。在 3nm 製程中，由於極紫外光刻（EUV）對光刻膠表面缺陷的敏感度更高，清洗步驟進一步增至 300 步以上。每一步清洗均需使用稀釋氫氟酸（DHF）或緩衝氧化蝕刻液（BOE）。單片 12 吋晶圓在先進製程廠的耗酸量較 28nm 廠高出約 2-3 倍。 蝕刻環節：氫氟酸用於二氧化矽及氮化矽的選擇性蝕刻。在 3D NAND 快閃記憶體中，隨著堆疊層數從 128 層向 176 層、232 層乃至 300 層以上邁進，高深寬比蝕刻（High Aspect Ratio etch，簡稱 HAR etch）的次數呈指數級增長。更高的堆疊層數意味著更深的溝槽與孔洞，對氫氟酸的純度、蝕刻速率及蝕刻選擇比提出更嚴格的要求。 AI 算力拉動方面：AI 訓練與推理晶片（如 H100、B200、MI300 系列）採用先進製程與大尺寸晶片設計，單片晶圓面積較通用邏輯晶片更大，等效耗酸量相應提升。隨著 AI 資料中心資本開支持續擴張，台積電、三星、英特爾等頭部晶圓廠的先進製程產能利用率維持高位，直接拉動濕式電子化學品的消耗量成長。 根據 SEMI 數據，2025 年全球半導體設備支出約 1255 億美元，中國區占比持續提升，晶圓廠擴產是濕式電子化學品需求成長的底層驅動。 2. 邊際變化：價格、供給與認證 2.1 價格端 根據百川盈孚數據，2026 年 6 月 29 日相較年初，UP 級（對應 G3-G4）電子級氫氟酸價格上漲約 19%，UPS 級（對應 G5）上漲約 17%。價格上漲來自兩端：成本端螢石、硫酸價格上行形成支撐；需求端晶圓廠擴產帶動耗酸量提升，而日系供應商擴產節奏緩慢，供需邊際趨緊。 2.2 供給端事件 據韓媒 The Elec 報導（2026.5.14），韓國半導體材料企業所需無水氫氟酸約 90% 從中國進口，2026 年 5 月以來出現高價搶貨現象。該事件雖未構成「斷供」，但反映出日系產能瓶頸下，中國已通過認證的 G5 級供應商在供給端地位的提升。 2.3 認證進展 中國企業中，多氟多 G5 級電子級氫氟酸已向台積電、三星電子、華虹半導體、長鑫存儲等主流晶圓廠批量供貨。 3. 產業格局：日系主導與中國國內突破 日系主導格局：高端電子級氫氟酸（G5 級及以上）長期由日本企業主導，Stella Chemifa 是全球少數具備 G6 級電子級氫氟酸量產能力的企業，森田化學在 G5 級市場佔據主要份額。兩家日系企業均無在華規模化產能，中國下游廠商的電子級氫氟酸採購依賴進口或貿易商轉口。 中國突破難點體現在三個面向： 一、純度控制：根據 SEMI G5/G6 標準，G5 級要求金屬離子含量低於 10ppt，G6 級進一步要求低於 1ppt，對原料選型、設備材質、潔淨環境的要求極為嚴苛。 二、設備材質：電子級氫氟酸具有強腐蝕性，儲罐、管道、泵閥等接觸部件需採用 PFA（全氟烷氧基樹脂）等高純氟材料，以防止金屬離子析出造成二次污染。 三、批次一致性：半導體廠要求批次間的金屬離子含量、顆粒度、蝕刻速率等指標波動控制在極小範圍內，認證週期通常為 12-24 個月，新進入者從送樣到批量供貨需要較長時間的工藝磨合。

【貝森特11日起訪日，討論匯率、稀土等問題】訪日期間計劃分別與日本首相高市早苗、財務相片山皋月、日本銀行總裁植田和男等人進行會談。應對投機性日元拋售將成為議題。還將討論稀土和能源採購等經濟安全保障問題…… 關 注

东京都品川区区长森泽恭子表示，鉴于人口急剧下降，让更多像川田这样的年轻母亲参与到公共生活中来对日本至关重要。 “作为社会，我们应该采取更多措施来支持育儿，”身为母亲的森泽说。“休假不应该成为新闻。”

京都府八幡市市长川田祥子将要成为日本史上首位在任内休产假的女市长，BBC驻东京记者森来实与她对话，听她讲述遭受了哪些批评。

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