Canon 推出新款 KrF 曝光機，每小時 400 片晶圓、疊對精度 4.0 奈米 Canon（7751.T）宣布，新款 KrF 半導體曝光機 FPA-6400ES6a 將在 2026 年 12 月初上市，可用在記憶體和邏輯元件製造。KrF 曝光波長為 248 奈米。 生成式 AI 帶動先進晶片需求，晶圓廠需要更高的生產效率。另一方面，晶片整合度提高後，曝光步驟變多、多層結構更普遍，晶圓翹曲和變形也更明顯。所以曝光機除了要處理更多晶圓，還要在更嚴苛的條件下維持圖案疊對精準。 FPA-6400ES6a 每小時可處理 400 片 300mm 晶圓，條件是每片 96 個曝光區。疊對精度 4.0 奈米，Canon 自家調查說這是 300mm KrF 機台裡業界最高。新的超高加速度載台縮短移動時間，搭配選配功能時，產能比 2012 年推出的前代 FPA-6300ES6a 明顯提升；新的抑振技術則支撐疊對表現。 這款機台還有選配的高對準光源（Hi-ALS），可依製程選擇對準量測波長。晶圓吸附能力也加強，最多可承受 700 微米的翹曲，更能處理 3D 元件多層結構和晶圓鍵合造成的變形。另外，它會把載台減速時產生的再生電力儲存起來重複使用，並搭配高效率電源，支援超高加速度載台。