TrendForce：排擠效應限縮顆粒供給帶動價格走揚，2025年DRAM模組廠營收年增達59% TrendForce指出，2025年全球DRAM模組市場營收達212億美元，年增59%，遠高於2024年的7%。主因是下半年價格大漲，加上模組廠集中出貨。 市場上下半年差異極大。上半年因關稅與DDR4停產（EOL），部分模組廠提前囤積DDR4庫存，並供應PC OEM提前拉貨。下半年北美與中國CSP為建置Agentic AI通用伺服器，大舉採購server DRAM，排擠PC與消費性顆粒供給，帶動整體DRAM價格上漲。出貨量與價格同步成長，下半年營收普遍明顯優於上半年。 各廠因市場定位與策略不同，增幅有別。多數廠商積極拓展工控與企業級伺服器產品，並在下半年將DDR5轉為主力。 前五大模組廠占整體營收77%，前九大占81%。 1. Kingston以62%市占，全年營收年增48%，靠規模與庫存優勢在下半年積極出貨通路。 2. ADATA，年增82%，低成本庫存與穩定貨源助其獲利放大，後續聚焦中低容量RDIMM。 3. Ramaxel，年增153%（增幅最高），深化PC OEM與CSP合作，並擴展國產顆粒RDIMM供應。 4. Kimtigo，年增20%，深耕中國內需與OEM。 5. Team Group，主攻北美DDR5通路。 6. Patriot Memory，年增89%，布局消費、電競、工控與邊緣運算。 7. Innodisk，年增132%，工控與Edge AI動能強。 8. Apacer，年增96%，提前確保工控料源。 9. AGI，年增26%，主打自有品牌與跨境電商。

TrendForce：受惠於北美市場需求持續上調，Enterprise SSD第四季價格預估將持續上行 TrendForce指出，近兩週美系雲端業者上調Enterprise SSD需求，因各大CSP加速擴大部署與應用場景。需求不只集中在高效能TLC，價格與容量更具效益的QLC成為主要成長動能。 從拉貨動能看，第四季Enterprise SSD訂單總量極可能突破第三季高點，持續向上。原廠在企業級市場的產能配置與議價主導權因此提升，價格上行基礎更穩固。 驅動因素已從初期LLM訓練延伸至AI落地應用。北美Agentic AI系統佈建興盛，對即時巨量數據擷取與快取需求倍增，QLC在向量數據庫的應用同步放大，成為承載非結構化數據的高性價比方案，未來將推升其在北美雲端與資料中心的滲透率。 中國方面，以DeepSeek為代表的架構正推廣大容量QLC Enterprise SSD用於KV Cache Offload，將記憶體快取卸載至高速大容量QLC，以較低成本提升推論效率，中國市場後續也有機會擴大採用QLC eSSD。

TrendForce: AI晶片封裝突破光罩極限，CoWoS-L穩居先進封裝主流至2028年 TrendForce指出，AI晶片持續擴大封裝面積，2.5D技術成為關鍵。TSMC的CoWoS-L雖面對Intel EMIB-T競爭，但憑技術成熟度與良率優勢，預估至2028年仍是AI晶片主流封裝方案。 2026年NVIDIA高階GPU出貨估年增約30%，並推高用量的GB/VR機櫃方案；AMD下半年力推MI400/MI450。CSP自研ASIC以Google TPU v7動能最強，AWS下半年邁向Trainium v3；Microsoft、Meta仍以GPU為主，ASIC量能較小。 過去AI server多用CoWoS-S，以矽中介層整合HBM與運算晶片。晶片面積擴大、HBM數量增加後，矽中介層面臨光罩與物理極限，需改用曝光倍數更大的CoWoS-L，並嵌入矽橋提升彈性。CoWoS-S可整合2顆SoC/Chiplet加8顆HBM，仍獲Maia 200等採用；需更多晶片與HBM時則用CoWoS-L。NVIDIA、AMD已採用，Meta MTIA 400於2026年量產，AWS、Microsoft估2027年導入。 CoWoS-L因中介層更大、成本更高，加上TSMC產能吃緊，Intel EMIB成為備選。EMIB減少昂貴中介層、成本較低，但受載板佈線密度限制；Intel正強化L/S、microbump，並推EMIB-T導入TSV縮短路徑。Google估2027年導入EMIB-T，AWS也在測試。整體來看，考量成熟度與良率，CoWoS-L至2028年仍居主流。

TrendForce: 預估2026年全球資料中心用電需求年增31%，電網供應缺口自2028年擴大 2025年需求已達122.9GW，2027年在CSP持續擴產下，增速仍可維持30%以上。AI server占比預估2027年將突破40%，通用型server則降至約25.6%。機電效率雖有改善，但IT與非IT負載同步上升，業者開始規劃HVDC以提高供配電效率。 電網供給增速跟不上需求。2026年起供需開始背離，2028年後缺口明顯擴大。預估2030年全球需求達490.7GW，電網可供容量僅222.6GW，帳面缺口268GW。 美國至2030年缺口估逾170GW，主因電網併網與輸配電建設遞延；表後自建發電可部分填補，但實際短缺仍待觀察。

TrendForce: 2Q26全球前十大IC設計廠營收年增73%，AMD擠進前三名 2026年第二季，全球前十大無晶圓廠IC設計業者合計營收年增73%，達1,414.5億美元，主因AI帶動GPU、CPU、ASIC與互連需求。 NVIDIA續居第一，營收近911.6億美元、年增99%，占前十大營收約64%。除雲端巨頭外，Neo Cloud、主權AI與企業客戶貢獻明顯，並透過NVLink Fusion布局ASIC與車用AI。 Broadcom升至第二，營收逾188.9億美元、年增112%。OpenAI首款ASIC與Google TPU 8i開始出貨，網通隨XPU高速成長。 AMD升至第三，營收逾115.3億美元。代理AI推升CPU地位，資料中心CPU連續五季創新高，持續侵蝕Intel伺服器市占。 Qualcomm因手機疲弱退至第四，營收逾85億美元；車用已連23季雙位數成長，並重返資料中心。MediaTek約48.1億美元居第五，上修資料中心與ASIC展望。 Marvell因高速互連升至第六。Realtek、MPS、Novatek、OmniVision分列七至十名，成長分別來自提前拉貨、AI電源、SoC與新興影像／光通訊應用。

TrendForce: 預估2026年iPhone Duo市占近25%，Apple首款折疊機催化供應鏈升級 2026年 Apple 首款折疊機 iPhone Duo 採書本式內折，7.6吋內螢幕、5.4吋外螢幕。TrendForce 估出貨約500萬支，市占近24.8%，僅次於 Samsung。 全年折疊機出貨約2,020萬支，年增0.5%。剔除 Apple 後，安卓合計約1,520萬支、年減逾20%。Samsung 約710萬支（35.1%），Huawei 約500萬支（24.8%）。 技術競爭轉向薄型、低折痕與可靠度。Duo 採十層超薄 OLED、Nano-texture，鈦金屬機身；展開約5.2mm、折疊約11.3mm、重約254g。為控厚度未配獨立潛望鏡，以48MP兩倍變焦與側邊 Touch ID 取捨空間。 2026年被視為市場「結構重整年」：Apple 補上安卓衰退缺口，並推升 UTG、鉸鏈與整機供應鏈。下一步除更薄更輕，AI 多工體驗將決定市場能否擴大。

TrendForce: 2027年記憶體市況分化，DRAM供給持續吃緊、NAND Flash轉趨寬鬆 TrendForce指出，2027年記憶體市況明顯分化：DRAM因AI與HBM需求強勁、供給成長受限，持續緊縮且價格偏強；NAND Flash則因新產能釋放、消費需求疲弱，下半年轉趨寬鬆、價格恐修正。 DRAM方面 原廠雖提早擴產並加速製程升級，但多數新廠投片放量落在2027下半年，顯著產出至2028年才發酵。HBM製程耗用晶圓遠高於一般DRAM，新增投片無法等比例轉為位元產出，限制整體供給成長。需求端則受惠北美CSP資本支出、Intel／AMD新CPU平台、Agentic AI商業化，server出貨年增幅度將擴大，單機HBM與SOCAMM容量提升，推升DRAM位元需求維持高檔。消費型終端（手機、筆電）則因售價上調，出貨預期衰退。2026年供需缺口約-1%至-2%，2027年需求增速更快，缺口擴大；惟高價記憶體恐墊高CSP資本支出占比，是否影響採購仍待觀察。 NAND Flash方面 2026年以製程升級與提高enterprise SSD比重為主。2027年高層數產品加速導入、新廠產能釋出，位元供給成長將超越前一年。需求由AI server與高容量enterprise SSD（尤以QLC）支撐，消費性電子買氣仍受壓抑。產能開出後供需結構反轉，sufficiency ratio轉正、市場趨向寬鬆。若Agentic AI普及加速高速SSD需求，則有望趨近平衡。

TrendForce: 供給增速將超前需求成長，2H27 NAND Flash緊缺壓力可望獲得紓解 根據TrendForce最新2026年7月NAND Flash市場報告，2026年因AI需求爆發性成長，NAND Flash整體供給增速明顯落後需求，市場呈現供不應求局面。展望2027年，雖然伺服器需求持續強勁，但供應商透過製程升級與新產能開出，供給位元成長有望超越需求，預計下半年緊缺壓力可望獲得明顯紓解。 供給面：製程升級為主，中系業者貢獻提升 2026年受現有廠房空間限制，供應商優先將資源投入DRAM，NAND Flash主要仰賴先進製程升級來增加產出。2027年廠房吃緊情況仍未完全緩解，韓、美、日系業者將持續優化現有產線，並局部擴產；中國業者則因新設備陸續到位，產能大幅提升，預計在全球NAND Flash位元產出中的占比將提高至近19%。 需求面：伺服器強勁，消費性電子持續疲軟 伺服器仍是主要成長動能。2026年受Intel、AMD新平台帶動，全年伺服器出貨量年增約17%。2027年Agentic AI應用落地，通用型伺服器建置需求不減，加上CPU供應瓶頸改善與長期協議（LTA）穩定供貨，預期伺服器出貨年增幅度將進一步擴大。目前伺服器對NAND Flash位元需求占比已超過40%。相較之下，智慧手機與筆電需求持續低迷。TrendForce預估2026年手機產量年減15%至20%，2027年雖高階AI手機提供部分支撐，但因終端復甦有限與消費者價格敏感度提高，全年仍將維持年減態勢，降幅略為收斂。筆電方面，2026年出貨年減約10%，2027年受記憶體及CPU成本高漲影響，出貨量預計小幅衰退，合計消費性產品需求占比仍接近40%。 庫存與供需平衡 目前原廠庫存水位偏低，雖然模組廠因消費市場疲弱而庫存上升，但整體買家庫存仍屬可控。TrendForce預估2026年NAND Flash供給位元較需求短缺約4%至5%，全年維持缺貨格局。進入2027下半年，供給成長加速，供需位元差距有望轉為正值，市場緊繃情況將逐步緩解。 綜上，AI伺服器需求成為支撐NAND Flash市場的核心力量，但消費性電子復甦緩慢將使整體需求成長趨緩，供應商產能擴張進度將決定2027年市場是否真正回穩。

TrendForce: 3Q26記憶體價格持續受AI server需求支撐，惟因消費端壓力擴大、高基期影響，漲幅收斂 TrendForce最新報告，2026年第三季記憶體市場仍受AI server需求強力支撐，但消費端壓力擴大加上高基期影響，價格漲幅明顯縮減。 預估一般型DRAM合約價季增13-18%，NAND Flash合約價季增10-15%。雖然整體供需仍緊，但PC、智慧手機等消費客戶承受力已達極限，導致漲勢趨緩。 - PC DRAM：OEM庫存回補提供支撐，但高成本原料推升整機價格，衝擊全年出貨；原廠持續轉產能至server，供給受限。 - Server DRAM：AI應用與RDIMM需求強勁，供不應求延續，惟長約限制使漲幅收斂。 - 智慧手機LPDRAM：品牌調漲售價平衡成本，需求進一步衰退，但供給緊繃仍支撐價格上行。 - Graphics DRAM：GDDR6/7需求偏弱，然產能轉移使供給維持緊缺，價格隨主流DRAM上漲。 - Client SSD：OEM庫存偏高，買方抗漲，漲幅壓縮。 - Enterprise SSD：原廠擴產，但DRAM短缺導致小容量高速產品仍吃緊，價格維持上漲。 - eMMC/UFS：手機下半年備貨低迷，供給相對充足，漲勢趨緩。