駿HaYaO(@QQ_Timmy):TrendForce: 2027年記憶體市況分化，DRAM供給持續吃緊、NAND Flash轉趨寬鬆 TrendForce指出，2027年記憶體市況明顯分化：DRAM因AI與HBM需求強勁、供給成長受限，持續緊縮且價格偏強；NAND Flash則因新產能釋放、消費需求疲弱，下半年轉趨寬鬆、價格恐修正。 DRAM方面原廠雖提早擴產並加速製程升級，但多數新廠投片放量落在2027下半年，顯著產出至2028年才發酵。HBM製程耗用晶圓遠高於一般DRAM，新增投片無法等比例轉為位元產出，限制整體供給成長。需求端則受惠北美CSP資本支出、Intel／AMD新CPU平台、Agentic AI商業化，server出貨年增幅度將擴大，單機HBM與SOCAMM容量提升，推升DRAM位元需求維持高檔。消費型終端（手機、筆電）則因售價上調，出貨預期衰退。2026年供需缺口約-1%至-2%，2027年需求增速更快，缺口擴大；惟高價記憶體恐墊高CSP資本支出占比，是否影響採購仍待觀察。 NAND Flash方面 2026年以製程升級與提高enterprise SSD比重為主。2027年高層數產品加速導入、新廠產能釋出，位元供給成長將超越前一年。需求由AI server與高容量enterprise SSD（尤以QLC）支撐，消費性電子買氣仍受壓抑。產能開出後供需結構反轉，sufficiency ratio轉正、市場趨向寬鬆。若Agentic AI普及加速高速SSD需求，則有望趨近平衡。

2026.07.30 08:37

TrendForce: 2027年記憶體市況分化，DRAM供給持續吃緊、NAND Flash轉趨寬鬆 TrendForce指出，2027年記憶體市況明顯分化：DRAM因AI與HBM需求強勁、供給成長受限，持續緊縮且價格偏強；NAND Flash則因新產能釋放、消費需求疲弱，下半年轉趨寬鬆、價格恐修正。 DRAM方面原廠雖提早擴產並加速製程升級，但多數新廠投片放量落在2027下半年，顯著產出至2028年才發酵。HBM製程耗用晶圓遠高於一般DRAM，新增投片無法等比例轉為位元產出，限制整體供給成長。需求端則受惠北美CSP資本支出、Intel／AMD新CPU平台、Agentic AI商業化，server出貨年增幅度將擴大，單機HBM與SOCAMM容量提升，推升DRAM位元需求維持高檔。消費型終端（手機、筆電）則因售價上調，出貨預期衰退。2026年供需缺口約-1%至-2%，2027年需求增速更快，缺口擴大；惟高價記憶體恐墊高CSP資本支出占比，是否影響採購仍待觀察。 NAND Flash方面 2026年以製程升級與提高enterprise SSD比重為主。2027年高層數產品加速導入、新廠產能釋出，位元供給成長將超越前一年。需求由AI server與高容量enterprise SSD（尤以QLC）支撐，消費性電子買氣仍受壓抑。產能開出後供需結構反轉，sufficiency ratio轉正、市場趨向寬鬆。若Agentic AI普及加速高速SSD需求，則有望趨近平衡。