视频生成赛道的竞争，看似正在收紧——Sora延迟、Runway更新、大厂纷纷入局。 但PixVerse的C轮扩展融资4.39亿美元、估值超20亿，却透露出一个相反的趋势：赛道不仅没有收紧，反而在快速分化，挤进专业影视和游戏开发的新岔道。 先看事实：新加坡创企PixVerse刚刚完成C轮扩展，总融资额4.39亿美元，估值突破20亿美元。 消费端注册用户超1.5亿，月活超1500万，图生视频每分钟4.80美元。投资者名单里包括阿里巴巴。 公司手握三个产品系列——V系列面向消费者和API，C系列针对专业影视，R系列是今年初发布的世界模型，专攻游戏开发。 这个产品矩阵，暴露了视频生成行业的一个结构性变化：工具正从单一的视频短片生成，演变为分层级的创作基础设施。过去，AI视频生成主要满足C端用户的片段式娱乐需求，比如生成一段跳舞或风景短片。 但现在，PixVerse用C系列和R系列直接切入影视制作和游戏开发的工作流，这意味着视频生成技术开始渗透到生产级环节，有可能重塑内容供应链。 为什么这个分化现在发生？有两点驱动力。第一，消费端的视频生成体验已经进入一个相对成熟的阶段，但差异化越来越难，价值天花板有限。PixVerse尽管有1.5亿注册用户，但每分钟4.8美元的价格，在竞品中不算低，靠C端用户订阅很难撑起高估值。 所以必须向上游走，去覆盖更高客单价、更高粘性的专业市场。第二，专业影视和游戏开发对“可控性”和“一致性”有根本需求，这恰好是纯扩散模型或简单文生视频难以满足的。世界模型方案试图解决这个问题：通过内置物理规则和交互逻辑，生成的不再是平面视频，而是可以实时互动、多视角连贯的虚拟环境，这更接近游戏引擎的路线。 但这套逻辑的边界也很清晰。C系列能否真正服务影视工业？专业影视对画面构图、灯光、运动镜头、色彩风格有一整套工业标准，AI生成的画面能否无缝融入现有后期流程，还是个巨大的问号。 R系列世界模型听起来性感，但从DEMO到可交互的游戏资产，中间隔着工程化的鸿沟——性能、延迟、与游戏引擎的整合，每一项都可能卡住落地进度。竞争对手也没闲着：Runway正在深耕影视协作，Google的Veo和Meta的Movie Gen背后有算力和数据优势。PixVerse的融资规模虽大，但若产品打磨跟不上，估值可能变成负担。 长期来看，如果PixVerse能同时跑通消费、影视和游戏三条线，它有潜力成为内容创作的底层基础设施，类似视频领域的“操作系统”。 但更可能的剧本是，它需要在某个方向上形成绝对壁垒，否则会面临被大厂生态吞掉的危险——就像样稿里分析的，通用工具品类很容易被平台变成一个“tab”。 落实到不同角色的行动建议： 👉 普通内容创作者：可以继续用V系列降低视频制作门槛，但不要产生过度依赖。拍摄基本功和创意策划仍然是核心，AI视频只是放大器。 👉 专业影视团队：可以关注C系列的内测反馈和实际样片，评估是否能嵌入部分后期或预演环节，但短期不要指望全链路替代。 👉 游戏开发者：R系列值得跟踪，尤其关注它是否能生成符合引擎标准的资产，或降低关卡原型成本。目前距离商用至少还有一两年，更适合做技术储备。 👉 投资者/创业者：视频生成领域正从泛化走向垂直，但垂直意味着更高的行业壁垒和更慢的渗透速度。追高估值之前，先看产品的留存率和单位经济模型，比看融资金额更有意义。 PixVerse的这轮融资，与其说是视频生成赛道的胜利，不如说是创作工作流进化的一个信号弹。真正值得押注的，永远是那些能把技术塞进具体工作场景、并卡住某个不可替代环节的公司，而不是又一个“生成炫酷视频”的玩具。

AI数据中心电力上的关键环节：800VHDC，今天在这里 Ultra平台上得到大规模采用。其实800VHDC并不是全新概念，自从英伟达去年说要推直流供电架构后，市场对此的关注度其实挺高的，这个板块的相关的标的已经炒过一博预期了。但实际上800V直流电在下半年才真正大规模采用，值得关注。聊下几方面的问题： 1、800V HVDC架构是什么？ 传统高密度AI rack的路径大致是：电网中压AC → 变压器/UPS/PDU → 415/480VAC到机架 → 机架内PSU转54VDC/12VDC → GPU核心电压。 达子的800VDC愿景则是：在数据中心边界/电力室把中压AC集中转换成800VDC，用800V DC busway送到IT rack，再在靠近GPU的位置用高比率DC/DC转换。NVIDIA称，54V架构在200kW以上开始撞上物理限制；1MW rack如果继续用54V，单rack铜排最高可能需要约200kg铜，而800V架构通过减少电流、减少转换级数、减少机架内PSU，目标是提升效率、降低铜耗、释放机架空间。 它不是简单的电压升级，也不是“发明了直流供电”，而是AI数据中心供电架构的一次平台级切换，是对整个电力交付架构的系统性重构，旨在解决传统48V/54V机架电源的瓶颈（空间受限、铜缆过载、多级转换损耗高），支持单机架功率从数百kW跃升至1MW+，并为未来GW级AI工厂铺路。 2、800V HVDC的意义和革命性是什么？ 1）首先自然是效率和空间布局 效率提升：从电网到GPU的转换环节大幅减少，整体能效可提升从以前90%能大幅度提高到98.5%以上传输损耗显著降低，TCO（总拥有成本）降低可达30% 空间与密度优化：减少铜缆用量和电源单元体积，机架内计算空间利用率提升超80%，支持更高密度GPU集群 2）800V不是单一器件升级，而是生态重构：中央整流、800V DC busway、固态断路器、热插拔保护、sidecar/power rack、BBU/CBU、超容/电池储能、DC/DC、GaN/SiC、液冷都要协同。NVIDIA也明确说需要OCP等组织推动电压范围、连接器、安全标准。 如果大家有关注过新能源汽车产业链，应该有影响这两年国内电动车厂商都在推的“快充”基本上就是800V高压直流充电。现在达子正在把800VDC变成下一代AI rack标准化路线的一部分，所以一部分原来给新能源汽车充电产业链上的关键环节，又开始外溢到AI数据中心上了。 3、800V HVDC空间有多大？ 要看大背景，AI数据中心整体市场从2025年约3440亿美元增长至2032年超2万亿美元（CAGR 27.5%）。 功率基础设施将成为AI建设的核心瓶颈与增长点，NVIDIA的标准将加速 hyperscaler采用，带动固态变压器、GaN/SiC功率器件等子市场爆发。 2027年后，>300kW/rack、尤其是400kW-1MW rack的AI zones中，800VDC或类似HVDC架构渗透率快速提升。若未来新增AI容量中有30%-60%采用高压DC架构，并且每MW对应的核心800V电力链价值量在几十万到数百万美元区间，累计空间就会进入百亿美元到千亿美元级。 当然这个预测区间也很宽，因为真实取决于Kyber/Rubin Ultra出货节奏、超大云厂接受NVIDIA 800V的程度。 4、800V HVDC产业链构成 完全是英伟达参考设计主导资格认证，之前英伟达也公开列出的核心合作伙伴分为三类，竞争激烈，份额将取决于认证进度、量产能力和 hyperscaler合同。 1）硅片/功率半导体供应商（核心器件，如SiC/GaN MOSFET、控制器，用于高效转换）： 主要玩家：Texas Instruments（TI，已发布完整800V解决方案）、STMicroelectronics（ST，6-18kW功率板）、Infineon、ROHM（SiC器件）、Navitas（GaN/SiC）、Analog Devices、onsemi、Renesas、Innoscience、MPS、AOS、EPC等。 这些是NVIDIA“硅供应商”名单核心，TI/ST等已演示参考设 2）电源系统组件/模块供应商（电源架、Sidecar、DC-DC转换器等）： 主要玩家：Delta Electronics（与NVIDIA深度合作，发布800V解决方案）、Flex、LITEON、Megmeet、Lead Wealth、Bizlink等。 Delta等中国厂商优势明显，已有白皮书和技术落地；LITEON等股价因800V预期已经显著上涨。 3）数据中心电源系统/基础设施供应商（机架级配电、Sidecar、SST、母线等）： 主要玩家：Vertiv（Hopewind为其800V系统关键子供应商）、Schneider Electric（开发1.2MW Sidecar）、Eaton、ABB、GE Vernova、Siemens、Hitachi Energy、Mitsubishi Electric等。 这里面Vertiv、Schneider、Eaton等是传统强者。 个人角度看 1）Vertiv、IFFNY、Schneider、Eaton、Delta、ABB是最可能在早期800VDC相关收入中占到显著份额的几家公司； 2）LITEON、TI、ST、Infineon、onsemi是第二组确定性较强的受益者； 3）Navitas、Power Integrations、MPS、BizLink、Megmeet、Innoscience（英诺赛科）属于弹性更大但验证/量产/竞争风险也更高的一组。 个人角度当下比较看好的则是，当然这个还要动态迭代： nvts、IFNNY、英诺赛科、vicr 5、后续跟踪落地节奏的几个重要节点 1）NVIDIA Kyber / Rubin Ultra 2027节奏：是否明确把800VDC作为默认/主推rack电力架构，而且出货节奏也带动800V的落地节奏 2）OCP标准进展：800V连接器、安全、保护、PDB、BBU/CBU是否标准化。 3）看点电源管理系统组件，功率半导体供应商的点单披露，谁真正进入了进入backlog和量产socket；这个最关键决定了哪家供应商能吃到多大的份额 4）超大云厂路线：800V vs 400V/±400V vs 50V HPR是否分裂。决定了市场对800V hvdc的预期和想象空间。 5）单MW成本下降曲线：如果800VDC使每MW可部署GPU数量、能效和维护成本明显改善，它会从NVIDIA专用架构变成行业事实标准。

三星电子实现全球首个“900层 V-NAND”，1000层时代进入倒计时 三星电子已成为全球首家成功实现 900 层级 V-NAND 技术原型的公司，向“1000 层 NAND”时代又迈进一步。在与竞争对手围绕堆叠层数的竞争日益激烈之际，这一成果被认为是三星一次性取得了决定性的技术领先优势。 据半导体行业 25 日消息，三星近期通过“Cell Multi Bonding（CMB，单元多重键合）”技术，将两片 450 层单元晶圆接合为一体，成功实现了集成式 900 层级 V-NAND 系统。 NAND 闪存用于存储数据，是 AI 服务器、智能手机以及数据中心存储设备 SSD 的核心组件。它的原理类似于在公寓楼中不断向上增加楼层：堆叠层数越高，就越能在有限的芯片面积内塞入更大容量，从而存储更多数据，并最大化电力效率。因此，在需要高容量、高效率零部件的 AI 服务器和端侧 AI 市场中，NAND 被视为争夺主导权的关键技术。 在当前量产市场中，SK 海力士凭借 321 层 4D NAND 掌握最高堆叠层数。不过，三星在准备今年量产第 10 代 V-NAND（V10，400 层以上）的同时，也已在研发阶段一举跃升至 900 层级，使其在下一代 NAND 市场中占据有利位置。 对于这项研究成果，三星表示已经“验证了正常的单元工作特性”，强调这不仅仅是理论上的堆叠，而是证明了实际可运行的技术能力。 自 2013 年全球首次实现 3D V-NAND 商业化以来，三星持续推动工艺演进，以突破堆叠极限。过去，三星采用的是“一次性单堆叠”方式，即一次性钻出并堆叠微细孔洞；但随着层数不断提高，晶圆翘曲、对准误差等物理极限开始显现。 在实现 900 层器件的过程中，三星通过采用先进的上部吸盘设计，解决了最大障碍——晶圆翘曲问题。键合过程中产生的对位误差，则通过其专有的“新型 overlay 校正”技术克服。同时，新引入的位线（BL）和字线（WL）结构也带来了显著改善，在降低功耗的同时缩小了芯片面积。 从全球来看，以长江存储（YMTC）为代表的中国企业，正在 300 层级 NAND 量产门槛附近追赶韩国厂商。在政府支持和设备国产化推动下，中国企业正同时推进产能扩张和技术升级。 如果长江存储年内成功量产 300 层以上 NAND，价格竞争可能进一步加剧，并对韩国企业的盈利能力造成压力。因此，三星此次 900 层成果被高度评价为一项中长期战略举措，意在构筑技术壁垒。 一位行业人士表示：“900 层 NAND 技术并不是简单地把 300 层乘以三，而是会改变堆叠工艺范式的技术。”他还补充称：“这向全球客户传递了一个信号：三星仍然是技术领导者，同时也会在一定程度上限制中国企业的产能和价格攻势。”

V神表示：以太坊基金会正在发生变化，随着该组织出售更少的 ETH 并缩小其使命范围，他对以太坊基金会董事会的影响力将持续缩小 他说，该基金会应作为更广泛的以太坊生态系统中的一个节点，而不是中央协调者

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为什么中文区大V不爱回关？ 不是自视甚高，是利益使然！ 我通过和@grok 高强度对话，找到了这个秘密。 核心在于大V不惜以其代价保证自己的浏览量： 关注人数/ 被关注人数（R）应保持 ≤ 0.6（尤其当关注数 > 500 时），才不易因账号信誉信号被降权而影响阅读量/曝光。粉丝数至少约为关注数的 1.67 倍 2. 当关注人数 > 500 且 R>0.6时，系统会对账号信誉分，并且施加指数级下调，降低内容在推荐流、分发中的权重，从而间接影响浏览量。 这个比值是账号质量/“活人感”的重要信号之一，过高易被视为低质、互关刷量或 spam 倾向，可能拉低整体分发权重。 所以中文区大V屡屡出现偏关行为，就是为了个人利益，牺牲好心账号的权重。 所以，那种几万粉丝，几百或者小几千关注的账号，基本都是不可能主动关注小账号的。 越南大V，绝对找到了最新算法模型，诚信的回关，让互动越来越多，再加上广告投放不断增多，直接形成良性循环。

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