最近购物不顺，刚到的戴森V10基站版又退货了。基站功能做的也太简陋了，吸尘器放上去，就会无差别的开始集尘，噪音巨大，然后居然是要我自己手动观察是否集尘完毕，然后按一下开关停止集尘🤦‍♂️。 且不说这已经落后了竞品不止一个版本，现在家里要是有人在休息，那么用完吸尘器就不能放回基站，不然绝对给人吵醒。

特惠合集 · 学姐的专属舔狗 - 限量发售中✨ V10 · 学姐嫩脚虐心倒计时（全中文配音）✨ 062 · 学姐节奏脑控撸管 074 · 学姐废物洗脑撸射 是否怀念校园时光那个让你砰然心动，无法抗拒的学姐？本期合集带你追忆那个心底里的青春回忆！ 游玩顺序：在V10里跪在师姐玉足前发誓当狗 —> 在062里接受学姐的黑心洗脑改造 —> 在074里体验“明知道师姐会废了你，你也心甘情愿贴上来舔”的至死不渝！ 限量20份！售完即止！✨

亚马逊的 AWS 数据中心，没有任何一台正常运行的 A100 被下线，这已经是 6 年前的 GPU 了，而 V100 这款十年前的 GPU，直到去年才被微软从 Azure 云里面下架。

华强北AI产品销量占比从2023年的12%跃升至41%；超15万家智能硬件厂商已接入千问大模型，服务100%主流车企与智能家电。千问正成为AI硬件的操作系统。AI硬件市场规模预计将突破1.27万亿元。 AI产业正从模型竞赛转向算力争夺，推理与智能体使Token消耗达传统聊天请求的100至1000倍。GPU、先进制程、存储、电力及电网同步承压。算力稀缺正重估资产价值，竞争壁垒在于企业能否提前锁定芯片、存储、电力与数据中心资源。3、新华财经：SK海力士实现“钼代钨”技术突破，在375层V10系列3D NAND中全面用钼替代钨制作存储字线，为全球首次量产应用。钼铁价格年内涨超30%至30万元/吨以上，近三年首次突破30万元关口。钼正从传统工业金属向半导体战略材料切换，但当前百吨级起步的供给体量尚难大幅拉动业绩。

我最新的產業調查顯示，聯發科內部已將 AI 事業的策略定位，從「IC / ASIC 設計」提升至「系統級別設計」，首要目標鎖定 Google TPU 的 PCBA（L6），以及 Elon Musk 旗下公司自研 AI 晶片的 L10 機櫃。 整體而言，此定位轉變符合產業趨勢，若聯發科執行順利，有助於強化客戶關係與長期競爭優勢。 調查與分析： ▎此轉變爲長期規劃，2 年內對基本面的影響可忽視，目標在於掌握新成長契機，並降低潛在風險影響： 1. 機會：伺服器機櫃設計漸趨複雜（導入 CPO、800V HVDC 等），加上與消費電子相當的更新速度，共同推升了系統級設計的附加價值。 2. 風險：ASIC 設計的成長動能，在 2-3 年後可能會因爲 Semi-COT 商業模式而開始趨緩。 3. 聯發科為確保系統級別設計整合的業務毛利率至少能達 40-50%，預期採「主導設計與驗證」的輕資產模式，並善用台灣硬體供應鏈生態優勢，將製造外包。 ▎Google TPU 的 PCBA： 1. 聯發科的目標是自 TPU v10（Icefish）開始，並同步爭取導入自家 CPO 方案。 2. Google 硬體組裝生態已完備，聯發科爭取 L10 勝算不高。 ▎Musk 旗下公司自研 AI 晶片的 L10 機櫃： 1. 目前 Musk 旗下公司建置的 AI 算力主要採 Nvidia 晶片方案，故自家 AI 晶片機櫃組裝生態尚未完備，這是聯發科的機會。 2. 此業務目前尚缺乏明確時程能見度；長期成敗的關鍵在於，聯發科能否善用台灣硬體供應鏈生態，並借助與 Terafab 的合作關係，拿到 L10 機櫃訂單。

三星电子实现全球首个“900层 V-NAND”，1000层时代进入倒计时 三星电子已成为全球首家成功实现 900 层级 V-NAND 技术原型的公司，向“1000 层 NAND”时代又迈进一步。在与竞争对手围绕堆叠层数的竞争日益激烈之际，这一成果被认为是三星一次性取得了决定性的技术领先优势。 据半导体行业 25 日消息，三星近期通过“Cell Multi Bonding（CMB，单元多重键合）”技术，将两片 450 层单元晶圆接合为一体，成功实现了集成式 900 层级 V-NAND 系统。 NAND 闪存用于存储数据，是 AI 服务器、智能手机以及数据中心存储设备 SSD 的核心组件。它的原理类似于在公寓楼中不断向上增加楼层：堆叠层数越高，就越能在有限的芯片面积内塞入更大容量，从而存储更多数据，并最大化电力效率。因此，在需要高容量、高效率零部件的 AI 服务器和端侧 AI 市场中，NAND 被视为争夺主导权的关键技术。 在当前量产市场中，SK 海力士凭借 321 层 4D NAND 掌握最高堆叠层数。不过，三星在准备今年量产第 10 代 V-NAND（V10，400 层以上）的同时，也已在研发阶段一举跃升至 900 层级，使其在下一代 NAND 市场中占据有利位置。 对于这项研究成果，三星表示已经“验证了正常的单元工作特性”，强调这不仅仅是理论上的堆叠，而是证明了实际可运行的技术能力。 自 2013 年全球首次实现 3D V-NAND 商业化以来，三星持续推动工艺演进，以突破堆叠极限。过去，三星采用的是“一次性单堆叠”方式，即一次性钻出并堆叠微细孔洞；但随着层数不断提高，晶圆翘曲、对准误差等物理极限开始显现。 在实现 900 层器件的过程中，三星通过采用先进的上部吸盘设计，解决了最大障碍——晶圆翘曲问题。键合过程中产生的对位误差，则通过其专有的“新型 overlay 校正”技术克服。同时，新引入的位线（BL）和字线（WL）结构也带来了显著改善，在降低功耗的同时缩小了芯片面积。 从全球来看，以长江存储（YMTC）为代表的中国企业，正在 300 层级 NAND 量产门槛附近追赶韩国厂商。在政府支持和设备国产化推动下，中国企业正同时推进产能扩张和技术升级。 如果长江存储年内成功量产 300 层以上 NAND，价格竞争可能进一步加剧，并对韩国企业的盈利能力造成压力。因此，三星此次 900 层成果被高度评价为一项中长期战略举措，意在构筑技术壁垒。 一位行业人士表示：“900 层 NAND 技术并不是简单地把 300 层乘以三，而是会改变堆叠工艺范式的技术。”他还补充称：“这向全球客户传递了一个信号：三星仍然是技术领导者，同时也会在一定程度上限制中国企业的产能和价格攻势。”