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Transit Swap 这次安全事故不是个简单的坑… 主要原因在于 Transit Swap 协议在进行代币兑换时并未对用户传入的数据进行严格检查,导致了任意外部调用的问题。攻击者利用此任意外部调用问题窃取了用户对 Transit Swap 授权的代币。 多说无益,尽力追踪。
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《花嫁篇》, 门槛有更多福利哟~ #男娘# #人妖# #伪娘# #ts# #cd# #ladyboy# #transgender# #shemale#
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TGEU 发布2026年度跨性别权利地图:冰岛居首,俄罗斯垫底,区域整体陷入"修宪式倒退"🇪🇺🏳️‍⚧️ 2026年5月,跨性别权利倡导网络 TGEU(Trans Europe and Central Asia,原称 Transgender Europe)发布年度《跨性别权利指数与地图》(Trans Rights Index & Map)。 这是衡量欧洲与中亚地区跨性别者法律处境的权威对照工具,每年用统一指标为各国打分并地图化呈现,供倡导者、记者与政策制定者横向比较、逐年追踪。 该指数满分32分,覆盖六大类指标:法律性别承认(Legal Gender Recognition)、庇护(Asylum)、仇恨犯罪与仇恨言论(Hate Crime / Hate Speech)、反歧视(Non-Discrimination)、健康(Health)与家庭(Family)。今年冰岛以30分登顶,除两类外全部满分;马耳他以28分居次;西班牙以27.18分位列第三。比利时与挪威均为25.5分,德国为24.57分。其中仅奥地利、德国、冰岛、马耳他四国完全满足"非二元性别承认"标准。 排名另一端,俄罗斯以0分垫底,未满足任何一项指标。保加利亚、格鲁吉亚、匈牙利、俄罗斯与斯洛伐克的现行框架,使跨性别者实际上无法完成法律性别承认。报告记录了多起针对性倒退:白俄罗斯于2026年4月通过"反宣传"法,将"宣传性别转换"入罪,并叫停法律性别承认、重新强制医疗前置要求;斯洛伐克通过修宪针对男女之外的性别认同,事实上封堵法律性别承认,成为该地区第5个事实性禁止法律性别承认的国家。 TGEU 在报告中指出,本年度"纸面上"的法律变动多于近年,但进展多由活动人士与法院推动,而非政府主动作为;与此同时,针对跨性别者的倒退正变得更具针对性与计划性,尤以借修宪手段排除跨性别群体的趋势值得警惕。今年的趋势:法院和社会运动在捍卫底线,进步不是政府给的,倒退却是有组织推进的。 参考来源:
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泰勒·斯威夫特(Taylor Swift)、西德妮·斯威尼(Sydney Sweeney)或米歇尔·奥巴马(Michelle Obama)是跨性别者吗?这正是所谓的“跨性别调查者”(transvestigators)所声称的——然而这些说法并没有任何事实依据。我们将解析这种阴谋论为何源于厌女情绪以及针对跨性别群体的偏见。 #dwfactcheck#
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我已经回不去了,只想成为男人们的鸡把套子,每天被腥腥的精液灌满~ #cd# #ts# #ladyboy# #shemale# #transgender# #trany# #伪娘# #人妖# #变性人#
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晶体管没有等 V2。NAND / LATCH 在 8 月 29 日洗盘后已经驻底反弹,社区把热情放在囤硅和流片上:这次是库存层先定价。 V2 若上线,工厂用 $BEM 买设备并销毁,代币第一次有结构性消耗。排放仍是每天 7200 枚;消耗一旦对得上这个流速, $BEM 就从纯产出层变成带回收的现金流。 大佬到底看见了什么?8 月 22 日到 25 日,Behemoth NAND 已从 0.011 走到 0.095。库存先动,代币后动。 V2 只是把这条逻辑接到 $BEM 身上而已。 The transistors did not wait for V2. After the Aug 29 washout, NAND and LATCH already found a floor and bounced. The community put its energy into hoarding silicon and taping out machines: this time the inventory layer priced first. If V2 goes live, factories buy devices with $BEM and burn it. For the first time the token has a structural sink. Emission is still 7,200 a day. Once that burn can match the flow, $BEM stops being a pure output layer and becomes cash flow with a recycle path. What did the big players see? From Aug 22 to Aug 25, Behemoth NAND went from 0.011 to 0.095. Stock moved first. The token moved second. V2 only attaches that same logic to $BEM. #TapeOut#
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那些年,马斯克客串过的电影和电视剧们。 按照时间顺序做了一个合集👇 《感谢你抽烟》(Thank You for Smoking,2005) 客串酒店门童,为主角开关车门。 《钢铁侠2》(Iron Man 2,2010) 客串自己,与托尼·斯塔克讨论未来交通技术。 《弯刀杀戮》(Machete Kills,2013) 客串自己,用 SpaceX 火箭将主角送往太空执行任务。 《超验骇客》(Transcendence,2014) 在 AI 会议场景中短暂出镜。 《生活大爆炸》(The Big Bang Theory,2015) 客串自己,在慈善厨房当刷碗工,并与霍华德互动。 《为什么是他?》(Why Him?,2016) 客串自己,出席派对与主角交谈。 《小谢尔顿》(Young Sheldon,2017) 客串自己,发现并带走谢尔顿的火箭笔记本,借鉴 了他的创意。
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周末行研---AI拉动的电力电子系统大基建里SiC、GaN 与硅MOSFET的份额浅析 AI数据中心疯狂建设推动的电网大升级,正在让另一个长期被低估的领域重新回到舞台中央:功率半导体。 电力系统核心在于高效地控制电流。而控制电流最核心的器件,就是MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)金属-氧化物-半导体场效应晶体管。 过去几十年,全球功率器件几乎都建立在硅MOSFET之上。硅便宜、成熟、产业链完整,因此长期统治整个行业。但随着AI服务器功率暴涨、EV进入800V时代、数据中心向高压化演进、高频电源需求提升,传统硅开始逐渐碰到物理极限。于是,SiC(碳化硅)与GaN(氮化镓)开始崛起。 SiC更像重工业路线。它的核心优势,在于高压与大功率。SiC拥有更高击穿电压、更强导热能力,在高压、高电流场景下效率明显优于传统硅IGBT。因此EV主驱逆变器、光伏逆变器、储能、工业高压驱动、电网、高压UPS这些领域,正在快速SiC化。尤其特斯拉推动的800V平台,本质上是整个SiC产业爆发的重要转折点。过去几年,新能源车一直是SiC最大的驱动力。Wolfspeed、onsemi、STMicroelectronics、Infineon Technologies、ROHM、Mitsubishi Electric等公司,都在这一轮周期中受益。 但SiC并不完美。相比GaN,它通常开关速度更慢、Qg更高、高频性能较弱,高频下磁性器件难进一步缩小。于是GaN走向了另一条路线。GaN真正强的地方,是高频。GaN拥有更低Qg、更低输出电容,以及几乎没有reverse recovery的问题,因此特别适合高频DC-DC、AI服务器供电、GPU VRM、手机快充、高频PSU、小型化电源。 AI可能是GaN真正的大周期。因为AI数据中心正在推动整个供电架构向高频化、高电流化、小型化、高效率演进。尤其48V架构之后,大量高频DC-DC开始成为核心瓶颈,而这正是GaN的甜点区。 传统服务器机架可能只有5-10kW,现在AI机架已经开始进入50kW、100kW,未来甚至可能接近MW级别。 AI数据中心正在从IT设施,逐渐变成“电力设施”。而从电网到GPU,中间需要经历大量电力转换:高压输电、变压器、UPS、PSU、AC/DC、DC/DC、VRM、GPU近端供电。每一次转换都会损失能量。当单个AI园区开始消耗GW级电力时,1%的效率提升,都可能对应巨大的经济价值。于是,功率半导体开始从配角变成核心瓶颈。 GaN因此开始大量进入AI服务器PSU、高频DC/DC、GPU VRM、电源模块。很多系统甚至开始出现“SiC + GaN”混搭。高压主干用SiC,高频末端用GaN。数据中心里,电网到数据中心的大功率高压部分,更适合SiC。服务器机架内部的高频供电,则更适合GaN。 未来整个功率半导体可能形成三层结构。低压低成本:硅MOSFET。高频高效率:GaN。高压大功率:SiC。 650V附近,是GaN与SiC正面竞争的区域。低于650V,GaN优势明显。高于650V,SiC优势越来越强。而650V附近,两边都能做。 同时,因为全球大量关键系统,都工作在400V~800V DC母线附近。 650V器件通常对应400V AC整流后、380V HVDC、48V架构上游、数据中心PSU、工业电源、光伏、OBC、AI服务器电源。 这是现代工业和数据中心最核心的电压区间之一。 于是竞争开始从单纯器件参数,变成系统成本、EMI、驱动复杂度、散热、良率、可靠性、客户验证、使用寿命、热循环、ppm失效率,以及长期供货能力。 这也是为什么功率半导体行业护城河极深。尤其SiC。SiC真正难的,不只是器件设计,而是晶圆生长、外延、缺陷控制、良率、高温可靠性。这些能力需要长期工艺积累。因此行业真正强势的玩家,往往都是十年以上沉淀出来的公司。不同公司的强项也不同。Wolfspeed强在材料。STM强在EV。Infineon强在模块与系统能力。onsemi强在汽车客户。Rohm强在可靠性。 GaN世界则还没有完全进入成熟阶段。目前Texas Instruments、Navitas Semiconductor、Infineon Technologies、Efficient Power Conversion都在不同方向推进GaN。其中TI可能长期被市场低估。因为真正的大客户最在意的,往往不是PPT参数,而是reliability、qualification和长期供货能力,而这些恰恰是TI最强的地方。 总的来说,AI正在提高整个系统里的“功率半导体含量”。未来AI基础设施的竞争,可能不只是算力竞争,还会是电力竞争、配电竞争、散热竞争、电源效率竞争。 过去半导体行业的核心是计算。未来十年,功率控制本身,可能会成为新的核心瓶颈之一。 免责声明:本人持有文章中提及资产,观点充满偏见,非投资建议,dyor
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