daniel(@daniel_praguepp):长鑫存储受美国出口管制影响，无法获取HBM制造工具，难以在主流AI内存市场与三星、SK海力士直接竞争，因此转向定制化DRAM寻求突破。长鑫将战略重心转向3D集成电路和3D DRAM技术，该新型架构无需依赖传统HBM设备即可解决数据传输性能瓶颈，目前其已在合肥启动键合DRAM研发线，目标用DUV设备配合多重曝光工艺制造10纳米级高性能DRAM。当前三星、SK海力士以大规模出货标准DRAM模块为核心利润来源，对定制化3D DRAM商业化持审慎态度，短期内无大规模商业化计划，国内已有多款3D DRAM样品面世并对接客户项目，长鑫存储、华邦等有望在该细分领域获得新发展机会。 $MU

2026.07.25 13:32

长鑫存储受美国出口管制影响，无法获取HBM制造工具，难以在主流AI内存市场与三星、SK海力士直接竞争，因此转向定制化DRAM寻求突破。长鑫将战略重心转向3D集成电路和3D DRAM技术，该新型架构无需依赖传统HBM设备即可解决数据传输性能瓶颈，目前其已在合肥启动键合DRAM研发线，目标用DUV设备配合多重曝光工艺制造10纳米级高性能DRAM。当前三星、SK海力士以大规模出货标准DRAM模块为核心利润来源，对定制化3D DRAM商业化持审慎态度，短期内无大规模商业化计划，国内已有多款3D DRAM样品面世并对接客户项目，长鑫存储、华邦等有望在该细分领域获得新发展机会。 $MU