駿HaYaO(@QQ_Timmy):SK海力士年底量產375層3D NAND　清州M15廠升級導入鉬材料 SK海力士宣布將於2026年底前正式量產下一代375層3D NAND快閃記憶體，已完成生產驗證並準備技術轉移至量產線。此次並未新建工廠，而是對位於清州的M15廠現有產線進行改造。該廠目前主要生產176層、238層與321層NAND產品。375層產品原內部代號為「400層級」，因製程難度考量調整為375層，未來路徑圖將延伸至480層與604層。最大技術亮點是導入鉬（Molybdenum, Mo）材料，部分取代傳統鎢（Tungsten, W）。隨著NAND堆疊層數大幅增加，字元線（word line）變得更細，鎢的電阻急劇上升，影響訊號傳輸速度。鉬具備更低電阻特性，可提升寫入與抹除效能；同時無需阻擋襯層，能減少每層厚度損失，實現更高密度堆疊。 SK海力士在設備選擇上採用東京電子（TEL）的爐式沉積系統，材料則由Air Liquide、Entegris等供應商提供。相較之下，三星電子已自2024年起在286層產品導入鉬，並持續擴大應用。產業人士指出，NAND市場仍以獲利為優先，SK海力士策略是減少低層數產品產出，集中資源提升375層高密度產品的位元生產力與成本競爭力，而非全面擴大總產能。

2026.06.11 17:20

SK海力士年底量產375層3D NAND　清州M15廠升級導入鉬材料 SK海力士宣布將於2026年底前正式量產下一代375層3D NAND快閃記憶體，已完成生產驗證並準備技術轉移至量產線。此次並未新建工廠，而是對位於清州的M15廠現有產線進行改造。該廠目前主要生產176層、238層與321層NAND產品。375層產品原內部代號為「400層級」，因製程難度考量調整為375層，未來路徑圖將延伸至480層與604層。最大技術亮點是導入鉬（Molybdenum, Mo）材料，部分取代傳統鎢（Tungsten, W）。隨著NAND堆疊層數大幅增加，字元線（word line）變得更細，鎢的電阻急劇上升，影響訊號傳輸速度。鉬具備更低電阻特性，可提升寫入與抹除效能；同時無需阻擋襯層，能減少每層厚度損失，實現更高密度堆疊。 SK海力士在設備選擇上採用東京電子（TEL）的爐式沉積系統，材料則由Air Liquide、Entegris等供應商提供。相較之下，三星電子已自2024年起在286層產品導入鉬，並持續擴大應用。產業人士指出，NAND市場仍以獲利為優先，SK海力士策略是減少低層數產品產出，集中資源提升375層高密度產品的位元生產力與成本競爭力，而非全面擴大總產能。