駿HaYaO(@QQ_Timmy):三星電子社長兼CTO宋在赫於半導體博覽會發言三星確認開發4F²： 2026年10月14日，三星電子社長兼CTO宋在赫在SEDEX 2026現場確認，公司也在開發4F²技術，並表示「正在努力」，但未透露具體進度或量產時程。 4F²技術說明：相較現行主流6F²結構，4F²可將DRAM單元面積縮減約三分之一，在相同晶片面積內容納更多單元，有助提升容量與成本競爭力。 CXMT引發市場關注：中國長鑫存儲（CXMT）總裁曹堪宇日前宣布，已在4F²架構取得關鍵進展，並計畫於2026年底前推出採用該技術的伺服器DDR5 RDIMM產品。韓廠早有布局：三星與SK海力士早已投入4F²研發。SK海力士去年已公開4F² VG（Vertical Gate）平台及3D DRAM路線圖。業界看法：因無法取得EUV設備，CXMT選擇4F²作為突破路徑，但良率提升仍是重大挑戰；部分分析認為市場對中國追趕速度的擔憂有所誇大。

2026.10.15 11:10

三星電子社長兼CTO宋在赫於半導體博覽會發言三星確認開發4F²： 2026年10月14日，三星電子社長兼CTO宋在赫在SEDEX 2026現場確認，公司也在開發4F²技術，並表示「正在努力」，但未透露具體進度或量產時程。 4F²技術說明：相較現行主流6F²結構，4F²可將DRAM單元面積縮減約三分之一，在相同晶片面積內容納更多單元，有助提升容量與成本競爭力。 CXMT引發市場關注：中國長鑫存儲（CXMT）總裁曹堪宇日前宣布，已在4F²架構取得關鍵進展，並計畫於2026年底前推出採用該技術的伺服器DDR5 RDIMM產品。韓廠早有布局：三星與SK海力士早已投入4F²研發。SK海力士去年已公開4F² VG（Vertical Gate）平台及3D DRAM路線圖。業界看法：因無法取得EUV設備，CXMT選擇4F²作為突破路徑，但良率提升仍是重大挑戰；部分分析認為市場對中國追趕速度的擔憂有所誇大。