【信じていたHBMまで…韓国半導体の核心動力も中国が追い上げる】 韓国半導体の核心動力である広帯域メモリー（HBM）でも中国との技術格差が大きく縮まった。中国はDRAM市場で稼いだ莫大な収益を基にHBM追撃の速度をさらに引き上げるものと予想される。 韓国半導体産業協会によると、韓中のメモリー半導体技術格差はHBMが3年、DRAMが2年、NAND型フラッシュが1年に縮まった。数年前には5年以上と評価されていた格差が、メモリー工程上事実上「1世代」以下に減ったという意味だ。 これは実体にもあらわれている。中国長鑫存儲技術（CXMT）は最近アリババ子会社のTヘッドなどファブレス（半導体設計業者）とともに第5世代HBMである「HBM3E」をテスト中で、早ければ来年からこれを搭載したIT製品を発売する予定だ。HBM3Eはサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンが生産するHBM4よりわずか1世代差の製品だ。 出典：中央日報

⚙️NVIDIAがHBM4の主力を12段から8段へ替えてほしいと頼んだ | 歩留まりが落ちるのはDRAMでなく積む工程だ 000660.KS 005930.KS NVIDIAが韓国の2社へ出したのは、増やしてくれという依頼ではなかった。 ZDNet Koreaが8月26日に伝えたところでは、SamsungとSK hynixは今年下半期、NVIDIA向けHBM4の出荷で8段品の比率を引き上げる。両社はここまで、次世代AIアクセラレータVera Rubin向けに12段品を供給してきた。量産出荷の開始はSamsungが1〜3月期、SK hynixが4〜6月期とみられている。すでに走っている供給への、途中変更だ。 > 最近NVIDIAから、HBM4の主力供給製品を12段から8段へ変更してほしいという要請があった。それに合わせて下半期の供給計画が修正されたと理解している > （メモリ半導体業界関係者） 段数はそのまま容量になる。HBMはDRAMを縦に積んだメモリで、12段は12枚重ねたという意味だ。Vera Rubinは1基あたりHBM4を288GB載せる。8つのスタックに分けるので1つが36GB、それが12段の姿だ。同じ8スタックを8段で組めば24GBずつ、合計は192GBに下がる。 ただし動いているのは比率で、8段が何割まで来るかはまだ決まっていない。もう一人の関係者は、8段への需要はもともと一部あったが下半期に増え、関連する素材・部品の発注にも影響が出た、と話している。 減らすほうへ動いた理由は、同紙の中で2つに分かれている。 一つは熱だ。HBM4はデータの通り道である入出力端子を前の世代の2倍、2,048本へ増やした。増えた分の発熱は個別のチップに留まらず、サーバーラック全体に乗る。 熱を逃がす構造そのものは用意されている。8月23日のHot Chips 2026に登壇したSK hynix Americaのパッケージ技術担当VP、Jaesik Leeは、5月に自社が公開した熱ブロックを詳しく説明したうえで、この構造はすでに設計に入ったHBM世代へは適用できないと断った。HBM4はもう設計を終えている。この熱ブロックで解く道は、この世代には残っていない。 もう一つが歩留まりで、今回の芯はこちらにある。 HBMはいま極度の供給難にある。そのうえHBM4は、性能と集積度を上げたぶん歩留まりを取りにくい。同紙が書いているのは、その落ち方の場所だ。HBMの中身であるDRAMコアダイの歩留まりは比較的速く引き上げられる。落ちるのは、それを12枚積み、接合し、パッケージする工程のほうだという。 良品が減っているのは、DRAMを作る工程ではない。積む工程だ。 積む工程がいちばん狭い場所なら、そこを通す数を増やす一番速い手段は、新しい棟でも新しい装置でもない。積む回数を減らすことだ。増えるのは通るスタックの数で、1本に載る容量のほうは減る。 段数を変えてほしいと言われた製品の重さも、数字で出ている。Samsungでメモリのグローバル営業・マーケティングを統括するJaejune Kimは、7月30日の決算説明会で、下半期はHBM売上に占めるHBM4の比率が60%をかなり上回ると述べた。下半期のHBM売上の主力が、今回の変更の対象にあたる。 いまVera Rubin向けに12段のHBM4を量産供給しているのが SK hynix 000660.KS と Samsung 005930.KS で、同紙が計画を伝えているのもこの2社に限られる。 業界側の受け止めは、それでも冷静だ。 > NVIDIAは最新のAIプラットフォームを設計するうえで発熱管理を最も重視している。個別チップのスペックを下方調整するというより、システム全体で最適な組み合わせを探す過程であり、市場全体の需要に大きな変動を起こすものではない > （半導体業界関係者） 同じ変更は、次の世代へもう入り始めている。HBM4の後継のHBM4Eも、当初の12段ではなく8段中心の出荷になる公算が高いという。HBM4EはNVIDIAのRubin Ultra向けの製品だ。 > 12段と16段のHBM4Eサンプルも議論されてはいるが、いまの顧客との議論を見ると、来年供給されるHBM4Eは8段が主力になる可能性が高い。ただしRubin UltraがHBM4EとHBM4のどちらを使うのかといった論点が残っており、業界全体の不確実性は高い > （メモリ半導体業界の高位関係者） 見るべきは来年のHBM4Eの段数だ。8段で出てくれば、段数は積み上がっていくものだという前提が2世代続けて止まる。12段や16段で出てくれば、止まったのはHBM4の1世代だけということになる。 そのどちらになるかを決めているのが、いまのところJEDECの規格書ではなく客の発注書のほうだ、という点は覚えておいていい。 🤘情報提供 Stock Slayer :