【韓国SK Hynix、宮城県に半導体工場の計画浮上　「何か知り得ているものはない」と村井知事】 韓国半導体大手SK Hynixが宮城県にメモリー工場を建設する計画が浮上したことについて、宮城県の村井嘉浩知事は8月26日の定例記者会見で「いろんな半導体関連企業にアプローチしたのは事実だが、今回の件で県として何か知り得ているものはない」と述べ、今後も動向を注視する考えを示した。 この計画は21日、韓国紙の報道で明らかになった。報道によれば、SK Hynixが宮城県にメモリー工場の建設を検討し、投資規模は数兆円に上る可能性があると業界関係者の話として報じた。計画が実現すれば、韓国の半導体企業として初の日本進出となり、東北エリア全体の地域経済に与えるインパクトは計り知れない。 ただ、宮城県では台湾の半導体大手、力晶積成電子製造（PSMC）が同県大衡村に進出することを決めながら、2024年9月に白紙撤回した経緯もある。村井知事は会見で「PSMCの誘致には成功したが、先方の都合で頓挫した。今回の件も先方から何も情報提供はなく、私がコメントできる状況にはない」と述べるにとどまり、慎重な姿勢を崩さなかった。 出典：ITmedia NEWS

💡工場のために集めた40兆ウォンの6週間後、SK hynixは同じ40兆ウォンを自社株へ向けた | 消す株数は売った株の1.35倍だ 000660.KS $SKHY 六週間前に新株を売った会社が、いま自社株を買い戻している。しかも集めた額とほぼ同じ金額で、売った株数より多い株数を消す。 決めたのは8月19日のSK hynix 000660.KS の取締役会だ。取得額はおよそ40兆ウォン、株数にして上限2,407万株、発行済株式のおよそ3.3%にあたる。8月20日から11月19日までの三か月で買い付け、全株を消却する。 売ったほうは7月10日だった。SK hynixは米国でADSを1株149ドルで売り出している。普通株1,779万株分にあたり、調達額は265億700万ドル、ウォンにして40兆230億ウォン。外国企業による米国上場としては過去最大で、需要は売り出し株数の7倍を超えた。Reutersは同じ日、この資金がAIチップ需要の急増に応える新工場と装置を賄うものだと伝えている。 1株あたりに直すと、売りは約225万ウォン。買いのほうは割り戻すまでもない。40兆ウォンを2,407万株で割ると166万2,000ウォンで、これは決議前日、8月18日のソウルの終値そのものだ。26%安い値段で、35%多い株数を消す（売値と倍率は公表額を株数で割った筆者の計算）。 差を作ったのは株価だ。7月10日のソウルの終値は218万ウォン、決議日の8月19日は150万ウォンで、31%下げていた。会社は発表文に、事業競争力と現金創出力に裏づけられた本源的価値が現在の株価に十分反映されていない、と書いた。 なぜ工場ではなく株なのか。 4〜6月期の売上高は79兆3,187億ウォン、営業利益は60兆5,426億ウォンで、営業利益率は76.3%だった。同じ四半期に設備へ入れた金は10兆6,710億ウォン、営業利益の17.6%にとどまる。2023年のこの会社は、7兆7,303億ウォンの営業赤字を出しながら、8兆3,251億ウォンを設備に入れていた。 金額としては増えている。上期の設備投資18兆5,364億ウォンは、2025年通年の28兆5,793億ウォンを上回るペースだ。落ちたのは売上高に対する割合のほうで、2025年の29.4%から上期は14.1%になった。 分母だけが走ったからだ。売上を押し上げているのは数量ではなく単価で、単価は四半期のうちに何倍にもなる。ウェハーはならない。装置の納期もクリーンルームの工期も、値段では縮まない。 SK Groupの崔泰源会長が7月の記者ブリーフィングで数字を挙げている。顧客が2027年に求めるAIメモリは、今年より60〜100%多い。供給側については一行で済ませた。来年、意味のある新規能力を立ち上げる会社は一社もない。 手を抜いているわけではない。2月25日には龍仁クラスター第1工場へ21兆6,000億ウォンの追加投入を発表した。最初のクリーンルームは5月から2027年2月へ前倒しになっている。清州のM15XはHBM専用のDRAM拠点へ転換中だ。それでも、入ってくる現金の速さには追いつかない。 40兆ウォンは、その追いつかなかった分の形をしている。上期の設備投資の2.2倍、6月末の純現金69兆ウォンの58%が、三か月で株式の消却へ回る。還元方針の文言も変わった。2025〜2027年の目標は累積フリーキャッシュフローの「50%以内」から「50%超」へ。上限だった数字が下限になっている。 2,407万株は前日の終値で割った数字だから、株価が動けば消える株数も動く。8月21日の終値173万ウォンが三か月続けば、同じ40兆ウォンで消せるのは2,312万株だ。株価が戻るほど、消える株は減る。 発表翌日の8月20日は12.7%高の169万1,000ウォン、21日は173万ウォンで引けた。二日で15%戻した計算になる。ただし値段が受け取ったのは消却の規模までだ。設備投資の割合が戻るかどうかは、まだ入っていない。 同じことはSamsungでも起きている。それでも今回SK hynixを見る理由がある。Counterpoint Researchの集計で、2026年1〜3月のHBM売上シェアは58%。その首位が、還元の中身だけを7月まで空白にしていた。 見るべきは自社株買いそのものではない。設備投資が売上に占める割合が、いつ29%台へ戻るかだ。 戻らないうちは、崔会長の言う供給不足は会社自身の帳簿で裏づけられ続ける。40兆ウォンはその領収書になる。 上期の14.1%を大きく上回る2027年の投資計画が出るとする。それでも消却が続くなら、話は物理的な限界ではなく株価の安さだった。逆に14%台のまま張り付くなら、増えた現金は工場へ向かっていない。品薄がいつ緩むかを需要側の予測から読もうとしても、そこに答えは無い。決めるのは、この会社が金を工場へ変える速さのほうだ。 🤘情報提供 Stock Slayer :

◆ 半導体株 急上昇 ・Sandisk 26%高 ・キオクシア（ADR）25%高 ・Micron 18%高 ・SK hynix 18%高 ハイパースケーラーの「AI投資の鈍化懸念」が和らぎ、急激にリバウンドしています。 きょうはキオクシアの決算発表もあります。 ▼ note「朝メモ」

🧩HBMの壁は段数から、GPUと話す数ミリ角の温度へ移った | SamsungもSK hynixも次に足すのは冷やす構造だ 005930.KS 000660.KS 8月23日にStanfordで開幕したHot Chips 2026は、初日をチュートリアルに充てている。その一枠がメモリで、Micron、Samsung、SK hynixが順に登壇した。SamsungとSK hynixが次の世代に足すと説明したのは、容量でも帯域でもない。同じ数ミリ角を冷やすためだけの構造だった。 その数ミリ角をダイ間PHYと呼ぶ。HBMの一番下に敷くベースダイの上にあり、積み上げたDRAMとGPUの間で信号をやり取りする回路のことだ。標準的なHBMではこのPHYがベースダイの中で最大のブロックになる、とSamsungは説明した。 Samsungが示した設計は、そこを縮める。従来のHBM PHYを先端ロジックで作るダイ間インターフェースへ置き換えると、面積が縮み、信号の通り道が短くなり、1ビットあたりのエネルギーが下がる。空いたシリコンはGPU側の面積へ回せる。メモリを売る会社が、計算する側の陣地を広げる提案をしている。 代償は同じ資料に書いてある。通り道を短くすればエネルギーは下がるが、小さくなったPHYへ同じ電力を詰めれば電力密度が上がり、そこがホットスポットになる。SamsungはsHBM4EからsHBM5へ向かう区間でI/O速度がおよそ倍になり、電力密度が0.5W/mm²から2.0W/mm²超へ上がる数字を置いた。面積を稼ぐ動きが、自分で熱を作っている。 その熱を運び出すのがHeat Path Blockだ。ベースダイのダイ間PHYに専用の熱の通り道を作る構造で、PHYの被覆率を5割超まで上げるとピーク温度が35%超下がるという。Samsungはこれを現在HBM4Eで検証しており、採用はHBM5世代からと置いている。 SK hynixが同じ日に説明したi-HBMも、置く場所は同じだ。熱が最も集中するダイ間PHYの領域へ、電気を通さず熱をよく通すシリコン系の部材を直接埋め込み、コアダイ越しに逃がす従来の経路とは別の放熱路を作る。熱抵抗の低減幅は30%。搭載はHBM5を含む次世代からになる。名前も構造も違うが、狙う一点と入れる世代は同じだ。 段数の議論は、この熱の議論に吸収されつつある。SK hynixのHBM4は48GBで、12段が量産、16段が認定中だ。HBM3Eで16段を組んだとき、同社は同じ高さの枠に2段を足すため、チップの厚みも隙間も接合部の間隔もおおむね半分にした。20段以上へ向かえば熱管理が拘束条件になる、と講演では言い切っている。同じ枠で先に話したMicronは、演算性能が2年で3倍伸びる一方でHBMの帯域は2倍に届かないと示し、その差を埋める作業がいま熱と実装の問題になっていると並べた。 この二社の損益は、いまメモリが決めている。SamsungのQ2連結営業利益は89.5兆ウォン、そのうち89.2兆ウォンが半導体のDS部門から出た。SK hynixは同じ四半期に売上79兆3,187億ウォン、営業利益60兆5,426億ウォンで、営業利益率76%。段数を伸ばせるかどうかは、この数字の続きにそのまま効いてくる。 HBMの優劣は、長いあいだ段数で語られてきた。次の世代でそれを決めるのは、GPUと話す数ミリ角が何度まで耐えるかになる。HBM5の仕様が並ぶとき、容量と帯域の下に熱の構造が載っているかを見ればいい。そこに書ける会社だけが、20段の話を続けられる。 🤘情報提供 Stock Slayer :

【速報】🇰🇷韓国政府は、サムスン労働者のストライキを防ぐため「あらゆる選択肢」を検討すると述べた AIブームで過去最高益を記録したサムスンでは、SK Hynixの超高額ボーナス（社員1人あたり約6600万円）報道をきっかけに、社員不満が拡大しているとの見方も

【AppleのNAND LTA報道、確定と観測を整理】 ✅ AppleがNANDの長期供給契約（LTA）に動いたと韓国メディア→TrendForceが報道 🔸 契約相手は非公表。ただしキオクシアが有力候補 🔸 3〜5年・価格上限なしは現時点では市場観測 ✅ Apple－CXMTのLPDDR5X価格交渉は決裂との報道 → CXMTがSamsung/SK hynix並み、あるいはそれ以上の価格を要求 ※ただしAppleはCXMT製品のテスト自体は継続している模様 🔸 次に注目されるのがDRAM Samsung、SK hynix、MicronとのLPDDR5X／LPDDR6 LTAに発展する可能性が指摘されているが、これはまだ観測。 ここで一番重要なのは「キオクシアに決まった」ことではない。 あのAppleですら、メモリ調達で「安く買う」より 「数量を確保する」ことを優先し始めた可能性があること。 Apple自身も10-QでNAND／DRAMの「供給制約＋コスト上昇」を認めている。 もし本当に「価格上限なし」のLTAまで広がるなら、メモリ業界の価格決定力が買い手側からメーカー側へ移っていることを象徴する話。 $AAPL $KIOXIA $SNDK $MU $SKHY

【エンタープライズSSDベンダ売上高トップ5】 TrendForceによると、NANDサプライヤは、利益の向上を図るためエンタープライズSSD製品の拡販を進めており、出荷量の増加と契約価格の上昇を背景に、エンタープライズSSDブランドの売上高トップ5の合計金額は2026年第2四半期に前四半期比103.6％の375億9000万ドルに達した。 1位 Samsung：143億5000万ドル 176層QLC製品の出荷量が大幅に伸びたのと同時に、出荷構成におけるハイエンドPCIe 5.0製品の割合も増加した ２位 SK hynix：86億3000万ドル 321層TLC製品の出荷を拡大させたほか、子会社のSolidigmが大容量QLCエンタープライズSSDを出荷したことを後押しに強い成長 ３位 Micron：69億8000万ドル トップ5社中でもっとも高い成長率126.3％増を達成。 生産能力の大部分をエンタープライズSSDとHBMに集中させており、232層QLCベースの大容量製品の出荷量が増加したことに加え、PCIe 6.0エンタープライズSSDの開発と認証においても主導的な役割を果たしている ４位 キオクシア：46億4300万ドル 218層ベース製品の生産拡大と、サーバブランドにおける調達シェアの増加によるもの ５位 Sandisk：29億8000万ドル 大容量QLCエンタープライズSSDの量産拡大に伴う出荷量の増加を背景に売り上げを伸ばした 出典：TECH+

【世界半導体企業ランキングでキオクシア8位、26年Q2】 Semiconductor Intelligence（以下、SI）は2026年8月26日、WSTS（World Semiconductor Trade Statistics／世界半導体市場統計）や半導体メーカー各社のデータを基に、2026年第2四半期（4～6月）の半導体市場の推移や売上高ランキングなどをまとめたレポートを発表。 日本勢トップはキオクシアで、トップ20社中、最も高い伸びを示して8位にランクインした。 市場の急成長をけん引しているのは引き続きAI関連需要だ。 １位：NVIDIA（962億米ドル、+18%） ２位：Samsung（832億米ドル、+62%） ３位：SK hynix（518億米ドル、+51％） ４位：Micron Technology（415億米ドル、+74％） ５位：Broadcom（294億米ドル、+33％） 出典：EE Times Japan

⚙️NVIDIAがHBM4の主力を12段から8段へ替えてほしいと頼んだ | 歩留まりが落ちるのはDRAMでなく積む工程だ 000660.KS 005930.KS NVIDIAが韓国の2社へ出したのは、増やしてくれという依頼ではなかった。 ZDNet Koreaが8月26日に伝えたところでは、SamsungとSK hynixは今年下半期、NVIDIA向けHBM4の出荷で8段品の比率を引き上げる。両社はここまで、次世代AIアクセラレータVera Rubin向けに12段品を供給してきた。量産出荷の開始はSamsungが1〜3月期、SK hynixが4〜6月期とみられている。すでに走っている供給への、途中変更だ。 > 最近NVIDIAから、HBM4の主力供給製品を12段から8段へ変更してほしいという要請があった。それに合わせて下半期の供給計画が修正されたと理解している > （メモリ半導体業界関係者） 段数はそのまま容量になる。HBMはDRAMを縦に積んだメモリで、12段は12枚重ねたという意味だ。Vera Rubinは1基あたりHBM4を288GB載せる。8つのスタックに分けるので1つが36GB、それが12段の姿だ。同じ8スタックを8段で組めば24GBずつ、合計は192GBに下がる。 ただし動いているのは比率で、8段が何割まで来るかはまだ決まっていない。もう一人の関係者は、8段への需要はもともと一部あったが下半期に増え、関連する素材・部品の発注にも影響が出た、と話している。 減らすほうへ動いた理由は、同紙の中で2つに分かれている。 一つは熱だ。HBM4はデータの通り道である入出力端子を前の世代の2倍、2,048本へ増やした。増えた分の発熱は個別のチップに留まらず、サーバーラック全体に乗る。 熱を逃がす構造そのものは用意されている。8月23日のHot Chips 2026に登壇したSK hynix Americaのパッケージ技術担当VP、Jaesik Leeは、5月に自社が公開した熱ブロックを詳しく説明したうえで、この構造はすでに設計に入ったHBM世代へは適用できないと断った。HBM4はもう設計を終えている。この熱ブロックで解く道は、この世代には残っていない。 もう一つが歩留まりで、今回の芯はこちらにある。 HBMはいま極度の供給難にある。そのうえHBM4は、性能と集積度を上げたぶん歩留まりを取りにくい。同紙が書いているのは、その落ち方の場所だ。HBMの中身であるDRAMコアダイの歩留まりは比較的速く引き上げられる。落ちるのは、それを12枚積み、接合し、パッケージする工程のほうだという。 良品が減っているのは、DRAMを作る工程ではない。積む工程だ。 積む工程がいちばん狭い場所なら、そこを通す数を増やす一番速い手段は、新しい棟でも新しい装置でもない。積む回数を減らすことだ。増えるのは通るスタックの数で、1本に載る容量のほうは減る。 段数を変えてほしいと言われた製品の重さも、数字で出ている。Samsungでメモリのグローバル営業・マーケティングを統括するJaejune Kimは、7月30日の決算説明会で、下半期はHBM売上に占めるHBM4の比率が60%をかなり上回ると述べた。下半期のHBM売上の主力が、今回の変更の対象にあたる。 いまVera Rubin向けに12段のHBM4を量産供給しているのが SK hynix 000660.KS と Samsung 005930.KS で、同紙が計画を伝えているのもこの2社に限られる。 業界側の受け止めは、それでも冷静だ。 > NVIDIAは最新のAIプラットフォームを設計するうえで発熱管理を最も重視している。個別チップのスペックを下方調整するというより、システム全体で最適な組み合わせを探す過程であり、市場全体の需要に大きな変動を起こすものではない > （半導体業界関係者） 同じ変更は、次の世代へもう入り始めている。HBM4の後継のHBM4Eも、当初の12段ではなく8段中心の出荷になる公算が高いという。HBM4EはNVIDIAのRubin Ultra向けの製品だ。 > 12段と16段のHBM4Eサンプルも議論されてはいるが、いまの顧客との議論を見ると、来年供給されるHBM4Eは8段が主力になる可能性が高い。ただしRubin UltraがHBM4EとHBM4のどちらを使うのかといった論点が残っており、業界全体の不確実性は高い > （メモリ半導体業界の高位関係者） 見るべきは来年のHBM4Eの段数だ。8段で出てくれば、段数は積み上がっていくものだという前提が2世代続けて止まる。12段や16段で出てくれば、止まったのはHBM4の1世代だけということになる。 そのどちらになるかを決めているのが、いまのところJEDECの規格書ではなく客の発注書のほうだ、という点は覚えておいていい。 🤘情報提供 Stock Slayer :