【2026世界傳統醫藥大會在北京開幕】 為期兩天的2026世界傳統醫藥大會17日在北京開幕。本屆大會吸引全球90多個國家和地區數千名代表以“科技賦能 融合發展：推動人人享有傳統醫藥”為主題，分享實踐經驗、凝聚合作共識。 17日上午，中國國務院總理李強出席大會開幕式並致辭。他結合中國傳統醫藥發展實踐，分享三點體會和思考。 第一，傳統醫藥是守護人類健康和推動文明進步的獨特力量。傳統醫葯來源於數千年的生產生活實踐，是人類與疾病抗爭、與自然共生積澱的智慧結晶。歷經長期發展，傳統醫藥的內涵持續豐富，承載的功能、使命日益拓展，已成為保障生命健康的重要法寶、傳承多樣文明的重要載體、增進各國友誼的重要紐帶。 第二，中國的傳統醫藥在長期實踐中走出一條獨具特色的發展之路。中國政府歷來高度重視中醫藥發展。我們堅持守正創新，既堅守中醫藥的“根”和“魂”，又運用現代科技推進中醫藥創造性轉化、創新性應用。我們強化政策支持，積極推動中醫藥在各級醫療機構、各類診療場景中廣泛應用。我們注重兼收並蓄，學習借鑒各國優秀傳統醫藥先進理念和技藝。這些寶貴經驗，也為世界傳統醫藥發展提供有益借鑒。 第三，著眼時代挑戰共促傳統醫葯煥新發展。國際社會應當加強協作，整合用好世界傳統醫藥資源，共同應對人類健康面臨的挑戰。要強化科技賦能，加快傳統醫藥創新發展。中國將推動中醫藥數智化轉型，鼓勵支持中外科研機構、企業積極參與。要深入交流合作，凝聚傳統醫藥發展合力。中國將持續擴大醫療服務開放試點，願同各方一道推進“一帶一路”藥用資源保育中心建設。要推進普惠共享，更好促進全球健康公平。中國將在力所能及範圍內履行自身責任，為彌合全球健康鴻溝貢獻力量。 大會由北京市人民政府、中國國家衛生健康委員會、中國國家中醫藥管理局、中國國家藥品監督管理局共同主辦，世界衛生組織聯合舉辦。（來源：香港新聞網） 詳情：

A股生物创新药利好： 技术创新公告（近1-2周） - 骄成超声：先进超声波扫描显微镜（C-SAM）获国内头部半导体存储厂商正式订单，覆盖晶圆级/2.5D/3D/面板级封装检测；超声波固晶机同步落单。C-SAM为HBM堆叠、CoWoS封装良率把关件，长期被德国PVA、美国Sonoscan垄断，此单标志超声检测国产替代破冰。 - 昊海生科：控股子公司自主研发的三焦点环曲面人工晶状体获NMPA注册证，系国内首款国产三焦点散光人工晶状体，突破三焦点与环曲面复合光学技术。 - 恒瑞医药：子公司注射用瑞康曲妥珠单抗第三项适应症获批，成为中国首个获批用于结直肠癌的抗HER2产品。 - 康希诺：青少年及成人用五组分百白破联合疫苗药品注册申请获受理，纳入优先审评，国内暂无同类获批产品。 - 百济神州：Q2全球收入17亿美元（+30%），泽布替尼单季12亿美元，上调全年指引至66-68亿美元，创新药出海用美元收入验证规模化盈利。

住友金屬礦山株式會社（總部：東京都港區）此次成功開發出全球首款（※）12 英吋（300mm）貼合式碳化矽（SiC）基板「SiCkrest®」（賽克雷斯特®），並已向半導體製造商進行樣品出貨。 此為符合功率半導體市場對 SiC 基板大口徑化需求的重要技術成果。該基板將於 9 月 27 日至 10 月 2 日在太平洋橫濱北館（神奈川縣橫濱市西區）舉行的國際會議 ICSCRM 2026（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2026）G-2 展位展出。 住友金屬礦山的 SiCkrest 是功率半導體的主要材料 SiC 基板，透過應用獨家接合技術將晶圓做成雙層結構，兼顧性能與低成本。在低電阻多晶 SiC 支撐基板上，薄薄貼合高品質單晶層，既能維持單晶特性，又能實現基板整體低電阻化並抑制通電劣化。 功率半導體市場在提升電力轉換效率與裝置小型化的需求下，SiC 功率半導體的採用正持續擴大。同時，SiC 基板大口徑化被視為可降低製造成本、提升生產效率的關鍵，備受關注。 住友金屬礦山今後將持續擴充 SiCkrest 的用途開發與供應體制，為功率半導體市場的材料技術發展做出貢獻。同時將活用從原料到基板製造的一貫生產體制，作為支撐次世代元件開發的夥伴，持續回應客戶需求。

早安！9/11 外電綜合整理 - 2330台積電: 美系重申正向 美系券商重申先進製程晶圓與先進封裝產能仍然吃緊，重申長期毛利率56%以上的目標不變。亞利桑那州一期廠良率已達到與台灣相當水準，且已經開始獲利。預期未來最先進的製程仍留在台灣，五年後約有30%的N2及更先進製程產能位於海外尤其美國。新製程爬坡、定價、成本、產品組合、產能利用率及匯率是影響獲利的6大關鍵，重申正向。 - 2303聯電: 美系重申正向 美系券商觀察產能利用率正接近90%，且客戶訂單能見度已延伸至年底（～之前能見度僅2個月）。券商認為如果產能利用率持續滿載，明年的價格趨勢會更正面，且ASP每上漲1%，毛利率約可改善0.5～0.6個百分點。此外，正在新加坡建置專用的12吋矽光子產能，新廠預計約 14個月後準備就緒。最後，先進封裝是聯電第三個主要的結構性成長動能，包括中介層（interposer）、wafer-to-wafer晶圓對晶圓鍵合、混合鍵合（hybrid bonding）、DTC及相關封裝製程，未來矽光子也能用上。重申正向。 - 大立光、玉晶光：美系降評但升目標 美系大行肯定iPhone 18 Pro 與 Pro Max 首次採用可變光圈主相機，代表重大的硬體規格升級。可變光圈鏡頭的 ASP將高於傳統鏡頭；也在與主要客戶共同開發新型潛望式鏡頭。但認為大立光、玉晶光的股價行為已反應了市場對於CPO領域的關注，在上修獲利預估的同時，同時下調評等。 - 3013晟銘電： 亞系券商通路訪查主要ASIC客戶的出貨量預計將較去年成長數倍，包含市占率提升。並同時切入電源機櫃與交換器等新應用。產品組合也有改善：液冷專案增加＋機殼複雜度提高。Sidecar及液冷的毛利率也高於公司平均毛利率。券商預期明年營收、毛利率、獲利同步增長。 #下次會考#

AI 好像曾经的币圈，也许比币圈还疯狂。 早在 2024 年，币圈就有 ai16z、山羊 GOAT。今年 AI 起飞，只有币圈不跟涨。 AI 存储，闪迪涨到 2200 美金，美光涨到近 1200，币圈的存储龙头 FIL 从 430 美金跌到 0.8 美金，AI 相关代币更是大多归零。 归根结底，还是交易所没有严格的背调审查机制，只会赚手续费。这些所谓的 AI 项目，都是依靠 PPT 和名人喊单。 今年 AI 有多疯狂，很多人还没意识到。日本有个做马桶的 TOTO，今年股价上涨了 60%。 TOTO 有款静电吸盘，用于Ai存储芯片，在半导体晶圆制造里，只有它能固定硅片，并保持热稳定和平整。 就连安徽一家做铜箔的公司，都因为沾上 AI 服务器材料链，从八块钱被炒到两百附近。 对普通人来说，AI 时代是最残忍的时代。它告诉你机会在哪，钱就在眼前，可你就是赚不到。

行业深研：LSA--2nm的隐形分水岭 在先进制程不断逼近物理极限的过程中，“热”成为最核心的变量之一，一点点温度偏差都容易让良率不可接受。 LSA这种退火设备，在先进节点中，它的意义已经发生变化。 前道制造中，离子注入是不可绕开的步骤。它负责将掺杂原子打入硅中，定义器件电学特性，同时不可避免地破坏晶格结构。 退火的作用，是完成两件事：修复晶格、激活掺杂。传统路径是炉管或快速热退火（RTA），通过整体加热晶圆，让原子在高温下重新排列。但问题在于，这种加热是全局的，时间是秒级甚至更长，掺杂在被激活的同时发生扩散，结变宽、边界变钝。 在28nm、14nm时代，这种扩散仍然可以容忍。但进入7nm以下，尤其是从FinFET向GAA（Gate-All-Around）过渡之后，器件尺寸逼近物理极限，任何额外扩散都会直接侵蚀性能窗口。问题从“需要退火”变成“需要一种不带副作用的退火”。 LSA通过在纳秒到微秒级时间内对晶圆表面进行瞬时加热，温度可以高于传统退火，但因为持续时间极短，热扩散被压制在极浅范围内。随后快速冷却，掺杂被激活、晶格被修复，但位置几乎不发生迁移，从而形成极浅且陡峭的结。这直接对应更低漏电、更高开关速度以及更可控的电场分布。 放在器件结构演进中看：FinFET解决的是平面器件失效后的继续缩放问题；GAA通过四面包裹沟道提升栅控能力，使先进节点仍能前进一段；而未来的CFET（Complementary FET），则是在横向无法继续压缩之后，通过垂直堆叠来延续密度提升。在这一过程中，结构不断演进，但约束条件在收紧，而“热预算”逐渐成为最硬的边界。 GAA的核心变化是channel更薄、间距更小、结构更复杂，任何额外的热扩散都会直接改变器件的几何与电学特性。source/drain掺杂会向channel侵入，短沟道效应迅速恶化；nanosheet之间的间距与应力分布被扰动，电场控制能力下降；接触区域本身极小，轻微扩散就会带来显著电阻变化。在这一结构下，热扩散不再是性能损失，而是结构破坏。 这也是传统退火开始失效的原因。你仍然可以用它激活掺杂，但代价是把设计好的器件“热模糊”。最终得到的是一个可以导电但偏离设计窗口的晶体管。 LSA正好解决的是这个矛盾。它将“温度”和“时间”解耦：允许极高温度，但把作用时间压缩到扩散尚未来得及发生的尺度；同时通过线光束扫描，仅作用于表面区域，避免深层结构受热。 高温、极短时间与局部控制这三个条件，在现有热处理方案中几乎只在LSA上同时成立。因此，在FinFET时代，LSA更多是性能增强工具，而到了GAA，它的角色变成“结构可行性工具”。 随着节点进入3nm、2nm甚至更小，热处理不再是一个可以灵活调整的工艺步骤，而成为限制器件设计空间的核心变量。LSA的重要性也因此被重新定价，从“可选项”逐步向“默认配置”转变。 GAA仍将是未来5到8年的主线，但其边际收益正在递减。随着尺寸进入2nm及以下，问题开始转向材料与物理极限：沟道无法无限变薄，接触电阻快速上升，功耗不再按比例下降。行业的答案是转向三维结构，即CFET，将NMOS与PMOS垂直堆叠，在横向受限后向纵向要密度。 但CFET带来一个新的约束：热。GAA仍是单层结构，高温处理的容忍度较高；而在CFET中，任何一次高温工艺都有可能破坏已经完成的另一层结构。传统RTA这种“整片加热”的方式开始失效，因为其热扩散范围过大，无法实现层间隔离。 这使得LSA未来更加重要，其纳秒级时间尺度和纳米级加热深度，使其能够只处理单一层而不影响上下层器件。这种选择性热处理能力，是CFET工艺成立的基础。 这种变化也在重塑竞争格局。从设备层面看，LSA仍是一个多玩家市场，核心厂商包括Veeco Instruments Inc.、Applied Materials以及SCREEN Holdings。SCREEN依靠装机量与历史验证占据主流，Applied Materials凭借平台能力与客户绑定形成系统优势，而Veeco通过LSA在先进节点关键工艺中实现突破。 但真正的竞争不止于设备。第一层是设备厂之间的直接竞争；第二层是工艺路线竞争，即LSA与RTA等技术的取舍；第三层是系统级竞争，即谁能将设备、材料与工艺整合进完整流程。在GAA阶段，这种竞争更多体现在设备性能与参数能力上；而进入CFET阶段，竞争将转向与晶圆厂的深度协同，护城河从单一设备转向“设备+工艺+材料”的系统能力。 从客户导入情况看，Veeco已经完成最关键的一步，其LSA设备已进入头部先进逻辑厂，并在部分工艺中成为量产标准设备。这意味着技术已经通过最严格验证，并具备随产能扩张放量的潜力。但这种导入目前仍集中在局部工艺，而非全面主导。在存储领域，包括DRAM与HBM，LSA仍处于评估阶段，尚未进入大规模量产。 因此，LSA的竞争本质上是，谁能在温度控制、扫描均匀性、应力管理等细节上做得更好，谁就更有机会进入先进节点的标准工艺路径。 总的来说，从FinFET、GAA最后到CFET的演变中，LSA完成了从性能优化工具到结构实现基础的转变。下一阶段真正的瓶颈，不只是结构或对准精度，而是在多层堆叠前提下，是否能够完成掺杂激活与缺陷修复，同时不破坏其他层结构。这将决定先进制程的上限，也决定价值将集中在哪些环节。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议dyor

TrendForce: 2027年記憶體市況分化，DRAM供給持續吃緊、NAND Flash轉趨寬鬆 TrendForce指出，2027年記憶體市況明顯分化：DRAM因AI與HBM需求強勁、供給成長受限，持續緊縮且價格偏強；NAND Flash則因新產能釋放、消費需求疲弱，下半年轉趨寬鬆、價格恐修正。 DRAM方面 原廠雖提早擴產並加速製程升級，但多數新廠投片放量落在2027下半年，顯著產出至2028年才發酵。HBM製程耗用晶圓遠高於一般DRAM，新增投片無法等比例轉為位元產出，限制整體供給成長。需求端則受惠北美CSP資本支出、Intel／AMD新CPU平台、Agentic AI商業化，server出貨年增幅度將擴大，單機HBM與SOCAMM容量提升，推升DRAM位元需求維持高檔。消費型終端（手機、筆電）則因售價上調，出貨預期衰退。2026年供需缺口約-1%至-2%，2027年需求增速更快，缺口擴大；惟高價記憶體恐墊高CSP資本支出占比，是否影響採購仍待觀察。 NAND Flash方面 2026年以製程升級與提高enterprise SSD比重為主。2027年高層數產品加速導入、新廠產能釋出，位元供給成長將超越前一年。需求由AI server與高容量enterprise SSD（尤以QLC）支撐，消費性電子買氣仍受壓抑。產能開出後供需結構反轉，sufficiency ratio轉正、市場趨向寬鬆。若Agentic AI普及加速高速SSD需求，則有望趨近平衡。

1,000+ 美港股 & ETF 已上線 StableStock，持續增加中⋯⋯ 本期新標的已全數上線,以下是這批名單中的 6 個重點 - 2X Long AXTI Daily ETF( $AXTX) AXT Inc 的 2 倍日內槓桿 ETF —— 化合物半導體基板（InP、GaAs）龍頭，AI 數據中心光模組的關鍵上游 - First Solar( $FSLR) 美國最大薄膜太陽能模組製造商,IRA 補貼與清潔能源供應鏈回流的核心受益標的 - HawkEye 360( $HAWK) 太空射頻情報新銳,以衛星網絡定位無線電信號,服務國防、海事與國安客戶 —— 近期最受關注的國防科技 IPO 之一 - 藍思科技($06613) 蘋果產業鏈核心防護玻璃供應商,近年積極切入新能源車與智能穿戴賽道 - 招金礦業($01818) 中國純金礦龍頭,結構性黃金牛市下的高彈性做多工具 - Global X 亞洲半導體 ETF($03119) 一張 ETF 涵蓋亞洲半導體全產業鏈 —— 韓國存儲、日本設備、中國晶圓代工龍頭一網打盡 從化合物半導體槓桿到美國太陽能,從太空國防情報到港股消費電子,從黃金礦企到亞洲半導體 —— App 內還有更多新上線標的 一鍵以穩定幣交易,盡在 StableStock

矽電容（Silicon Capacitor） 1. 誕生背景與核心優勢 傳統鋁質電容與常規MLCC在HPC、AI伺服器、1.6T及以上高端光模組等高速、高發熱場景下，已無法滿足低熱敏、高穩定性、高頻濾波的需求。矽電容正是為此應運而生。核心優勢： - 透過閾值優化大幅提升性能，能有效過濾高速電流雜波、降低發熱干擾、保護主晶片。 - 大幅提升高端模組整體運行穩定性。 - 非MLCC：無需陶瓷封裝，以裸晶形態存在，直接替代主晶片周邊的高頻MLCC及傳統鋁質電容，是高端算力與光通訊專用的無源器件。 2. 技術與工藝特點 - 製程要求：僅需8吋、12吋成熟晶圓製程，無需5nm/7nm等先進製程。 - 核心技術壁壘：不在晶圓工藝複雜度，而在於電容/電感設計能力以及電力基礎技術累積。 - 最大工藝難點：切割環節（需精準避免損壞晶片）。國內掌握成熟切割工藝的廠商極少，這是當前產業核心壁壘。 - MLCC廠商轉產難度：極高。缺乏專項設計經驗與電力技術累積，跨界嘗試進展緩慢。 3. 完整產業鏈分工 - 晶圓製造：目前主要依賴國外晶圓廠。 - 封測環節： ‧ CP測試 ‧ 晶圓減薄 ‧ 磨平 ‧ 雷射切割（核心設備來自日本） - 出貨形式：以裸晶晶圓形式交付下游。 - 成本結構：封裝成本約占單顆整體成本的30%。 4. 產能、良率與擴產 - 晶圓尺寸：8吋與12吋均已量產。 - 單片晶圓產量：少則數萬顆，多則二十多萬顆（高端模組單片可達20-30萬顆）。 - 產能壁壘：量產階段壁壘不高，可透過新增設備快速擴產。 - 擴產規劃：多家企業三期工廠建設中，同時規劃先進封裝產能擴建。 5. 下游應用場景與用量（核心驅動力） 主要應用領域：高速光模組與HPC/AI伺服器。高速光模組： 800G光模組已部分搭載矽電容商用；1.6T光模組已正式商用出貨，單顆1.6T光模組需用到近20顆矽電容；後續3.2T光模組的矽電容用量將大幅提升。 AI伺服器： 算力模組整體用量龐大，例如英偉達相關AI伺服器單顆可使用4-6萬顆矽電容。 貼裝方式：由下游光模組廠商自行負責MSAP貼裝。 使用邏輯：並非絕對必須，但隨著1.6T+國產化推進，傳統電容無法滿足高傳輸速率與穩定性需求，矽電容成為優先替代方案。 6. 市場空間 對標MLCC成熟市場，矽電容整體市場空間可達數十億美元級別。目前MLCC尚未被完全替代，成長空間充足。 7. 競爭格局 海外：Murata、ROHM等成熟龍頭，技術領先。 中國國內：優質設計廠商各具特色，其中蘇納光電進展最快，已實現小批量量產（月產數百萬顆），深度綁定國內頭部光模組廠商。 傳統封測大廠（如日月光、矽品）：短期內不會重點布局。原因在於矽電容屬於細分利基賽道，毛利低於HBM、CoWoS、2.5D/3D等主晶片高端封裝，非其策略重點。 8. 獲利水平 矽電容封測毛利率低於HBM、CoWoS等高端封裝，但因雷射切割等環節在中國國內稀缺性高，目前整體利潤水平較好。