长鑫科技今天披露科创板 IPO 招股书。 Q1 营收 508 亿，净利润 330 亿，同比增速 719%。 上半年预期营收最高 1200 亿，净利润最高 750 亿。 拟融资 295 亿，要做国产存储芯片第一股。 驱动力只有一个：全球 DRAM 供不应求，AI 算力需求从 2025 年下半年开始把价格往死里顶。 不是存储变强了，是 AI 把需求顶上来的。

长鑫科技更新科创板 IPO 招股书，项目在补充财务资料后正式恢复审核。这家国内产能最大的 DRAM（动态随机存取存储器，即内存芯片）研发制造企业拟募资 295 亿元，投向产线改造与前瞻技术研发。 招股书原件显示了极其剧烈的利润跨度：长鑫在 2023 与 2024 年共亏损超 282 亿元，于 2025 年扭亏。而绝对的反转发生在 2026 年第一季度——公司单季营收达 508.00 亿元（同比暴增 719.13%），净利润直接拉升至 330.12 亿元（归母净利润 247.62 亿元）。 公司将这轮业绩暴涨归因于全球算力需求激增、DRAM 供不应求及合约价的大幅上涨。长鑫预计 2026 年上半年营收 1100 亿至 1200 亿元，净利润 660 亿至 750 亿元；不过这组未经审计的数据并不构成业绩承诺。 产品路线上，长鑫已完成从 DDR4/LPDDR4X 到 DDR5/LPDDR5X 的代际覆盖，高毛利的 DDR5 在 2025 年快速放量。据 Tom’s Hardware 报道，长鑫展示的 DDR5 芯片已达到 8000 MT/s 速率与单颗 24Gb 容量，正式切入全球高端速率区间。 招股书还显示，长鑫 2025 年前五大客户销售占比降至 39.85%，客户集中度继续下降。 同时此次 IPO 展现出极高的保密防御姿态：长鑫不仅成为科创板首单适用「预先审阅」机制的项目，还将前五大供应商全部以「供应商A」、「供应商B」代码掩码，仅披露采购品类与金额。

长鑫存储扩产的设备供应链全景 长鑫现在合肥两座、北京一座，三座12英寸厂。合肥一厂11万片月产能，二厂8万片，北京厂7万片，加起来接近30万片，全部满产。两年涨了三倍，2024年初差不多10万片，2025年底冲到28到30万，2026年目标稳在30万。按晶圆片数算全球DRAM占比已经接近15%，但按销售额算只有3.97%，片数堆上来了，单价还在追赶。 工艺端，G4在16纳米已经量产，DDR5良率从2024年底的80%升到现在的90%区间。G5对应15纳米，2026年底量产。HBM2去年下半年就上了，比外界预期提前两年，主要供华为昇腾910。HBM3的前段晶圆产能主要在合肥和北京现有基地内部腾出来，目标月产6万片，约占30万片总产能的20%。后段的堆叠和封装由上海新建的HBM封测厂承接，2026年底投产。 产能还在继续扩。上海新厂分两期，Phase 1产能10万片，2027年初量产，Phase 2同样10万片，2028年初量产。加上现有的30万片，远期产能目标是奔着50万片以上去的。华为也在建一条10万片规模的产线，专门配合长鑫做昇腾系列所需的HBM3和LPDDR5X，2026年下半年开始全面量产。 IPO募资295亿，DRAM技术升级拿了130亿，量产线升级75亿，前瞻技术研发90亿。多家券商纪要提到其中约200亿会直接变成设备采购订单，叠加2024年712亿的存量Capex节奏，是国产设备厂未来两年最确定的基本盘。 长鑫正在进行的大规模扩产，设备采购需求非常可观。每个品类的国产化进展差异很大。 光刻是最大的对外依赖，国产化率连5%都不到。主力机器是ASML的NXT:1980Di，每小时出275片，覆盖到16纳米节点，目前还能正常采购。被荷兰管制的是NXT:2050i及以上，每小时295片，2023年9月起要许可证，2024年1月起对华许可基本停发。修正一个流传很广的说法，275到295片是1980Di到2050i的代际跳变，不是1980系列内部的迭代。长鑫往15纳米以下走，这道墙绕不开。上海微电子的28/14纳米DUV还在攻关，光刻这一环短期无解。 刻蚀占设备投资25到30%，是国产化最深的核心工艺。北方华创的ICP在长鑫产线上市占超过50%，中微的CCP介质刻蚀机做到50比1以上深宽比，专门用于HBM的TSV深硅通孔。但存储节点100比1深宽比的极端工艺，孔洞必须互相平行规整，任何偏差直接砸良率，Lam和东京电子在这个区间仍然是主力。 薄膜沉积占约25%，品类分得细。PECVD做绝缘层，PVD做金属互连，ALD做电容器的高k介电层。拓荆科技的PECVD已经批量进入长鑫DDR5和LPDDR5产线，北方华创的PVD覆盖铝铜溅射和氮化钛溅射。但DRAM电容器核心的高k ALD设备，应用材料和ASM的位置很难动，拓荆的ALD在验证爬坡中还没有大规模上量。整体看PECVD和PVD的国产化率高一些，ALD最低。 CMP只占设备投资5到7%。华海清科占国产CMP装备销售90%以上份额，12英寸Universal-300已经导入长鑫。新变量是中微4月29日刚过会的收购杭州众硅，6抛光盘架构是国际首创，效率比主流4盘方案高一截。国产CMP从单点供应正式进入双供。 清洗国产化率30到40%，盛美上海的SAPS/TEBO兆声波清洗覆盖FinFET和DRAM的16到19纳米制程。热处理40到50%，北方华创立式氧化炉打头，激光退火端莱普科技两年内国内市占从3%涨到16%，跟长鑫和长存共同开发匹配DRAM工艺的设备。这几个环节已经跑通了。 最薄弱的三个环节是量测检测、涂胶显影和离子注入。量检测国产化率个位数，KLA全球占51到54%，精测电子进了长鑫12英寸产线，中科飞测也在部分环节往里切，但高端光学检测和电子束检测差距仍然明显。涂胶显影国产化率仅4%，东京电子在大陆市占超过90%，芯源微是唯一量产替代，目前只在封装端站住了，前道关键层还进不去。离子注入同样个位数，万业凯世通累计交付40多台。弹性最大的三个环节，也是短期内最动不了的三个环节。 长存三期产线2026年一季度国产设备占比首次过50%，目标100%。长鑫设备国产化率已突破45%，但仍低于长存三期产线的水平。根源在工艺。DRAM的电容刻蚀和光刻精度对先进DUV的依赖远高于3D NAND。NAND可以靠堆层数绕过光刻瓶颈，DRAM要正面硬刚，结构性差异，跟意愿无关。 外部约束在收紧。4月22日美国众议院外交事务委员会投票通过了MATCH法案，路透社称之为"国会史上最大规模的半导体出口管制立法审议"。法案把长鑫、中芯国际、长江存储、华为、华虹一起列入covered facility，禁止ASML的DUV浸没式光刻机对长鑫出口，禁止盟国为既有设备提供维保，要求荷兰和日本在150天内对齐美方规则。主要推手是美光。一旦通过，NXT:1980Di这条最后的灰色通道就堵死了。长鑫本身还没进BIS实体清单，但设备进口其实早就在2022年10月那波18纳米以下DRAM工艺限制的笼子里。 45%的国产化率意味着长鑫在两条腿走路，海外设备保良率，国产设备保供应链安全。MATCH法案的压力反而在加速这个进程。长鑫每往国产设备多切一个百分点，对应的就是北方华创、中微、拓荆、华海清科、盛美这些公司实打实的订单增量。上海新厂分两期共20万片的增量产能，加上现有产线的持续技术升级，未来两到三年国产设备厂面对的是一个确定性极高的需求窗口。 从更长的时间尺度看，长鑫的扩产不只是一家公司的资本开支计划。它每走通一个工艺节点，整条12英寸国产设备平台就多一次被验证、被复用的机会。刻蚀和CMP已经证明了这条路径，薄膜沉积和清洗正在跟进，量测和涂胶显影是下一个要啃的硬骨头。这个验证循环一旦转起来，国产设备的竞争力会以远超线性的速度积累。

长鑫IPO业绩炸裂：净利预增2244%，半导体设备要起飞了 我看完直接坐直了。 Q1营收508亿，同比+719%。 净利润330亿，同比+1268%。 归母净利润247亿，同比+1688%。 公司给的H1业绩指引，归母净利润500-570亿， 同比增长2244%到2544%。 兄弟们，这不是增长，这tm简直是核爆。 01）为什么业绩这么猛？两个原因。 第一，DRAM价格涨疯了。 全球算力需求爆发，AI服务器对HBM和DDR5的需求直接把产能吃光。 三星、海力士、美光都在控产保价，DRAM价格从2025年下半年开始一路飙升。 长鑫作为国内唯一能量产DRAM的龙头，吃满了这波涨价红利。 第二，国产替代在加速。 国内手机厂商、服务器厂商、甚至车企，都在拼命导入国产存储芯片。 长鑫的产能爬坡+产品结构优化，正好卡在这个时间点上，产销两旺。 说白了，长鑫踩中了"涨价+放量"的双重风口，业绩不炸才怪。 02）来，算笔账。 H1净利指引500-570亿，全年按最保守的拍法，1500亿净利。给白酒估值20倍，就是3万亿市值。 但兄弟们，以我大A的暴躁性格，长鑫这种核心龙头、国产替代独苗、业绩增速2000%+的标的，新股上来先给你干到50倍、80倍都有可能。 参考中芯国际当年上市的气势，长鑫的估值天花板，不是市盈率能框住的。 恐怖如斯。 03）真正拉爆的是半导体设备和材料 但我要说的重点不是长鑫本身。 长鑫IPO真正拉爆的，是半导体设备和材料。 逻辑链很清楚： DRAM国产化加速 → 长鑫扩产 → 国产设备导入 → 国产材料验证 → 订单释放 长鑫的募资投向已经明牌了：存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM技术升级、前瞻技术研发。全是扩产+升级，全是设备和材料的需求。 个股方面，最核心的是这几个：北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科。但市值都比较大，弹性未必最猛。 拿不准个股的兄弟们，直接上ETF： • 561980 招商半导体设备ETF • 159516 国泰半导体设备ETF • 562590 华夏半导体设备ETF • 159558 易方达半导体设备ETF • 588170 科创半导体ETF 长鑫这份招股书，给我的感觉就两个字：时代。 这不是一家公司的业绩爆发，是整个国产半导体产业链的拐点信号。 DRAM从0到1的突破已经完成了，接下来是从1到10的放量，而放量的背后，是设备和材料的国产化替代。 兄弟们，方向已经明牌了。 长鑫是旗手，设备和材料是主力军。 别纠结估值贵不贵，先想清楚你要不要参与这个时代。 等所有人都看懂了，价格早就飞天了。 最后提醒一句：半导体波动大，心脏不好的别满仓。

长鑫存储（CXMT）vs 长江存储（YMTC） 本质区别： 一个做内存（DRAM），消费级。 一个做闪存（NAND），企业级。 赛道完全不同，不竞争，定位清晰。 1. 命名玄机 - 长鑫的"鑫"是三个金，暗示内存芯片的金属互连层 - 长江存储的"长江"是武汉的长江，不是随便起的 2. 技术路线的赌注 - 长鑫押注 DRAM 是因为 2016 年中国政府觉得"内存比闪存更卡脖子" - 长存做 NAND 是因为 2016 年紫光集团先把 NAND 买下来了，后来才独立 3. 美国制裁的"精准打击" - 2022 年美国把长存列入实体清单，但没动长鑫 - 原因：长存的 232 层 NAND 已经威胁到美光，长鑫的 DRAM 还没构成实质威胁 - 结果：长存被迫砍掉苹果供应链，长鑫反而趁机抢市场份额 4. 长存的"秘密武器" - Xtacking 架构是长存 CTO 程卫华（前英特尔 Fellow）在 2018 年发明的 - 这个架构让长存在层数竞赛中一度领先三星、美光 1-2 年 - 三星后来抄作业，搞了自己的"双栈"架构 5. 长鑫的"曲线救国" - 长鑫的 DRAM 技术来源是 2016 年从奇梦达（Qimonda）破产拍卖中买的专利包 - 奇梦达是英飞凌的内存部门，2009 年破产，专利被中国财团以 1 亿美元捡漏 - 长鑫靠这批专利起步，然后自己迭代到 17nm 6. 产能的"猫鼠游戏" - 长存的月产能 10 万片是"公开数字"，实际可能更高 - 美国制裁后，长存通过"灰色渠道"继续买设备（ASML 的光刻机通过韩国中转） - 长鑫更聪明：直接找国内设备商（北方华创、中微半导体）替代 7. 最冷的一个 - 长鑫的创始人朱一明是清华 1998 级微电子系，和中芯国际的梁孟松是同班同学 - 长存的创始人赵伟国是紫光集团的，但 2022 年被查了，现在长存是"无主之地" 8. 全球份额的"隐形冠军" - 长鑫的 DRAM 全球份额约 3%，看起来很小，但已经是全球第四（前三是三星、SK 海力士、美光） - 长存的 NAND 全球份额约 5%，已经是全球第六（前五是三星、铠侠、西数、美光、SK 海力士） 9. 终极冷知识 - 长鑫和长存的工程师很多是"互相跳槽"的 - 合肥和武汉相距 300 公里，但这两家公司的人才流动率比硅谷还高

长嫂为亲，兄终弟及，我觉得挺好的👍🌹 都说好吃不过饺子～～，现在嫂子情况特殊，又有了孩子，给了你机会，很多人又反对，都是叶公吗？ 再婚对孩子也是个难题，如果两个人是自愿结婚，就是最优化选择 视频中大哥离开十多年，现在才领证，估计两人是真感情，早就在一起了，要不然嫂子十多年也日子不好过 我们那儿有个老板就是这样，老大意外去世了，留下孤女寡母，奶奶舍不得孩子，财产也不好分，妈妈也怕孩子受委屈，第二年就和老二结婚，又生了个儿子，经常发朋友圈秀恩爱，女儿和亲叔叔相处还挺好的