MSX 今日上新｜2 只美股代币开放交易 📈 ⚡ $VICR.M｜现货 Vicor，盯住 AI 芯片供电瓶颈的高密度电源玩家。 Q2 营收指引从 1.26 亿上调至 1.42 亿美元，产品放量和专利授权一起提速。 🗓️ 7 月 21 日盘前公布财报。 🔌 $TXN.M｜现货 Texas Instruments，全球模拟芯片龙头，8 万多款产品横跨工业、汽车和数据中心。 Q1 营收同比增长 19%，还计划斥资约 75 亿美元收购 Silicon Labs，继续补强低功耗无线连接。 🗓️ 7 月 22 日盘后公布财报。 🚀 7 月 20 日（UTC+8），两只现货开放交易。 #半导体#

随着AI芯片功率越来越高，GPU、AI ASIC、HBM逻辑层、交换芯片开始需要超高电流、超高功率密度、超高速动态负载。 IR Drop、电迁移、热密度、高频噪声、金属层拥堵、电源完整性问题开始明显恶化。 因此，行业开始推进Vertical Power Delivery（VPD）与Backside Power Delivery Network（BSPDN）。 就是把过去需要在芯片正面金属层长距离绕行的电流，搬到背后垂直送电。 这样可以缩短供电路径、降低压降和功耗、释放更多信号层空间、提升高频稳定性、支持更大的Die和更高电流。 行业龙头已经全面推进。Intel 推出PowerVia，TSMC 推进Super Power Rail，Samsung Electronics 推进BSPDN。 VPD不是单一技术，而是一整套制造升级。背后需要晶圆减薄、TSV、铜填孔、背面金属化、Hybrid Bonding、Backside CMP、Overlay、X-ray检测、电源完整性EDA、高电流封装。很多过去非核心的步骤，正在变成AI时代的新瓶颈。 尤其是晶圆减薄、背面金属化、Overlay、X-ray计量、Power Integrity、高电流封装。这些方向未来可能出现类似CoWoS、HBM的产业重估。 VPD核心难点包括：超薄晶圆带来的翘曲、热变形与开裂；TSV与背面互连的高缺陷风险；供电与散热的耦合问题；Overlay与X-ray检测难度提升；以及Transformer workload带来的Power Integrity问题。 产业链上，第一层受益是先进逻辑Foundry，包括 Intel、TSMC、Samsung Electronics。 第二层受益是CMP、Bonding、Metrology、TSV设备，包括 Applied Materials、Lam Research、KLA Corporation、Onto Innovation。 第三层受益是Chiplet、HBM、CoWoS、Hybrid Bonding、高电流先进封装，包括 Amkor Technology、ASE Technology。 第四层受益是IVR、高频VRM、超低延迟供电，包括 Monolithic Power Systems、Infineon Technologies、Texas Instruments。 半导体行业正在从“逻辑密度竞争”转向“能量密度竞争”。未来先进芯片竞争的核心，不光是计算存储和通信，还有电力管理。免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议，dyor

AI数据中心电力上的关键环节：800VHDC，今天在这里 Ultra平台上得到大规模采用。其实800VHDC并不是全新概念，自从英伟达去年说要推直流供电架构后，市场对此的关注度其实挺高的，这个板块的相关的标的已经炒过一博预期了。但实际上800V直流电在下半年才真正大规模采用，值得关注。聊下几方面的问题： 1、800V HVDC架构是什么？ 传统高密度AI rack的路径大致是：电网中压AC → 变压器/UPS/PDU → 415/480VAC到机架 → 机架内PSU转54VDC/12VDC → GPU核心电压。 达子的800VDC愿景则是：在数据中心边界/电力室把中压AC集中转换成800VDC，用800V DC busway送到IT rack，再在靠近GPU的位置用高比率DC/DC转换。NVIDIA称，54V架构在200kW以上开始撞上物理限制；1MW rack如果继续用54V，单rack铜排最高可能需要约200kg铜，而800V架构通过减少电流、减少转换级数、减少机架内PSU，目标是提升效率、降低铜耗、释放机架空间。 它不是简单的电压升级，也不是“发明了直流供电”，而是AI数据中心供电架构的一次平台级切换，是对整个电力交付架构的系统性重构，旨在解决传统48V/54V机架电源的瓶颈（空间受限、铜缆过载、多级转换损耗高），支持单机架功率从数百kW跃升至1MW+，并为未来GW级AI工厂铺路。 2、800V HVDC的意义和革命性是什么？ 1）首先自然是效率和空间布局 效率提升：从电网到GPU的转换环节大幅减少，整体能效可提升从以前90%能大幅度提高到98.5%以上传输损耗显著降低，TCO（总拥有成本）降低可达30% 空间与密度优化：减少铜缆用量和电源单元体积，机架内计算空间利用率提升超80%，支持更高密度GPU集群 2）800V不是单一器件升级，而是生态重构：中央整流、800V DC busway、固态断路器、热插拔保护、sidecar/power rack、BBU/CBU、超容/电池储能、DC/DC、GaN/SiC、液冷都要协同。NVIDIA也明确说需要OCP等组织推动电压范围、连接器、安全标准。 如果大家有关注过新能源汽车产业链，应该有影响这两年国内电动车厂商都在推的“快充”基本上就是800V高压直流充电。现在达子正在把800VDC变成下一代AI rack标准化路线的一部分，所以一部分原来给新能源汽车充电产业链上的关键环节，又开始外溢到AI数据中心上了。 3、800V HVDC空间有多大？ 要看大背景，AI数据中心整体市场从2025年约3440亿美元增长至2032年超2万亿美元（CAGR 27.5%）。 功率基础设施将成为AI建设的核心瓶颈与增长点，NVIDIA的标准将加速 hyperscaler采用，带动固态变压器、GaN/SiC功率器件等子市场爆发。 2027年后，>300kW/rack、尤其是400kW-1MW rack的AI zones中，800VDC或类似HVDC架构渗透率快速提升。若未来新增AI容量中有30%-60%采用高压DC架构，并且每MW对应的核心800V电力链价值量在几十万到数百万美元区间，累计空间就会进入百亿美元到千亿美元级。 当然这个预测区间也很宽，因为真实取决于Kyber/Rubin Ultra出货节奏、超大云厂接受NVIDIA 800V的程度。 4、800V HVDC产业链构成 完全是英伟达参考设计主导资格认证，之前英伟达也公开列出的核心合作伙伴分为三类，竞争激烈，份额将取决于认证进度、量产能力和 hyperscaler合同。 1）硅片/功率半导体供应商（核心器件，如SiC/GaN MOSFET、控制器，用于高效转换）： 主要玩家：Texas Instruments（TI，已发布完整800V解决方案）、STMicroelectronics（ST，6-18kW功率板）、Infineon、ROHM（SiC器件）、Navitas（GaN/SiC）、Analog Devices、onsemi、Renesas、Innoscience、MPS、AOS、EPC等。 这些是NVIDIA“硅供应商”名单核心，TI/ST等已演示参考设 2）电源系统组件/模块供应商（电源架、Sidecar、DC-DC转换器等）： 主要玩家：Delta Electronics（与NVIDIA深度合作，发布800V解决方案）、Flex、LITEON、Megmeet、Lead Wealth、Bizlink等。 Delta等中国厂商优势明显，已有白皮书和技术落地；LITEON等股价因800V预期已经显著上涨。 3）数据中心电源系统/基础设施供应商（机架级配电、Sidecar、SST、母线等）： 主要玩家：Vertiv（Hopewind为其800V系统关键子供应商）、Schneider Electric（开发1.2MW Sidecar）、Eaton、ABB、GE Vernova、Siemens、Hitachi Energy、Mitsubishi Electric等。 这里面Vertiv、Schneider、Eaton等是传统强者。 个人角度看 1）Vertiv、IFFNY、Schneider、Eaton、Delta、ABB是最可能在早期800VDC相关收入中占到显著份额的几家公司； 2）LITEON、TI、ST、Infineon、onsemi是第二组确定性较强的受益者； 3）Navitas、Power Integrations、MPS、BizLink、Megmeet、Innoscience（英诺赛科）属于弹性更大但验证/量产/竞争风险也更高的一组。 个人角度当下比较看好的则是，当然这个还要动态迭代： nvts、IFNNY、英诺赛科、vicr 5、后续跟踪落地节奏的几个重要节点 1）NVIDIA Kyber / Rubin Ultra 2027节奏：是否明确把800VDC作为默认/主推rack电力架构，而且出货节奏也带动800V的落地节奏 2）OCP标准进展：800V连接器、安全、保护、PDB、BBU/CBU是否标准化。 3）看点电源管理系统组件，功率半导体供应商的点单披露，谁真正进入了进入backlog和量产socket；这个最关键决定了哪家供应商能吃到多大的份额 4）超大云厂路线：800V vs 400V/±400V vs 50V HPR是否分裂。决定了市场对800V hvdc的预期和想象空间。 5）单MW成本下降曲线：如果800VDC使每MW可部署GPU数量、能效和维护成本明显改善，它会从NVIDIA专用架构变成行业事实标准。

周末行研---AI拉动的电力电子系统大基建里SiC、GaN 与硅MOSFET的份额浅析 AI数据中心疯狂建设推动的电网大升级，正在让另一个长期被低估的领域重新回到舞台中央：功率半导体。 电力系统核心在于高效地控制电流。而控制电流最核心的器件，就是MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）金属-氧化物-半导体场效应晶体管。 过去几十年，全球功率器件几乎都建立在硅MOSFET之上。硅便宜、成熟、产业链完整，因此长期统治整个行业。但随着AI服务器功率暴涨、EV进入800V时代、数据中心向高压化演进、高频电源需求提升，传统硅开始逐渐碰到物理极限。于是，SiC（碳化硅）与GaN（氮化镓）开始崛起。 SiC更像重工业路线。它的核心优势，在于高压与大功率。SiC拥有更高击穿电压、更强导热能力，在高压、高电流场景下效率明显优于传统硅IGBT。因此EV主驱逆变器、光伏逆变器、储能、工业高压驱动、电网、高压UPS这些领域，正在快速SiC化。尤其特斯拉推动的800V平台，本质上是整个SiC产业爆发的重要转折点。过去几年，新能源车一直是SiC最大的驱动力。Wolfspeed、onsemi、STMicroelectronics、Infineon Technologies、ROHM、Mitsubishi Electric等公司，都在这一轮周期中受益。 但SiC并不完美。相比GaN，它通常开关速度更慢、Qg更高、高频性能较弱，高频下磁性器件难进一步缩小。于是GaN走向了另一条路线。GaN真正强的地方，是高频。GaN拥有更低Qg、更低输出电容，以及几乎没有reverse recovery的问题，因此特别适合高频DC-DC、AI服务器供电、GPU VRM、手机快充、高频PSU、小型化电源。 AI可能是GaN真正的大周期。因为AI数据中心正在推动整个供电架构向高频化、高电流化、小型化、高效率演进。尤其48V架构之后，大量高频DC-DC开始成为核心瓶颈，而这正是GaN的甜点区。 传统服务器机架可能只有5-10kW，现在AI机架已经开始进入50kW、100kW，未来甚至可能接近MW级别。 AI数据中心正在从IT设施，逐渐变成“电力设施”。而从电网到GPU，中间需要经历大量电力转换：高压输电、变压器、UPS、PSU、AC/DC、DC/DC、VRM、GPU近端供电。每一次转换都会损失能量。当单个AI园区开始消耗GW级电力时，1%的效率提升，都可能对应巨大的经济价值。于是，功率半导体开始从配角变成核心瓶颈。 GaN因此开始大量进入AI服务器PSU、高频DC/DC、GPU VRM、电源模块。很多系统甚至开始出现“SiC + GaN”混搭。高压主干用SiC，高频末端用GaN。数据中心里，电网到数据中心的大功率高压部分，更适合SiC。服务器机架内部的高频供电，则更适合GaN。 未来整个功率半导体可能形成三层结构。低压低成本：硅MOSFET。高频高效率：GaN。高压大功率：SiC。 650V附近，是GaN与SiC正面竞争的区域。低于650V，GaN优势明显。高于650V，SiC优势越来越强。而650V附近，两边都能做。 同时，因为全球大量关键系统，都工作在400V~800V DC母线附近。 650V器件通常对应400V AC整流后、380V HVDC、48V架构上游、数据中心PSU、工业电源、光伏、OBC、AI服务器电源。 这是现代工业和数据中心最核心的电压区间之一。 于是竞争开始从单纯器件参数，变成系统成本、EMI、驱动复杂度、散热、良率、可靠性、客户验证、使用寿命、热循环、ppm失效率，以及长期供货能力。 这也是为什么功率半导体行业护城河极深。尤其SiC。SiC真正难的，不只是器件设计，而是晶圆生长、外延、缺陷控制、良率、高温可靠性。这些能力需要长期工艺积累。因此行业真正强势的玩家，往往都是十年以上沉淀出来的公司。不同公司的强项也不同。Wolfspeed强在材料。STM强在EV。Infineon强在模块与系统能力。onsemi强在汽车客户。Rohm强在可靠性。 GaN世界则还没有完全进入成熟阶段。目前Texas Instruments、Navitas Semiconductor、Infineon Technologies、Efficient Power Conversion都在不同方向推进GaN。其中TI可能长期被市场低估。因为真正的大客户最在意的，往往不是PPT参数，而是reliability、qualification和长期供货能力，而这些恰恰是TI最强的地方。 总的来说，AI正在提高整个系统里的“功率半导体含量”。未来AI基础设施的竞争，可能不只是算力竞争，还会是电力竞争、配电竞争、散热竞争、电源效率竞争。 过去半导体行业的核心是计算。未来十年，功率控制本身，可能会成为新的核心瓶颈之一。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议，dyor