CIPB（芯片埋入功率板） 技術核心 CIPB把芯片直接「長」進PCB內部，而不是傳統方式「貼」在板面上，實現芯片與基板一體化封裝。 主要優勢包括： - 寄生電感降低90%以上，開關損耗明顯下降 - 結溫降低15–20°C，功率循環壽命提升至傳統方案的3–10倍（超過10萬次） - 成本預計比傳統方案低20–30% - 體積更小、效率更高、散熱更好 產業進度 本川智能 已完成6家客戶打樣、3家進入小批量試產，並順利進入頭部AI伺服器電源供應鏈。專用廠房預計2027年第一季投入運營後啟動量產，業務模式從單純PCB製造轉型為功率模塊整體製造商。 世運電路 投資15億元建設「芯創智載」基地，設計年產能66萬平方米，其中芯片內嵌式PCB佔18萬平方米。公司自2020年起佈局嵌埋工藝，2026年中期正式投產，從一開始就主攻高壓應用（碳化硅），目前產品已應用於新能源汽車動力域。 下游三大應用場景 - AI伺服器電源：最急迫的戰場。單模組功率達450–500W，CIPB可提升效率3–5%、體積縮小50%，已成為算力PCB中長期的主流方向。 - 人形機器人關節：空間極度受限，CIPB可將體積縮小60–80%，響應速度提升50%以上，目前正加速與GaN功率器件結合。 - 新能源汽車：規模化最確定的市場。廣汽已將嵌埋封裝功率模塊寫入「夸克電驅3.0」量產車型賣點，CIPB可助力逆變器實現1200kW高功率密度，體積縮小約四分之一。 市場空間（2030年潛在市場） 伺服器電源約90–250億元、新能源汽車約60–150億元、光伏逆變器約50–160億元、機器人模塊約350–650億元，四個方向加總已超過千億元。全球AI伺服器供電單元市場也預計到2032年達約78億美元，年複合增長率超過20%。 關鍵挑戰 從小批量試產走向大規模放量仍面臨工藝壁壘，包括高溫壓合板材翹曲、高壓絕緣擊穿、微米級微孔填銅無空洞、芯片埋入應力平衡等問題。未來1–2年將是決定誰能率先衝過產能與良率雙重關口的關鍵窗口期。

美光執行長 Sanjay Mehrotra 於 SEMICON India 2026 表示，古吉拉特邦薩南德封測廠將從 2026 年「數千萬顆」放量至 2027 年「數億顆」。該廠今年稍早已商業投產，是印度半導體計畫下首座封裝測試廠，並非晶圓廠；先進 DRAM、NAND 晶圓來自美光全球前道網絡，在印度完成封裝測試後出貨全球。 投資約 27.5 億美元（美光與政府合計）。一期潔淨室逾 50 萬平方英尺。成品已貼「印度製造」銷往世界；首批記憶體模組交付戴爾，供印度產筆記型電腦。Mehrotra 稱現有產能已超過印度整個筆電市場所需記憶體。 他強調印度已從「談潛力」走向「能出貨」：「潛力不會把產品運出去，我今天看到的是執行。」美光在印營運七年，班加羅爾、海得拉巴做設計，古吉拉特做封測，直接僱用逾 7,000 人，並支撐價值鏈數萬就業；印度團隊累計逾 3,700 項專利與發明揭露。 擴產主因是 AI：更大模型需要更高容量、更快、更密、更省電的記憶體與儲存。「沒有資料就沒有模型；沒有記憶體與儲存，資料無法移動、擴展或變成答案。」 政策面，印度半導體計畫與 7 月通過的 Semicon 2.0（預算 12.75 兆盧比）涵蓋設計、設備材料、晶圓廠、封測、研發與人才。第一階段已核 12 案、投資逾 16.4 兆盧比；美光、Kaynes Semicon、CG Semi 已量產。薩南德補的是後段產能，前道晶圓製造仍待其他專案後續落地。

村田明年量產AI晶片用iPaS電源基板 村田計劃明年量產整合封裝解決方案iPaS，將電容、電感功能做進超小型多層基板，可陣列客製電容值、特性與線路。表面可佈線、內部過孔垂直傳電，減少被動元件佔位，讓電源模組直接放在AI加速器下方，實現垂直供電（VPD），縮短路徑、降低損耗。 AI加速器功耗與電流持續上升，短距大電流供電更關鍵。iPaS分電容型（減少表面MLCC）與電感型（支援大電流），並規劃單基板整合兩者。主要客戶為超大規模雲端與大型科技業者，鎖定高階AI加速器而非通用晶片。 村田2023年公開樣品、2024年展示模組，表面電容可減逾60%。目標量產後18個月內年銷500億日圓，約當其電容事業約5%。

【鈉電時代】中國率先量產上車，鈉電池迎來關鍵之年 年中，福特（Ford）在華合作夥伴長安汽車將推鈉離子電池車型，電池來自寧德時代。該公司技術總監高煥表示，創新將鈉電池能量密度提升50%，邁入「里程碑階段」。國際能源署預測今年為鈉電池關鍵一年，有望部分替代鋰電池。

電子級氫氟酸產業 1. 產業背景：電子級氫氟酸在晶圓製造中的角色 電子級氫氟酸是半導體晶圓製造過程中關鍵的濕式電子化學品，主要用於清洗與蝕刻兩大核心工序，是單位晶圓耗量最大的濕式電子化學品之一。 清洗環節：氫氟酸用於去除晶圓表面的自然氧化層、金屬離子污染及顆粒殘留。隨著製程從 28nm 向 7nm 及以下演進，清洗步驟數從約 100 步增加至 200 步以上。在 3nm 製程中，由於極紫外光刻（EUV）對光刻膠表面缺陷的敏感度更高，清洗步驟進一步增至 300 步以上。每一步清洗均需使用稀釋氫氟酸（DHF）或緩衝氧化蝕刻液（BOE）。單片 12 吋晶圓在先進製程廠的耗酸量較 28nm 廠高出約 2-3 倍。 蝕刻環節：氫氟酸用於二氧化矽及氮化矽的選擇性蝕刻。在 3D NAND 快閃記憶體中，隨著堆疊層數從 128 層向 176 層、232 層乃至 300 層以上邁進，高深寬比蝕刻（High Aspect Ratio etch，簡稱 HAR etch）的次數呈指數級增長。更高的堆疊層數意味著更深的溝槽與孔洞，對氫氟酸的純度、蝕刻速率及蝕刻選擇比提出更嚴格的要求。 AI 算力拉動方面：AI 訓練與推理晶片（如 H100、B200、MI300 系列）採用先進製程與大尺寸晶片設計，單片晶圓面積較通用邏輯晶片更大，等效耗酸量相應提升。隨著 AI 資料中心資本開支持續擴張，台積電、三星、英特爾等頭部晶圓廠的先進製程產能利用率維持高位，直接拉動濕式電子化學品的消耗量成長。 根據 SEMI 數據，2025 年全球半導體設備支出約 1255 億美元，中國區占比持續提升，晶圓廠擴產是濕式電子化學品需求成長的底層驅動。 2. 邊際變化：價格、供給與認證 2.1 價格端 根據百川盈孚數據，2026 年 6 月 29 日相較年初，UP 級（對應 G3-G4）電子級氫氟酸價格上漲約 19%，UPS 級（對應 G5）上漲約 17%。價格上漲來自兩端：成本端螢石、硫酸價格上行形成支撐；需求端晶圓廠擴產帶動耗酸量提升，而日系供應商擴產節奏緩慢，供需邊際趨緊。 2.2 供給端事件 據韓媒 The Elec 報導（2026.5.14），韓國半導體材料企業所需無水氫氟酸約 90% 從中國進口，2026 年 5 月以來出現高價搶貨現象。該事件雖未構成「斷供」，但反映出日系產能瓶頸下，中國已通過認證的 G5 級供應商在供給端地位的提升。 2.3 認證進展 中國企業中，多氟多 G5 級電子級氫氟酸已向台積電、三星電子、華虹半導體、長鑫存儲等主流晶圓廠批量供貨。 3. 產業格局：日系主導與中國國內突破 日系主導格局：高端電子級氫氟酸（G5 級及以上）長期由日本企業主導，Stella Chemifa 是全球少數具備 G6 級電子級氫氟酸量產能力的企業，森田化學在 G5 級市場佔據主要份額。兩家日系企業均無在華規模化產能，中國下游廠商的電子級氫氟酸採購依賴進口或貿易商轉口。 中國突破難點體現在三個面向： 一、純度控制：根據 SEMI G5/G6 標準，G5 級要求金屬離子含量低於 10ppt，G6 級進一步要求低於 1ppt，對原料選型、設備材質、潔淨環境的要求極為嚴苛。 二、設備材質：電子級氫氟酸具有強腐蝕性，儲罐、管道、泵閥等接觸部件需採用 PFA（全氟烷氧基樹脂）等高純氟材料，以防止金屬離子析出造成二次污染。 三、批次一致性：半導體廠要求批次間的金屬離子含量、顆粒度、蝕刻速率等指標波動控制在極小範圍內，認證週期通常為 12-24 個月，新進入者從送樣到批量供貨需要較長時間的工藝磨合。

根據TrendForce最新報告，華星光電積極推動IJP OLED技術，正式挑戰韓系面板廠在OLED市場的長期主導地位。目前其G5.5世代IJP OLED產線已進入量產階段，成功量產醫療監視器面板，並同步推進品牌端監視器及筆電面板的驗證。 今年華星先以27吋UHD IJP OLED監視器試水溫，瞄準專業型與創作者市場。相較QD-OLED與WOLED，IJP OLED在高端商務顯示器具備明顯能耗優勢，已吸引韓系、陸系與台系品牌積極驗證，預計2026年第三季開始量產出貨。 監視器市場方面，目前仍由Samsung Display與LG Display寡占，今年OLED滲透率僅3%。隨著華星投資G8.6大世代產能，預估2030年滲透率將提升至6.2%並持續成長。 筆電領域則由Samsung Display獨大，今年滲透率6%。華星選擇14吋WUXGA IJP OLED切入中低階市場，以積極報價策略獲得陸系、台系品牌青睞，美系品牌亦同步驗證，有望提前於2026年第三季出貨。預期在華星、京東方、維信諾等陸系廠商擴產下，2030年OLED筆電滲透率將大幅躍升至22.4%。

Aletheia Capital 首次覆蓋創意電子（GUC），評等「買進」，目標價 12,000 元，較現價 7,615 元有約 58% 上漲空間，風險評為高。 代理型 AI 工作負載擴增、運算成本上升，促使 CSP 與 AI 實驗室加速自研 ASIC。創意電子受惠於先進封裝 IP、統包服務，以及與台積電 DTP 的緊密關係。產品線已從 Google、微軟自研 CPU，擴展至多家 CSP 客製 ASIC。 報告預估 2027 年 N3／N5 晶圓配額將增至約 18 萬片 N3 加 5 萬片 N5，較 2026 年約 3.5 萬片大幅成長 5 倍，反映 NRE 高轉換為量產營收。公司近期募資 650 億元（約現有現金 8 倍）以因應需求。營收預估 2026 年翻倍至約 739 億元，2027 年再增約 4 倍至 3,375 億元，2028 年續增至約 4,817 億元。EPS 預估 2026 年 63.9 元、2027 年 332.1 元、2028 年 472.2 元，三年暴增約 8 倍，明顯高於市場共識。 毛利率因統包比重提高可能由 24% 降至 19–20%，但營運槓桿可推升營業利益率逾 200 個基點；TK1 比重由 2026 年約 20% 升至 2027 年逾 50%，加上更多 SoIC／CoWoS 的 TK3 案子，淨利率可望走升。尚未納入模型的選擇權包括 Google TPU v10、AWS／Meta 客製矽晶、HBF 與 CPO 等，若轉換可能自 2028 年起額外貢獻逾 100 元 EPS。風險在於需求能見度與執行力。

Sandisk BiCS10 332 層 1Tb TLC 開始送樣　位元密度提升 59% Sandisk Corporation 宣布，第 10 代 BiCS FLASH 3D NAND 快閃記憶體技術 BiCS10 1Tb TLC 已正式進入工程樣品送樣階段。該產品採用 332 層堆疊架構，結合先進橫向縮放與優化平面布局，位元密度較第 8 代（BiCS8）大幅提升 59%，達到業界領先的超過 29Gb/mm²。 BiCS10 延續 CBA（CMOS 直接鍵合至陣列）技術，並新增 Toggle DDR6.0、SCA 協議及 PI-LTT 技術，NAND 介面速度最高達 4.8Gb/s，較前一代提升 33%。在功耗表現上，輸入功耗降低 10%、輸出功耗降低 34%，讀取與寫入能效也同步優化，特別適合 AI 時代資料中心與企業級 SSD 對高容量、低功耗、高效能的需求。 Sandisk 首席技術長 Alper Ilkbahar 表示，BiCS10 在 BiCS8 成熟基礎上進一步突破，將為下一代資料密集型與 AI 工作負載提供更強大的儲存解決方案。該產品將由Kioxia日本岩手北上 Fab2 工廠生產，預計未來逐步量產。

根據TrendForce最新調查，2026年第一季全球Enterprise SSD市場因AI Agent服務普及與CSP強勁拉貨，出現嚴重供需失衡。前五大品牌廠單季營收較上季暴增86.1%，突破184.6億美元，再創歷史新高。 由於供應商庫存已降至歷史低點，產能遠遠追不上訂單成長，各廠積極調漲價格，第一季Enterprise SSD合約價狂飆80%。市場呈現極度賣方市場態勢。 各品牌表現亮眼： Samsung憑藉供應韌性與製程升級，單季營收達70.5億美元，季增92.8%。其236層產品全面量產，176層QLC大舉出貨，有效緩解CSP近乎倍增的需求壓力。 SK海力士集團（含Solidigm）營收達46.4億美元。Solidigm QLC出貨持續攀升，搭配SK hynix 176層TLC，精準滿足AI Inference需求。Solidigm正加速240層製程，SK hynix更已啟動375層TLC研發。 Micron策略轉型成效顯著，將產能從手機與通路市場大幅轉向Enterprise SSD，本季營收衝上近30.9億美元。Kioxia隨著218層產品通過北美客戶驗證並開始放量，市占率提升，營收達約22.2億美元。目前正擴大驗證245TB QLC產品，預期下半年動能更強。 SanDisk則展現穩健成長，位元出貨量季增20%，營收約14.7億美元。大容量QLC Enterprise SSD已進入出貨階段，將成為後續成長主要動能。 TrendForce指出，SSD已不再只是單純的數據倉庫，而是逐漸承擔「運算輔助」角色。從Micron SLC SSD到Kioxia XL FLASH，各家正推出因應AI Agent高處理量的存儲方案。在DRAM容量瓶頸與高價壓力下，高效能SSD成為市場新選擇，預期2026全年Enterprise SSD市場將維持強勁上升走勢。