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Scaling Law的下一个：Power Scaling Blackwell之后，AI服务器进入Power Scaling阶段。单GPU持续提升功耗，Rack正从几十kW快速迈向100kW、200kW，未来甚至可能达到300-500kW。未来几年，Power的重要性将持续提升。 目前市场普遍预计，Vera Rubin继续采用高性能SiC Rectifier，Rubin Ultra则有望进一步演进至Solid State Transformer（SST）架构。SST尚未得到官方确认，但整个产业已经开始围绕MVDC、中压供电以及高密度Power Architecture进行布局。真正重要的不是Rectifier还是SST，而是两条路线最终都指向同一个底层技术——SiC。 Rectifier完成AC/DC转换，SST进一步集成变压、隔离、双向功率流以及数字控制，更接近整个供电系统的平台升级。随着Rack功率不断提升，铜耗、转换损失以及动态响应开始成为新的约束，SST正是围绕这些问题演进。 SiC的重要性是，无论最终采用Rectifier还是SST，高压、高频、高效率的功率开关几乎都离不开SiC。 相比传统硅器件，SiC拥有更低的导通损耗、更低的开关损耗、更高的耐压能力以及更高的工作频率。当供电电压进入800V以上、单机柜功率进入数百kW之后，这些优势开始持续放大。 GaN和SiC经常被放在一起讨论，但它们解决的是不同的问题。SiC商业化的主流器件是SiC MOSFET，GaN商业化的主流器件则是GaN HEMT。未来最有可能形成明确分工：中压、高压、大功率转换采用SiC，板级、高频DC/DC转换采用GaN。两条路线长期更可能协同发展。 SiC份额提升，也意味着传统硅功率器件开始重新定位。目前硅功率器件主要包括IGBT以及Super Junction MOSFET。IGBT适合极高电压、大电流场景，目前仍广泛应用于轨交、工业驱动以及风电。Super Junction MOSFET通过超结结构显著降低导通电阻，长期成为服务器电源和工业电源的主流方案。 几十kW服务器时代，Super Junction MOSFET已经足够优秀。数百kW AI Rack时代，高压、高频、高效率开始成为新的优化目标，SiC逐渐进入价值量最高的供电环节。 AI数据中心的SiC需求更多取决于算力需求、电力基础设施以及Hyperscaler CapEx。这意味着行业周期可能比过去单纯依靠汽车市场更加稳定。 如果这一趋势继续发展，受益的将不仅仅是SiC器件公司。目前全球主要供应商包括Infineon、ON Semiconductor、STMicro、ROHM以及Wolfspeed。除Wolfspeed之外，大多数都是IDM。同一座Fab通常同时生产Si MOSFET、IGBT、模拟芯片以及SiC器件。 另一个重点是制造端。SiC虽然需要外延、高温退火等特殊工艺，但大量设备仍然沿用成熟制程平台，包括光刻、刻蚀、薄膜、CMP以及测试。未来如果8英寸SiC进入持续扩产周期，受益范围将进一步扩展到成熟制程设备、SiC外延设备以及衬底供应商，而不仅仅局限于器件企业。 接下来，值得持续跟踪的领先包括：NVIDIA是否正式导入SST，Hyperscaler是否开始部署MVDC，Vertiv、Delta、Schneider、Eaton是否推出下一代AI供电架构，Infineon、ON、ST是否开始单独披露AI数据中心收入，全球8英寸SiC Fab是否进入新一轮资本开支周期。 这些信号比短期销量更加重要。

scmp：据消息人士透露，字节跳动计划最迟于明年初完成其下一代自主研发CPU的设计，并计划于2027年下半年实现量产和大规模部署，以支持其人工智能业务的扩张。早期版本的CPU已于去年底在内部使用，消息人士还表示，由于市场需求迫切，流片时间可能会提前。 该CPU是字节跳动构建自主芯片产品组合并将更多专有硬件融入其人工智能基础设施战略的一部分。为了加速研发并确保晶圆产能，字节跳动正在扩大与美国无晶圆厂芯片制造商高通的合作，后者正进军人工智能数据中心芯片领域，字节跳动希望通过高通的代工厂关系来缓解先进芯片供应紧张的问题 寒武纪：？？？

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