創意電子（GUC）2026年9月22日宣布，採用台積電N2P（2奈米）製程與CoWoS-L封裝的HBM4E PHY與Controller IP已完成設計定案，並獲客戶AI ASIC採用。該IP延續已通過矽驗證的N3P 12Gbps HBM4基礎，在所有操作條件下將傳輸速度提升至16Gbps，並強調高功耗效率與超小面積。GUC以專有interposer佈線優化訊號與電源完整性，可支援多種CoWoS架構。 為因應3D SoIC，GUC另提供SoIC-X用face-up版本，整合TSV以支援I/O與向上層晶片饋電，建立3D堆疊連接路徑。該IP亦延續HBM、GLink、UCIe產品線，並整合proteanTecs互連監測，提升測試可視性與實際運作可靠度。 技術長Igor Elkanovich表示，HBM4E可顯著提升新一代AI加速器頻寬與系統效能；結合face-up HBM、face-up UCIe與GLink-3D，GUC可提供完整3D SoIC介面方案，協助客戶整合HBM、chiplet與3D堆疊。

最近我越来越认为，EMIB-T 会比 14A 更早成为英特尔 Foundry 被商业化验证的一块业务 > 产业链的信号正在变密集 5 月 29 日，联发科公开确认同时支持台积电 CoWoS 和 EMIB；EMIB 正被考虑用于联发科为 Google 开发的定制 AI 芯片 6 月，Counterpoint 的供应链调查称，Meta 要求下一代项目提供包含 EMIB-T 的双封装方案，Google TPU v9t 也计划采用 EMIB-T 9 月 2 日，韩国媒体又传出 Broadcom、Meta 正在评估 EMIB，Google、NVIDIA 也表现出兴趣；SK 海力士据称已经拿到 Intel EMIB 基板，评估 HBM 与系统芯片共同封装 > AI 客户正在认真寻找 CoWoS 之外的第二套先进封装方案 背后有明确的动机，也是我们说过很多次的 > AI 供应链正从追求极致效率，转向愿意为供应链冗余付费 英特尔确实有机会接住这部分需求。EMIB 从 2017 年就已经量产，今年展示的 EMIB-T 已经做到 120×120mm、超过 9 倍光罩面积，并支持 HBM4E 和 UCIe；New Mexico 也已经有先进封装产线 >> 时间窗口很窄，英特尔必须赶在 CoWoS 产能缺口明显缓解之前，把 EMIB-T 变成量产订单 台积电预计 CoWoS 产能到 2027 年仍保持非常高的扩张速度；产业链估计随着扩产，CoWoS 供需缺口可能从 2026 年约 20% 缩到年底约 10%，2027 年进一步改善 如果拖到 2028–2029 才真正成熟，届时 CoWoS 自己已经大幅扩产，英特尔现在这个第二供应商窗口的价值可能就没这么大了 Zinsner 给出的时间表是： 2026：客户验证和产能准备 2027 H2：收入开始爬坡 2028：形成稳定业务规模 2029：真正进入规模化阶段 现在最大的变量已经转向良率和扩产速度。按照时间表，2027 H2 开始量产爬坡，正好接上客户 2027–2028 年的新一代 AI ASIC > 但几乎没有延期空间——晚半年，可能错过的就是一整代产品周期 >> 先进封装业务的实际收入和战略意义都很重要 先进封装长期可以成为数十亿美元级业务，单个大型客户甚至可能达到每年数十亿美元收入规模，目标毛利率约 40%、营业利润率约 30% Intel 目前一年营收大约 500 多亿美元，所以如果先进封装未来做到 $5B，已经接近现有营收的 10%；如果进一步做到 $10B，就是接近 20%，而且更重要的是它证明 Intel 能真正从外部 AI 客户身上赚钱 >> EMIB-T 成为数十亿美元级外部业务的情景，我认为还没有被充分 Price in 所以我认为，机会是真的，客户需求也是真的，技术已经达到参与竞争的门槛。2027 下半年开始看兑现 如果客户评估陆续变成量产订单，EMIB-T 很可能成为 Foundry 最早跑出来的一张牌；如果到了 2027–2028 仍然只有评估和有兴趣，那市场现在给予 Foundry 的复兴预期，也需要重新打折 $INTC

今天新闻流里最有价值的一条就是 ，SK海力士和闪迪在FMS 2026上发布了全球首个HBF开放技术标准。Google和Tenstorrent也参与技术验证和标准建立。 规格具体如下：存储介质3D NAND Flash，堆叠支持8层和16层两种配置，单颗容量最高512GB，带宽分三个等级覆盖0.4TB/s到3.0TB/s。接xPU的接口选了UCIe，GPU、CPU、各类AI加速器都能接入。联盟成员包括Google和Tenstorrent，Google DeepMind的工程师会在FMS上参加一场关于HBF突破memory wall的panel。 HBF的定位比较清楚，在HBM和SSD之间插入一个新的存储层级。HBM带宽高但容量有限、成本极高。SSD容量大但延迟太高。HBF用NAND的成本结构去逼近HBM的带宽能力，同时容量远超HBM。 为什么这个新闻很重要？因为MoE已经成了frontier model的主流架构，而MoE的参数结构天然适配HBF。 拿Kimi K3举例，2.8T参数，896个专家每次激活16个，单token实际参与计算的参数大概50-104B。剩下占总量95%以上的专家权重，读多写少，稀疏访问，每次推理只用到一小部分。对延迟的容忍度远高于KV cache，但对容量的要求很大。 你今天想跑一个K3，2.8T参数分布在几十张卡上，专家路由的跨卡通信量极大，基本上要上英伟达NVL72这种scale-up系统才能跑。一套NVL72的采购成本是千万美元级别，小团队和一般公司根本不用考虑。 HBF改变的可能还不只是成本，是MoE的部署方式本身。现在跑大MoE模型，专家权重分散在多张卡上，推理时跨卡通信量很大，对NVLink和网络带宽的依赖非常重。HBF通过UCIe直接挂在xPU旁边，每颗最高512GB，相当一部分专家可以变成本地访问，不用走卡间互联。专家并行从大规模跨卡通信问题，部分转化成了本地HBF读取问题。这对部署门槛的影响可能比单纯降成本还大。 存储成本从纯DRAM/HBM变成DRAM+NAND混合，量级差距10倍以上。DRAM只留给KV cache和当前激活的参数，50-100GB可能就够。 MoE的参数量还在膨胀，K2是1T，K3已经2.8T，10T级别的MoE大概率两三年内就会出现。如果推理侧存储还是只能靠DRAM和HBM，成本门槛只会越来越高。HBF提供了让推理成本和参数膨胀脱钩的可能性。 时间线上，SK海力士给的full commercialization目标是2030年前后，但闪迪今年下半年可能已经在日本建pilot line，商用有机会提前到2027年。

2020年英特尔把存储业务卖给了SK海力士。 2026年英特尔把海力士的前CEO请了回来。 陈立武在播客上说了一句话："我以前说不要投存储，但现在不一样了。我请了以前管海力士的人，你大概知道我在想什么，我们还没准备好公开。" 同一周，他自掏1200万买入英特尔200亿美元增发。 55年来第一次增发，原计划150亿，机构加码到200亿。 1200万是表态，方向才是重点。 6月18号加入的李石熙，在英特尔干过十年，后来去SK海力士做到CEO，主导了海力士HBM扩产周期。 2020年海力士收购英特尔NAND业务，经手人也是他，现在他回来了，直接向陈立武汇报，管先进封装和后端制造。 卖掉英特尔存储的人，被请回来重建英特尔的存储。 技术上也在动。英特尔公开了XBM专利，砍掉HBM里最贵的硅中介层，用UCIe连接替代，成本更低。同时跟软银旗下SAIMEMORY联合开发ZAM，目标带宽是HBM4的两倍，2029-2030年商用。 陈立武原话："CPU和存储之间有很多方式可以做堆叠，存储领域的创新已经很久没有出现了。" 目前全球HBM基本被三星、SK海力士、美光三家垄断，供不应求锁到2028年。 如果英特尔带着新架构进场，存储行业的竞争格局都会有一定改变。XBM和ZAM商用节点都在2029-2030年，刚好卡在现有产能扩张的下一个周期。 请海力士前CEO、新存储专利、跟软银合作、1200万自购、200亿增发。 这一系列动作指向同一个方向：陈立武认为存储是英特尔下一个十年最大的机会。 1968年英特尔靠存储起家，58年后，它可能要靠存储翻身。