◆ 半導体株 急上昇 ・Sandisk 26%高 ・キオクシア（ADR）25%高 ・Micron 18%高 ・SK hynix 18%高 ハイパースケーラーの「AI投資の鈍化懸念」が和らぎ、急激にリバウンドしています。 きょうはキオクシアの決算発表もあります。 ▼ note「朝メモ」

DRAM/NANDはシクリカル勢 今回は相当ダメージがデカかったのかな 静かになりましたね さて2027年末の暴落が楽しみですね どれだけ暴落してMicronが赤字決算になるんですかね

【AppleのNAND LTA報道、確定と観測を整理】 ✅ AppleがNANDの長期供給契約（LTA）に動いたと韓国メディア→TrendForceが報道 🔸 契約相手は非公表。ただしキオクシアが有力候補 🔸 3〜5年・価格上限なしは現時点では市場観測 ✅ Apple－CXMTのLPDDR5X価格交渉は決裂との報道 → CXMTがSamsung/SK hynix並み、あるいはそれ以上の価格を要求 ※ただしAppleはCXMT製品のテスト自体は継続している模様 🔸 次に注目されるのがDRAM Samsung、SK hynix、MicronとのLPDDR5X／LPDDR6 LTAに発展する可能性が指摘されているが、これはまだ観測。 ここで一番重要なのは「キオクシアに決まった」ことではない。 あのAppleですら、メモリ調達で「安く買う」より 「数量を確保する」ことを優先し始めた可能性があること。 Apple自身も10-QでNAND／DRAMの「供給制約＋コスト上昇」を認めている。 もし本当に「価格上限なし」のLTAまで広がるなら、メモリ業界の価格決定力が買い手側からメーカー側へ移っていることを象徴する話。 $AAPL $KIOXIA $SNDK $MU $SKHY

【エンタープライズSSDベンダ売上高トップ5】 TrendForceによると、NANDサプライヤは、利益の向上を図るためエンタープライズSSD製品の拡販を進めており、出荷量の増加と契約価格の上昇を背景に、エンタープライズSSDブランドの売上高トップ5の合計金額は2026年第2四半期に前四半期比103.6％の375億9000万ドルに達した。 1位 Samsung：143億5000万ドル 176層QLC製品の出荷量が大幅に伸びたのと同時に、出荷構成におけるハイエンドPCIe 5.0製品の割合も増加した ２位 SK hynix：86億3000万ドル 321層TLC製品の出荷を拡大させたほか、子会社のSolidigmが大容量QLCエンタープライズSSDを出荷したことを後押しに強い成長 ３位 Micron：69億8000万ドル トップ5社中でもっとも高い成長率126.3％増を達成。 生産能力の大部分をエンタープライズSSDとHBMに集中させており、232層QLCベースの大容量製品の出荷量が増加したことに加え、PCIe 6.0エンタープライズSSDの開発と認証においても主導的な役割を果たしている ４位 キオクシア：46億4300万ドル 218層ベース製品の生産拡大と、サーバブランドにおける調達シェアの増加によるもの ５位 Sandisk：29億8000万ドル 大容量QLCエンタープライズSSDの量産拡大に伴う出荷量の増加を背景に売り上げを伸ばした 出典：TECH+

【世界半導体企業ランキングでキオクシア8位、26年Q2】 Semiconductor Intelligence（以下、SI）は2026年8月26日、WSTS（World Semiconductor Trade Statistics／世界半導体市場統計）や半導体メーカー各社のデータを基に、2026年第2四半期（4～6月）の半導体市場の推移や売上高ランキングなどをまとめたレポートを発表。 日本勢トップはキオクシアで、トップ20社中、最も高い伸びを示して8位にランクインした。 市場の急成長をけん引しているのは引き続きAI関連需要だ。 １位：NVIDIA（962億米ドル、+18%） ２位：Samsung（832億米ドル、+62%） ３位：SK hynix（518億米ドル、+51％） ４位：Micron Technology（415億米ドル、+74％） ５位：Broadcom（294億米ドル、+33％） 出典：EE Times Japan

🧩HBMの壁は段数から、GPUと話す数ミリ角の温度へ移った | SamsungもSK hynixも次に足すのは冷やす構造だ 005930.KS 000660.KS 8月23日にStanfordで開幕したHot Chips 2026は、初日をチュートリアルに充てている。その一枠がメモリで、Micron、Samsung、SK hynixが順に登壇した。SamsungとSK hynixが次の世代に足すと説明したのは、容量でも帯域でもない。同じ数ミリ角を冷やすためだけの構造だった。 その数ミリ角をダイ間PHYと呼ぶ。HBMの一番下に敷くベースダイの上にあり、積み上げたDRAMとGPUの間で信号をやり取りする回路のことだ。標準的なHBMではこのPHYがベースダイの中で最大のブロックになる、とSamsungは説明した。 Samsungが示した設計は、そこを縮める。従来のHBM PHYを先端ロジックで作るダイ間インターフェースへ置き換えると、面積が縮み、信号の通り道が短くなり、1ビットあたりのエネルギーが下がる。空いたシリコンはGPU側の面積へ回せる。メモリを売る会社が、計算する側の陣地を広げる提案をしている。 代償は同じ資料に書いてある。通り道を短くすればエネルギーは下がるが、小さくなったPHYへ同じ電力を詰めれば電力密度が上がり、そこがホットスポットになる。SamsungはsHBM4EからsHBM5へ向かう区間でI/O速度がおよそ倍になり、電力密度が0.5W/mm²から2.0W/mm²超へ上がる数字を置いた。面積を稼ぐ動きが、自分で熱を作っている。 その熱を運び出すのがHeat Path Blockだ。ベースダイのダイ間PHYに専用の熱の通り道を作る構造で、PHYの被覆率を5割超まで上げるとピーク温度が35%超下がるという。Samsungはこれを現在HBM4Eで検証しており、採用はHBM5世代からと置いている。 SK hynixが同じ日に説明したi-HBMも、置く場所は同じだ。熱が最も集中するダイ間PHYの領域へ、電気を通さず熱をよく通すシリコン系の部材を直接埋め込み、コアダイ越しに逃がす従来の経路とは別の放熱路を作る。熱抵抗の低減幅は30%。搭載はHBM5を含む次世代からになる。名前も構造も違うが、狙う一点と入れる世代は同じだ。 段数の議論は、この熱の議論に吸収されつつある。SK hynixのHBM4は48GBで、12段が量産、16段が認定中だ。HBM3Eで16段を組んだとき、同社は同じ高さの枠に2段を足すため、チップの厚みも隙間も接合部の間隔もおおむね半分にした。20段以上へ向かえば熱管理が拘束条件になる、と講演では言い切っている。同じ枠で先に話したMicronは、演算性能が2年で3倍伸びる一方でHBMの帯域は2倍に届かないと示し、その差を埋める作業がいま熱と実装の問題になっていると並べた。 この二社の損益は、いまメモリが決めている。SamsungのQ2連結営業利益は89.5兆ウォン、そのうち89.2兆ウォンが半導体のDS部門から出た。SK hynixは同じ四半期に売上79兆3,187億ウォン、営業利益60兆5,426億ウォンで、営業利益率76%。段数を伸ばせるかどうかは、この数字の続きにそのまま効いてくる。 HBMの優劣は、長いあいだ段数で語られてきた。次の世代でそれを決めるのは、GPUと話す数ミリ角が何度まで耐えるかになる。HBM5の仕様が並ぶとき、容量と帯域の下に熱の構造が載っているかを見ればいい。そこに書ける会社だけが、20段の話を続けられる。 🤘情報提供 Stock Slayer :

💡 Samsung Electronics 、NVIDIA のカスタムメモリ「NVHBM」で先行か | HBM4E 8段・17〜18Gbpsを開発中 $NVDA $MU $TSM $AMZN Samsung Electronics が NVIDIA $NVDA のカスタムHBM「NVHBM」供給で中核パートナーの座を先に押さえた、とソウル経済が8月28日に報じた。 同社は NVIDIA の要求に合わせ、当初準備していた12段・16段ではなくHBM4E（第7世代）の8段品を開発している。提示された動作速度は17〜18Gbpsで、初期HBM4Eサンプルの14.4Gbpsを2割上回る。積層高さを3分の1削り、その分を速度に振り替える構成になる。 NVHBMは NVIDIA が現地時間8月26日、NVLink Fusion の拡張として公開した独自規格である。従来はXPU側の演算ダイに載っていたメモリコントローラをHBMスタック内部へ移す設計で、標準HBM4E比で帯域が最大30%向上、HBM消費電力が最大15%低下、演算ダイ側で使える面積が最大25%増える。JEDEC規格比でPHYと周辺回路の面積は最大67%削減され、インターポーザ配線が簡素化されることでパッケージ全体では最大80%多くのシリコンを実装できるとする。NVIDIA 自身は製造せず、複数のメモリベンダーが供給できる標準実装を整える形を取り、第1号パートナーは Amazon $AMZN 傘下のAnnapurna Labsとなる。次世代Trainiumでの組み合わせが想定されている。 8段への回帰は、これまでのHBM競争の前提を反転させる。HBMは4段から8段、12段へと積み上げて容量を稼いできたが、段数が増えるほどDRAMダイを薄く削って精密に積む必要があり、後工程の難易度と歩留まり負担が跳ね上がる。8段は製造負荷が軽く、同じウェハ投入量からより多くのスタックを取り出せる。 Samsung と SK hynix は今年下期、NVIDIA 向けHBM4でも8段比率を引き上げる計画で、発熱管理と供給安定性が主因とされる。SK hynix のCEOは27日、米インディアナ州の先端パッケージ工場起工式後の会見で、メモリ不足が2030年末まで続くとの見方を示している。8段回帰は、この供給制約下でHBM搭載GPUの絶対数を確保するための現実解と読める。 代わりに NVIDIA は速度を取りにいく。NVHBMは2027年後半投入のRubin Ultra世代からの適用が有力とされ、同世代はスケールアップ領域を従来の72基から最大576基へ8倍に広げる。GPU単体のメモリ容量が減っても、より速いHBMを載せたGPUを数百基束ねて全体演算性能を積み上げる設計思想である。 Samsung のHBM4Eラインアップは8段32GB、16段64GBの構成で、16スタック実装なら8段採用時のパッケージ容量は512GB、当初示された1TBの半分に落ちる。一方、HBM4Eの2048ビット幅（16Gbpsで4.0TB/s）を前提に17〜18Gbpsを当てはめるとスタック帯域は4.4〜4.6TB/sとなり、NVIDIA が掲げる標準HBM4E比30%増とほぼ一致する。容量と帯域のトレードオフを、帯域側へ振り切った判断だ。 Samsung が優位に立つ理由は組織構造にある。NVHBMはDRAMだけでなくロジックベースのベースダイ設計と製造能力を要求する。Samsung はHBM4で1c DRAMと自社Foundry 4nmベースダイを組み合わせ、JEDEC標準8Gbpsを約46%上回る11.7Gbps（最大13Gbps）を安定確保した。対してSK hynix はHBM4E向けロジックダイにTSMC $TSM の3nm採用を検討し、Samsung は自社4nmで対応する構図にあり、Micron $MU も標準・カスタム双方のHBM4Eロジックダイ製造をTSMCに委ねている。高積層ではなく速度と開発回転数で勝負が決まる局面では、この一貫体制が効く。 最大の未確定要素は初適用世代である。NVIDIA 自身の発表はNVHBMを将来のGPUのメモリ基盤とするに留め、時期を明示していない。海外メディアの一部は2028年のFeynman世代を初適用先と見る一方、韓国側の報道はRubin Ultraを指す。 より本質的なのは主導権の移動である。ベースダイに載るコントローラが NVIDIA 設計になるということは、HBMの付加価値の一部が製造側から設計側へ移ることを意味する。Micron 経営陣は既に、設計と認証にかかる時間とコストを踏まえれば顧客が3社すべてと組むとは限らず、2社あるいは単独調達へ収斂し得ると指摘している。標準品の汎用化と特注品の囲い込みが同時に進み、供給者の交渉力は案件ごとに大きく振れる。 需要側の温度は依然高い。NVIDIA の2027年度第2四半期（7月26日締め）は売上高962億ドルで前年同期比106%増、データセンター部門は890億ドルで同117%増、第3四半期ガイダンスは1,058〜1,101億ドル、上位5社のハイパースケーラー設備投資は2026年の8,000億ドルから来年1兆3,000億ドルへ拡大する見通しが示された。この需要を前に、メモリ供給の物理的制約をどう回避するかという設計解がNVHBMであり、8段回帰である。積層数を競う段階から、速度と実装数を競う段階へ。AIメモリの評価軸が入れ替わる過程を注視したい。

⚙️NVIDIAのチップを積んだサーバーが15%超上がり、幅は世代とメモリで変わる | 宛先はMicrosoft、Google、Oracleに納めるサーバーだ $NVDA 値上げ幅が一律ではない。チップの世代と、メモリをどれだけ積むかで変わる。 Bloombergが8月22日に伝えたのは、NVIDIAのAIチップを積んだサーバーの価格が、多くの場合15%を超えて上がるという通知だ。対象は来年初めに出荷されるシステムで、主力のVera RubinとGrace Blackwellを含む。顧客に伝えたのはNVIDIAではない。MicrosoftやAlphabet傘下のGoogle、Oracleといった大規模データセンター運営者向けに受託でサーバーを組む会社が、それぞれの顧客に通知した。翌23日にはThe Informationが「約17%」と報じ、Rubin NVL72ラック1台が800万ドルになるとした。NVIDIAはコメント要請に応じていない。 一律の定価改定なら、ここで話は終わる。終わらないのは、上げ幅が積むメモリでも変わるからだ。 NVIDIAはDRAMもHBMも作らない。買い手から見れば、支払う額が他社の商品市況に連動し始める。積むメモリを削れば請求は軽くなるが、それは推論に回せる容量を削るのと同じだ。この値上がりのどこまでがメモリの原価で、どこからが誰かの利幅なのかは外から見えない。通知したのは受託でサーバーを組む会社であって、NVIDIA自身は価格改定を認めていない。 規模を置いておく。5月に発表された2027年度第1四半期で、NVIDIAのData Center売上は過去最高の752億ドル、全社売上816億1,500万ドルの92.1%を占めた。GAAP粗利率は74.9%で、直近2四半期の実績と今期の見通しはいずれも74.9%と75.0%の間にある。 通知の宛先を見る。値上げを伝えられたのはNVIDIAの最大級の顧客たちで、納め先として挙がったのはMicrosoft、Google、Oracleのデータセンターだ。その発注書に来年初めから、同じ箱が高くなっただけの分が乗る。 だから来年、ハイパースケーラーの設備投資が増えたとき、その増分の何割が台数で何割が値札なのかは、総額を見ても分からない。設備投資の総額は「どれだけ計算能力を据えたか」の代わりとして読まれてきた。その代わりは成立しなくなる。 8月26日にNVIDIAが2027年度第2四半期を発表する。ただし答え合わせにはならない。締めたのは7月26日で、値上げが乗るのは来年初めの出荷分だ。その日に手に入るのは、原価と値付けについて会社自身が選ぶ言葉だけになる。 見るものは2つだ。来年初めの出荷までのメモリ契約価格と、買い手が来年の設備投資を説明する言葉。契約価格が先に反転すれば、通知された値上げは請求書に残らず、設備投資の増分は台数の話へ戻る。買い手が台数でなく価格を理由に挙げ始めたら、答え合わせはそこで済む。 メモリの値上がりそのものを持ちたいなら、売っているのはMicronや韓国勢だ。NVIDIAを見る理由は別にある。AIサーバーの値札が、NVIDIAが作っていない部品の相場に連動し始めたことだ。 これまでAI相場は、据えたGPUの枚数を追ってきた。来年からは、同じ枚数にいくら払ったかを分けないと、需要と値札の区別がつかない。 🤘情報提供 Stock Slayer :