◆ 半導体株 急上昇 ・Sandisk 26%高 ・キオクシア（ADR）25%高 ・Micron 18%高 ・SK hynix 18%高 ハイパースケーラーの「AI投資の鈍化懸念」が和らぎ、急激にリバウンドしています。 きょうはキオクシアの決算発表もあります。 ▼ note「朝メモ」

DRAM/NANDはシクリカル勢 今回は相当ダメージがデカかったのかな 静かになりましたね さて2027年末の暴落が楽しみですね どれだけ暴落してMicronが赤字決算になるんですかね

【AppleのNAND LTA報道、確定と観測を整理】 ✅ AppleがNANDの長期供給契約（LTA）に動いたと韓国メディア→TrendForceが報道 🔸 契約相手は非公表。ただしキオクシアが有力候補 🔸 3〜5年・価格上限なしは現時点では市場観測 ✅ Apple－CXMTのLPDDR5X価格交渉は決裂との報道 → CXMTがSamsung/SK hynix並み、あるいはそれ以上の価格を要求 ※ただしAppleはCXMT製品のテスト自体は継続している模様 🔸 次に注目されるのがDRAM Samsung、SK hynix、MicronとのLPDDR5X／LPDDR6 LTAに発展する可能性が指摘されているが、これはまだ観測。 ここで一番重要なのは「キオクシアに決まった」ことではない。 あのAppleですら、メモリ調達で「安く買う」より 「数量を確保する」ことを優先し始めた可能性があること。 Apple自身も10-QでNAND／DRAMの「供給制約＋コスト上昇」を認めている。 もし本当に「価格上限なし」のLTAまで広がるなら、メモリ業界の価格決定力が買い手側からメーカー側へ移っていることを象徴する話。 $AAPL $KIOXIA $SNDK $MU $SKHY

【エンタープライズSSDベンダ売上高トップ5】 TrendForceによると、NANDサプライヤは、利益の向上を図るためエンタープライズSSD製品の拡販を進めており、出荷量の増加と契約価格の上昇を背景に、エンタープライズSSDブランドの売上高トップ5の合計金額は2026年第2四半期に前四半期比103.6％の375億9000万ドルに達した。 1位 Samsung：143億5000万ドル 176層QLC製品の出荷量が大幅に伸びたのと同時に、出荷構成におけるハイエンドPCIe 5.0製品の割合も増加した ２位 SK hynix：86億3000万ドル 321層TLC製品の出荷を拡大させたほか、子会社のSolidigmが大容量QLCエンタープライズSSDを出荷したことを後押しに強い成長 ３位 Micron：69億8000万ドル トップ5社中でもっとも高い成長率126.3％増を達成。 生産能力の大部分をエンタープライズSSDとHBMに集中させており、232層QLCベースの大容量製品の出荷量が増加したことに加え、PCIe 6.0エンタープライズSSDの開発と認証においても主導的な役割を果たしている ４位 キオクシア：46億4300万ドル 218層ベース製品の生産拡大と、サーバブランドにおける調達シェアの増加によるもの ５位 Sandisk：29億8000万ドル 大容量QLCエンタープライズSSDの量産拡大に伴う出荷量の増加を背景に売り上げを伸ばした 出典：TECH+

【世界半導体企業ランキングでキオクシア8位、26年Q2】 Semiconductor Intelligence（以下、SI）は2026年8月26日、WSTS（World Semiconductor Trade Statistics／世界半導体市場統計）や半導体メーカー各社のデータを基に、2026年第2四半期（4～6月）の半導体市場の推移や売上高ランキングなどをまとめたレポートを発表。 日本勢トップはキオクシアで、トップ20社中、最も高い伸びを示して8位にランクインした。 市場の急成長をけん引しているのは引き続きAI関連需要だ。 １位：NVIDIA（962億米ドル、+18%） ２位：Samsung（832億米ドル、+62%） ３位：SK hynix（518億米ドル、+51％） ４位：Micron Technology（415億米ドル、+74％） ５位：Broadcom（294億米ドル、+33％） 出典：EE Times Japan

🧩HBMの壁は段数から、GPUと話す数ミリ角の温度へ移った | SamsungもSK hynixも次に足すのは冷やす構造だ 005930.KS 000660.KS 8月23日にStanfordで開幕したHot Chips 2026は、初日をチュートリアルに充てている。その一枠がメモリで、Micron、Samsung、SK hynixが順に登壇した。SamsungとSK hynixが次の世代に足すと説明したのは、容量でも帯域でもない。同じ数ミリ角を冷やすためだけの構造だった。 その数ミリ角をダイ間PHYと呼ぶ。HBMの一番下に敷くベースダイの上にあり、積み上げたDRAMとGPUの間で信号をやり取りする回路のことだ。標準的なHBMではこのPHYがベースダイの中で最大のブロックになる、とSamsungは説明した。 Samsungが示した設計は、そこを縮める。従来のHBM PHYを先端ロジックで作るダイ間インターフェースへ置き換えると、面積が縮み、信号の通り道が短くなり、1ビットあたりのエネルギーが下がる。空いたシリコンはGPU側の面積へ回せる。メモリを売る会社が、計算する側の陣地を広げる提案をしている。 代償は同じ資料に書いてある。通り道を短くすればエネルギーは下がるが、小さくなったPHYへ同じ電力を詰めれば電力密度が上がり、そこがホットスポットになる。SamsungはsHBM4EからsHBM5へ向かう区間でI/O速度がおよそ倍になり、電力密度が0.5W/mm²から2.0W/mm²超へ上がる数字を置いた。面積を稼ぐ動きが、自分で熱を作っている。 その熱を運び出すのがHeat Path Blockだ。ベースダイのダイ間PHYに専用の熱の通り道を作る構造で、PHYの被覆率を5割超まで上げるとピーク温度が35%超下がるという。Samsungはこれを現在HBM4Eで検証しており、採用はHBM5世代からと置いている。 SK hynixが同じ日に説明したi-HBMも、置く場所は同じだ。熱が最も集中するダイ間PHYの領域へ、電気を通さず熱をよく通すシリコン系の部材を直接埋め込み、コアダイ越しに逃がす従来の経路とは別の放熱路を作る。熱抵抗の低減幅は30%。搭載はHBM5を含む次世代からになる。名前も構造も違うが、狙う一点と入れる世代は同じだ。 段数の議論は、この熱の議論に吸収されつつある。SK hynixのHBM4は48GBで、12段が量産、16段が認定中だ。HBM3Eで16段を組んだとき、同社は同じ高さの枠に2段を足すため、チップの厚みも隙間も接合部の間隔もおおむね半分にした。20段以上へ向かえば熱管理が拘束条件になる、と講演では言い切っている。同じ枠で先に話したMicronは、演算性能が2年で3倍伸びる一方でHBMの帯域は2倍に届かないと示し、その差を埋める作業がいま熱と実装の問題になっていると並べた。 この二社の損益は、いまメモリが決めている。SamsungのQ2連結営業利益は89.5兆ウォン、そのうち89.2兆ウォンが半導体のDS部門から出た。SK hynixは同じ四半期に売上79兆3,187億ウォン、営業利益60兆5,426億ウォンで、営業利益率76%。段数を伸ばせるかどうかは、この数字の続きにそのまま効いてくる。 HBMの優劣は、長いあいだ段数で語られてきた。次の世代でそれを決めるのは、GPUと話す数ミリ角が何度まで耐えるかになる。HBM5の仕様が並ぶとき、容量と帯域の下に熱の構造が載っているかを見ればいい。そこに書ける会社だけが、20段の話を続けられる。 🤘情報提供 Stock Slayer :