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英特尔# EMIB-T技术预计2027年量产 成本较 #
台积电# CoWoS 大幅降低五成
英特尔近年来持续强化先进封装布局,其EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge,嵌入式多芯片互连桥)正逐步获得越来越多外部客户关注,并成为Intel Foundry的重要竞争优势之一。
EMIB可与Foveros等技术协同,支持2D、2.5D及3D Chiplet异构集成,在系统层面兼顾成本、功耗、带宽与设计灵活性。
作为一种基板嵌入式硅桥技术,EMIB无需传统2.5D方案所依赖的整块硅中介层,仅在高速互连区域嵌入局部硅桥,从而减少硅面积和制造成本,同时实现高密度、低延迟的芯片间互连。
CoWoS是"整块硅高速公路",EMIB则是"按需修建立交桥"——只在真正需要高速互连的位置使用硅桥,因此更具成本优势和Chiplet设计灵活性;而Foveros则进一步补足了3D垂直堆叠能力,使Intel形成了"EMIB(横向)+Foveros(纵向)"的完整先进封装体系。